安森美SiC模块NVVR26A120M1WSS：牵引逆变器的理想之选

在电子工程师的日常工作中，为牵引逆变器选择合适的功率模块至关重要。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的NVVR26A120M1WSS碳化硅（SiC）模块，看看它有哪些独特的性能和优势。

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产品概述

NVVR26A120M1WSS是安森美EliteSiC功率模块系列的一员，专为牵引逆变器设计。这是一款具有革命性的高移动性化合物半导体产品，在相似且高度兼容的封装解决方案中，能提供更高的性能、更好的效率和更高的功率密度。该模块采用半桥配置集成了1200V SiC MOSFET，并应用烧结技术进行芯片连接，以提高可靠性和热性能，同时还满足AQG324标准。

产品特性

低电阻与低电感

• 超低导通电阻：拥有超低的 $R_{DS(on)}$，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
• 超低杂散电感：杂散电感约为7.1nH，可减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提高系统的稳定性和可靠性。

高可靠性设计

• 烧结芯片技术：采用烧结芯片技术，增强了模块的可靠性，确保在恶劣环境下也能稳定工作。
• 符合汽车级标准：满足汽车模块AQG324标准，并且具备PPAP能力，适用于汽车应用。

宽温度范围

• 连续工作温度：最大结温 $T_{vj.Max}=175^{circ}C$，能够在较宽的温度范围内连续稳定运行。

应用领域

NVVR26A120M1WSS主要应用于汽车电动/混合动力汽车（EV/HEV）的牵引逆变器，为汽车的电动化提供了强大的支持。

引脚配置与订购信息

引脚配置

Pin No.	Pin Name	Pin Functional Description
1	N	负电源端子
2	P	正电源端子
3	D1	高端MOSFET（Q1）漏极感应
4	N/C	无连接
5	S1	高端MOSFET（Q1）源极
6	G1	高端MOSFET（Q1）栅极
7	N/C	无连接
8	N/C	无连接
9	AC	相输出
10	NTC1	NTC 1
11	S2	低端MOSFET（Q2）源极
12	G2	低端MOSFET（Q2）栅极
13	NTC2	NTC 2
14	NTC_COM	NTC公共端
15	D2	低端MOSFET（Q2）漏极感应

订购信息

Device	Package	Shipping
NVVR26A120M1WSS	A1HPM	Tube

电气特性

模块特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的条件下，模块具有以下特性：

• 工作结温：$-40$ 至 $175^{circ}C$。
• 隔离电压：交流 $50Hz$，$5s$ 时为 $4200V$。
• 杂散电感：$7.1nH$。
• 模块引线电阻：端子到芯片为 $0.3mΩ$。

绝对最大额定值

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的条件下，绝对最大额定值如下：

• 漏源电压：$1200V$。
• 栅源电压：$+25/-10V$。
• 连续直流电流：$V{GS}=20V$，$T{vj}=175^{circ}C$，$T_{F}=65^{circ}C$ @ $10LPM$，使用参考散热器时为 $400A$。
• 脉冲漏源电流：$V{GS}=20V$，受 $T{vj.Max}$ 限制为 $800A$。

MOSFET特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的条件下，MOSFET具有以下特性：

• 导通电阻：$V{GS}=20V$，$I{D}=400A$ 时，$T{vj}=25^{circ}C$ 为 $2.6mΩ$，$T{vj}=175^{circ}C$ 为 $4.6mΩ$。
• 栅极阈值电压：$V{GS}=V{DS}$，$I_{D}=150mA$ 时，典型值为 $2.1V$，最大值为 $3.2V$。

体二极管特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的条件下，体二极管具有以下特性：

• 二极管正向电压：$V{GS}=-5V$，$I{SD}=400A$ 时，$T{vj}=25^{circ}C$ 为 $3.8V$，$T{vj}=175^{circ}C$ 为 $3.3V$。
• 反向恢复能量：$I{SD}=400A$，$V{R}=800V$，$V{GS}=-5V$，$L{s}=17nH$，$R{g.on}=3Ω$ 时，$T{vj}=25^{circ}C$ 为 $0.4mJ$，$T_{vj}=175^{circ}C$ 为 $2.1mJ$。

NTC传感器特性

在 $T_{vj}=25^{circ}C$ 的条件下，NTC传感器具有以下特性：

• 25°C 电阻：$R_{25}$ 未给出具体值。
• 100°C 电阻偏差：$T{c}=100^{circ}C$，$R{100}=877Ω$ 时，偏差为 $pm3%$。
• 功率耗散：$T_{c}=25^{circ}C$ 时为 $125mW$。
• B 值：典型值为 $3610K$，偏差为 $pm1%$。

热特性

• FET 结到外壳热阻：典型值为 $0.025^{circ}C/W$，最大值为 $0.028^{circ}C/W$。
• FET 结到流体热阻：$10L/min$，$65^{circ}C$，$50/50$ EGW，使用参考散热器时为 $0.11^{circ}C/W$。

机械尺寸

该模块采用AHPM15 - CDI汽车模块外壳，其机械尺寸如下：	DIM	MILLIMETERS
MIN.	NOM.	MAX.
A1	15.55	15.85	16.15
A2	3.20	3.40	3.60
A3	1.70	2.05
A4			19.15
b	16.50	16.60	16.70
b1	15.20	15.30	15.40
b2		1.00
	0.50 REF
C	0.70	0.60	0.90
D	54.80
D2	50.40	51.00	51.60
E		55.00	55.20
E1		3.50	3.75
	40.40	41.00	41.60
E3	49.40	49.60	49.80
E4	61.50	62.00	62.50
6	10.00	10.30	10.60
	11.15	11.45
e2	2.40 BSC
e3	4.20 BSC
84	4.20	4.50	4.80
L	13.00	13.40
L1	3.10	3.50	3.90
L2
L3	10.00 REF
M	10° REF

总结

NVVR26A120M1WSS碳化硅模块凭借其低电阻、低电感、高可靠性和宽温度范围等特性，成为汽车牵引逆变器的理想选择。电子工程师在设计相关系统时，可以充分考虑该模块的优势，以提高系统的性能和可靠性。同时，在使用过程中，要严格按照其电气特性和绝对最大额定值进行设计，确保模块的正常运行。大家在实际应用中是否遇到过类似模块的问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。