onsemi双NPN通用放大器晶体管EMX1DXV6T1G和EMX1DXV6T5G的特性与应用分析

在电子设计领域，晶体管作为基础元件，其性能和特性对电路的整体表现起着关键作用。今天我们来详细探讨一下onsemi公司推出的双NPN通用放大器晶体管EMX1DXV6T1G和EMX1DXV6T5G。

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产品概述

这两款NPN晶体管专为通用放大器应用而设计，采用SOT - 563封装。这种封装专为低功率表面贴装应用而打造，对于电路板空间有限的设计场景非常适用。

产品特性

节省电路板空间

采用SOT - 563封装，能够有效减少电路板占用空间，满足紧凑设计的需求。

高hFE值

典型hFE值在210 - 460之间，为放大器电路提供了良好的电流放大能力。

低VCE(sat)

VCE(sat)小于0.5V，意味着在饱和状态下的电压降较低，能够降低功耗，提高电路效率。

汽车及特殊应用适用性

带有NSV前缀，适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。

环保特性

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

最大额定值

额定值	符号	值	单位
集电极 - 基极电压	V(BR)CBO	60	Vdc
集电极 - 发射极电压	V(BR)CEO	50	Vdc
发射极 - 基极电压	V(BR)EBO	7.0	Vdc
集电极连续电流	IC	100	mAdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超出这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

单结加热情况

特性	符号	最大值	单位
总器件功耗（TA = 25°C），25°C以上降额	PD	357（注1） 2.9（注1）	mW mW/°C
结到环境的热阻	RUA	350（注1）	°C/W

双结加热情况

特性	符号	最大值	单位
总器件功耗（TA = 25°C），25°C以上降额	PD	500（注1） 4.0（注1）	mW mW/°C
结到环境的热阻	RJA	250（注1）	°C/W

结和存储温度范围为 - 55°C到 + 150°C。注1表示是在FR - 4最小焊盘条件下。

电气特性

击穿电压

• 集电极 - 基极击穿电压（IC = 50μAdc，IE = 0）：V(BR)CBO为60Vdc。
• 集电极 - 发射极击穿电压（IC = 1.0mAdc，IB = 0）：V(BR)CEO为50Vdc。
• 发射极 - 基极击穿电压（IE = 50μAdc，IE = 0）：V(BR)EBO为7.0Vdc。

截止电流

• 集电极 - 基极截止电流（VCB = 60Vdc，IE = 0）：ICBO为0.5μA。
• 发射极 - 基极截止电流（VEB = 7.0Vdc，IB = 0）：IEBO为0.5μA。

饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压（IC = 50mAdc，IB = 5.0mAdc）：典型值为0.4Vdc。

直流电流增益

在VCE = 6.0Vdc，IC = 1.0mAdc条件下，hFE范围为120 - 560。

其他特性

• 过渡频率（VCE = 12Vdc，IC = 2.0mAdc，f = 30MHz）：fT为180MHz。
• 输出电容（VCB = 12Vdc，IC = 0Adc，f = 1MHz）：COB为2.0pF。

产品的参数性能在列出的测试条件下通过电气特性来体现，若在不同条件下运行，产品性能可能与电气特性有所不同。

订购信息

器件	封装	包装数量
EMX1DXV6T1G, NSVEMX1DXV6T1G（无铅）	SOT - 563	4000单位/卷带
EMX1DXV6T5G（无铅）	SOT - 563	8000单位/卷带

关于卷带规格的详细信息，包括零件方向和卷带尺寸，请参考《Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D》。

机械尺寸与封装

SOT - 563 - 6封装尺寸为1.60x1.20x0.55，引脚间距0.50P。尺寸标注和公差符合ASME Y14.5 - 2018标准，所有尺寸单位为毫米。

总结

onsemi的EMX1DXV6T1G和EMX1DXV6T5G双NPN通用放大器晶体管凭借其节省空间、高增益、低饱和电压等特性，适用于多种通用放大器应用场景。电子工程师在设计电路时，可以根据具体需求，结合这些特性和参数，合理选择和使用这两款晶体管。大家在实际应用中是否遇到过类似晶体管的使用问题呢？欢迎在评论区分享交流。