安森美SiC模块：xEV车载充电器的理想之选

在电动汽车（xEV）快速发展的今天，车载充电器（OBC）等关键部件对功率模块的性能、可靠性和紧凑性提出了更高要求。安森美（onsemi）推出的NVXK2TR40WXT碳化硅（SiC）模块，属于APM32系列，为xEV应用的OBC提供了出色的解决方案。下面我们就来详细了解一下这款模块。

文件下载：NVXK2TR40WXT-D.PDF

产品概述

NVXK2TR40WXT是一款DIP封装的碳化硅H桥功率模块，专为xEV应用的车载充电器设计。它具有1200V的耐压能力，最大连续漏极电流为55A，导通电阻为40mΩ（典型值），采用双半桥结构，具备诸多优秀特性。

产品特性

电气性能优越

• 高耐压与低电阻：模块的漏源击穿电压V(BR)DSS为1200V，在VGS = 20V、ID = 35A、TJ = 25°C的条件下，漏源导通电阻RDS(on)典型值为40mΩ，即使在TJ = 175°C时，RDS(on)也仅为71mΩ，能有效降低导通损耗。
• 良好的开关特性：其在电感负载下的开关特性表现出色，虽然文档未详细给出具体的开关时间参数，但从整体设计来看，能满足快速开关的需求，减少开关损耗。

安全与可靠性高

• 符合多项标准：该模块满足IEC 60664 - 1、IEC 60950 - 1的爬电距离和电气间隙要求，符合AEC - Q101和AQG324汽车级标准，还具备无铅、ROHS和UL94V - 0合规性，确保了在汽车环境中的安全性和可靠性。
• 模块序列化：支持模块序列化，实现了全追溯性，方便在生产和售后过程中进行质量管控和问题排查。

紧凑设计

采用紧凑设计，降低了模块的总电阻，有助于提高功率密度，减小系统体积，适应xEV对空间的严格要求。

引脚配置与内部电路

模块的引脚配置清晰，包含多个功能引脚，如中间直流母线正负极引脚（P1、N1、P2、N2）、栅极引脚（G1 - G4）、源极引脚（S1 - S4）、相输出引脚（PH1、PH2）以及负温度系数热敏电阻引脚（NTC1、NTC2）等。内部等效电路为SiC MOSFET H桥结构，方便工程师进行电路设计和应用。

典型应用

该模块主要应用于xEV的DC - DC和车载充电器中。在车载充电器中，其高耐压、低电阻和良好的开关特性能够提高充电效率，减少发热，从而提升整个充电系统的性能和可靠性。

电气与热特性

电气特性

• 关断特性：在VGS = 0V、ID = 1mA时，漏源击穿电压V(BR)DSS为1200V，且其温度系数为450mV/°C。零栅压漏极电流IDSS在TJ = 25°C时为100μA，TJ = 175°C时为1mA。
• 导通特性：栅极阈值电压VGS(TH)在VGS = VDS、ID = 10mA时，典型值为3V，推荐栅极电压VGOP为 - 5V到 + 20V。
• 其他特性：还给出了电荷、电容、栅极电阻等相关参数，如输入电容CISS为1789pF等。

热特性

模块的热阻参数表现良好，热阻结到壳RθJC典型值为0.37°C/W，最大值为0.47°C/W；热阻结到散热器RΨJS典型值为0.84°C/W，最大值为0.95°C/W，有助于热量的散发，保证模块在工作时的稳定性。

思考与总结

安森美NVXK2TR40WXT碳化硅模块凭借其优越的电气性能、高可靠性和紧凑设计，为xEV车载充电器等应用提供了一个优秀的解决方案。对于电子工程师来说，在设计xEV相关的功率电路时，这款模块是一个值得考虑的选择。但在实际应用中，还需要根据具体的设计要求和工作条件，对模块的各项参数进行进一步的评估和验证，以确保系统的性能和可靠性。大家在使用这款模块时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。