安森美FFSB1065B-F085碳化硅肖特基二极管：高效能与可靠性的完美结合

在电力电子领域，功率半导体器件的性能直接影响着系统的效率、可靠性和成本。安森美（onsemi）推出的FFSB1065B-F085碳化硅（SiC）肖特基二极管，凭借其卓越的性能和先进的技术，为工程师们提供了一个理想的解决方案。

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一、技术优势

1. 新型技术带来卓越性能

SiC肖特基二极管采用了全新的技术，与传统的硅二极管相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。它没有反向恢复电流，开关特性不受温度影响，并且具有优异的热性能，这些特点使碳化硅成为下一代功率半导体的首选材料。

2. 系统优势显著

使用FFSB1065B-F085二极管可以为系统带来诸多好处，包括实现最高效率、支持更快的工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰（EMI）以及减小系统尺寸和成本。

二、产品特性

1. 温度与电流特性

• 高结温：最大结温可达175°C，能够在高温环境下稳定工作。
• 高浪涌电流能力：具备高浪涌电流容量，可承受较大的电流冲击。
• 正温度系数：正温度系数特性使得该二极管易于并联使用，方便工程师进行电路设计。

2. 无恢复特性

该二极管没有反向恢复和正向恢复，这意味着在开关过程中不会产生额外的能量损耗，提高了系统的效率。

3. 质量认证

通过了AEC - Q101认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，符合汽车级应用的严格要求。同时，该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准。

三、应用领域

1. 汽车领域

• 混合动力电动汽车（HEV） - 电动汽车（EV）车载充电器：能够提高充电效率，减小充电器的体积和重量。
• HEV - EV直流 - 直流转换器：为汽车电气系统提供稳定的电源转换，提高系统的可靠性和效率。

四、关键参数

1. 绝对最大额定值

符号	参数	值	单位
VRRM	重复峰值反向电压	650	V
EAS	单脉冲雪崩能量（基于特定条件）	49	mJ
IF（$T_{C}<25^{circ}C$）	连续整流正向电流	27	A
IF（$T_{C}<146^{circ}C$）	连续整流正向电流	10	A
IF, Max（$T_{C}=25^{circ}C,10mu s$）	非重复峰值正向浪涌电流	650	A
IF, Max（$T_{C}=150^{circ}C,10mu s$）	非重复峰值正向浪涌电流	570	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	功率耗散	79	W
功率耗散（$T_{C}=150^{circ}C$）	功率耗散	13	W
TJ, TSTG	工作和存储温度范围	-55 to +175	°C

2. 热特性

热阻Re为1.9 °C/W，良好的热特性有助于器件在工作过程中有效地散热，保证其性能的稳定性。

3. 电气特性

符号	参数	测试条件	典型值	最大值	单位
VF	正向电压	$I{F}=10 A, T{C}=25^{circ}C$	1.38	1.7	V
VF	正向电压	$I{F}=10 A, T{C}=175^{circ}C$		2.4	V
IR	反向电流	$V{R}=650 V, T{C}=25^{circ}C$		40	μA
IR	反向电流	$V{R}=650 V, T{C}=125^{circ}C$	1	80	μA
IR	反向电流	$V{R}=650 V, T{C}=175^{circ}C$	2	160	μA
Qc	总电容电荷	V = 400 V			nC
C	电容	$V_{R}=1 V, f = 100 kHz$	421		pF
C	电容	$V_{R}=200 V, f = 100 kHz$	46		pF
C	电容	$V_{R}=400 V, f = 100 kHz$	35		pF

五、封装与订购信息

1. 封装

该二极管采用D2PAK2（TO - 263 - 2L）封装，这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。

2. 订购信息

部件编号	顶部标记	封装	包装
FFSB1065B - F085	FFSB1065B	D2PAK2（TO - 263 - 2L）（无铅/无卤素）	800 / 卷带包装

六、总结

安森美FFSB1065B - F085碳化硅肖特基二极管凭借其先进的技术、卓越的性能和广泛的应用领域，为电力电子工程师提供了一个可靠的选择。在设计汽车车载充电器、直流 - 直流转换器等系统时，该二极管能够帮助工程师实现更高的效率、更小的尺寸和更低的成本。你在实际应用中是否遇到过类似二极管的选型难题呢？欢迎在评论区分享你的经验。