解析 onsemi NST847BF3T5G NPN通用晶体管

在电子工程师的日常设计工作中，晶体管是不可或缺的基础元件。今天我们就来深入了解一下 onsemi 推出的 NST847BF3T5G NPN 通用晶体管，看看它在实际应用中能为我们带来哪些优势。

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产品概述

NST847BF3T5G 是 onsemi 热门的 SOT - 23/SOT - 323/SOT - 563/SOT - 963 三引脚器件的衍生产品。它采用 SOT - 1123 表面贴装封装，专为通用放大器应用而设计，非常适合对电路板空间要求苛刻的低功耗表面贴装应用。

产品特性

高电流增益

该晶体管的 hFE（直流电流增益）范围在 200 - 450 之间，能够为电路提供稳定且较高的电流放大能力，在信号放大等应用中表现出色。这意味着在设计放大器电路时，我们可以更灵活地调整电路的增益，以满足不同的设计需求。

低饱和电压

其集电极 - 发射极饱和电压 (V_{CE(sat)}) ≤ 0.25 V，这一特性有助于降低功耗，提高电路的效率。在一些对功耗要求较高的应用场景中，如电池供电的设备，低饱和电压可以延长电池的使用寿命。

节省电路板空间

SOT - 1123 封装设计使得该晶体管占用的电路板空间更小，对于那些对空间要求严格的设计，如小型便携式设备，能够有效提高电路板的集成度。

无铅环保

NST847BF3T5G 是无铅器件，符合环保要求，满足现代电子设备对绿色环保的需求。

电气参数

最大额定值

参数	描述	值	单位
(V_{CEO})	集电极 - 发射极电压	45	Vdc
(V_{CBO})	集电极 - 基极电压	50	Vdc
(V_{EBO})	发射极 - 基极电压	6.0	Vdc
(I_{C})	集电极连续电流	100	mAdc

在实际应用中，我们必须确保电路中的电压和电流不超过这些最大额定值，否则可能会损坏器件，影响电路的可靠性。

电气特性

在 (T_{A}=25^{circ} C) 的条件下，该晶体管还具有以下重要的电气特性：

• 集电极 - 发射极击穿电压：在 (I{C}=10 mu A)，(V{EB}=0) 时，为 50 V。
• 发射极 - 基极击穿电压：在 (I_{E}=1.0 mu A) 时，有相应的参数。
• 集电极截止电流 (I_{CBO})：在 (V_{CB} = 30 V) 时，最大为 5.0 aA。

导通特性

• 直流电流增益 (h_{FE})：在 (I{C}= 10mu A)，(V{CE} = 5.0V) 和 (I{C}=2.0 ~mA)，(V{CE}=5.0 ~V) 时，范围在 150 - 450 之间。
• 集电极 - 发射极饱和电压 (V_{CE(sat)})：在 (I{C}=10 ~mA)，(I{B}=0.5 ~mA) 和 (I{C}=100 ~mA)，(I{B}=5.0 ~mA) 时，最大为 0.25 V。
• 基极 - 发射极饱和电压：在 (I{C}=10 ~mA)，(I{B}=0.5 ~mA) 时，为 0.9 V。
• 基极 - 发射极电压 (V_{BE(on)})：在 (I{C}=2.0 ~mA)，(V{CE}=5.0 ~V) 和 (I{C}=10mA)，(V{CE}=5.0V) 时有相应表现。

小信号特性

• 电流增益 - 带宽积 (f_{T})：在 (I{C}=10 ~mA)，(V{CE}=5.0 Vdc)，(f = 100 MHz) 时，为 100 MHz。
• 输出电容 (C_{obo})：在 (V_{CB}=10 ~V)，(f = 1.0 MHz) 时，有相应参数。
• 输入电容 (C_{ibo})：在 (V{EB}=0.5 ~V)，(I{C}=0 ~mA)，(f = 1.0 MHz) 时，有相应参数。
• 噪声系数 (NF)：在 (I{C}=0.2 ~mA)，(V{CE}=5.0 Vdc)，(R_{S}=2.0 k Omega)，(f = 1.0 kHz)，(BW = 200 ~Hz) 时，最大为 10 dB。

这些参数对于我们设计高频电路、低噪声电路等具有重要的参考价值。在实际设计中，我们需要根据具体的应用场景，合理选择和调整这些参数，以确保电路的性能达到最佳。

热特性

该晶体管的热特性参数如下：	参数	描述	值	单位
(P_{D})（注 1）	功率耗散	2.8	mW
(R_{theta JA})	结到环境热阻	143	°C/W
(T_{J})	结温	+150	°C

注 1：分别对应 100 (mm^2) 1 oz 铜走线和 500 (mm^2) 1 oz 铜走线的情况。

热特性对于晶体管的可靠性和稳定性至关重要。在设计电路时，我们需要根据这些热参数，合理设计散热措施，确保晶体管在工作过程中不会因为过热而损坏。

封装与订购信息

封装尺寸

NST847BF3T5G 采用 SOT - 1123 封装，其尺寸为 0.80x0.60x0.37，引脚间距为 0.35P。在进行电路板设计时，我们需要严格按照封装尺寸进行布局，以确保晶体管能够正确安装和焊接。

订购信息

器件型号	封装	包装方式
NST847BF3T5G	SOT - 1123（无铅）	8000/卷带包装

在订购时，我们需要注意封装和包装方式是否符合我们的需求。同时，对于卷带包装的规格，如零件方向和卷带尺寸等信息，可以参考 onsemi 的 Tape and Reel Packaging Specification 手册（BRD8011/D）。

总结

onsemi 的 NST847BF3T5G NPN 通用晶体管凭借其高电流增益、低饱和电压、节省空间和无铅环保等特性，在通用放大器应用和低功耗表面贴装应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时，可以根据其电气参数和热特性，合理选择和使用该晶体管，以实现电路的高性能和可靠性。

大家在实际应用中，是否遇到过晶体管参数选择不当导致电路性能不佳的情况呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。