解析 onsemi NVVR26A120M1WSS：碳化硅模块的卓越之选

在当今电子技术飞速发展的时代，碳化硅（SiC）技术以其独特的优势在功率电子领域崭露头角。onsemi 的 NVVR26A120M1WSS 作为一款应用于牵引逆变器的 EliteSiC 功率模块，凭借其高性能、高可靠性等特点，成为众多工程师关注的焦点。今天，我们就来深入剖析这款模块的各项特性。

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产品概述

NVVR26A120M1WSS 属于 EliteSiC 功率模块系列，该系列是高移动性化合物半导体产品家族的一部分。它在性能、效率和功率密度方面表现出色，并且采用了高度兼容的封装解决方案。模块集成了 1200V SiC MOSFET，采用半桥配置，为了提高可靠性和热性能，还应用了烧结技术进行芯片连接，同时该模块满足 AQG324 标准。

产品特性

超低电阻与低杂散电感

• 超低 $R_{DS(on)}$：这一特性使得模块在导通状态下的电阻极低，能够有效降低功率损耗，提高能源转换效率。
• 超低杂散电感：杂散电感仅约 7.1 nH，这有助于减少开关过程中的电压尖峰和电磁干扰，提高系统的稳定性和可靠性。

高可靠性设计

• 氮化铝隔离器：采用氮化铝隔离基板，具有良好的绝缘性能和热导率，能够有效隔离高压电路，提高模块的安全性。
• 烧结芯片技术：通过烧结技术进行芯片连接，能够提高芯片与基板之间的连接强度和热传导性能，增强模块的可靠性和稳定性。

宽工作温度范围

模块的工作结温范围为 -40 至 175°C，存储温度范围为 -40 至 125°C，能够适应各种恶劣的工作环境。

汽车级标准

该模块采用汽车级 SiC MOSFET 芯片技术，并且符合 AQG324 标准，具备 PPAP 能力，适用于汽车电子领域的严格要求。

引脚配置与功能

NVVR26A120M1WSS 模块共有 15 个引脚，每个引脚都有其特定的功能：	Pin No.	Pin Name	Pin Functional Description
1	N	负电源端子
2	P	正电源端子
3	D1	高端 MOSFET (Q1) 漏极感应
4	N/C	无连接
5	S1	高端 MOSFET (Q1) 源极
6	G1	高端 MOSFET (Q1) 栅极
7	N/C	无连接
8	N/C	无连接
9	AC	相位输出
10	NTC1	NTC1
11	S2	低端 MOSFET (Q2) 源极
12	G2	低端 MOSFET (Q2) 栅极
13	NTC2	NTC2
14	NTC_COM	NTC 公共端
15	D2	低端 MOSFET (Q2) 漏极感应

电气与热特性

电气特性

• 导通电阻：在 $V_{GS}=20V$，$ID = 400A$，$T{vj}= 25°C$ 时，$R{DS(ON)}$ 典型值为 2.6 mΩ；在 $T{vj}= 175°C$ 时，典型值为 4.6 mΩ。
• 栅极阈值电压：$V_{GS(TH)}$ 典型值为 2.1 V，最大值为 3.2 V。
• 跨导：$g_{fs}$ 典型值为 170 S。
• 开关损耗：在不同工作条件下，模块的开关损耗表现良好，如在 $I{DS} = 400 A$，$V{DS}=800V$ 等条件下，$E{ON}$ 典型值为 26 mJ（$T{vj}=25°C$）和 28 mJ（$T{vj}= 175°C$），$E{OFF}$ 典型值为 14 mJ（$T{vj}=25°C$）和 17 mJ（$T{vj}= 175°C$）。

热特性

• 结到外壳热阻：$R_{th,J - C}$ 典型值为 0.028 °C/W。
• 结到流体热阻：在 10 L/min，65°C，50/50 EGW，参考散热器条件下，$R_{th,J - F}$ 典型值为 0.11 °C/W。

应用领域

该模块主要应用于汽车电动/混合动力汽车（EV/HEV）的牵引逆变器中，能够为汽车的动力系统提供高效、可靠的功率转换解决方案。

总结

onsemi 的 NVVR26A120M1WSS 碳化硅功率模块以其超低电阻、低杂散电感、高可靠性和宽工作温度范围等特性，为汽车电子领域的牵引逆变器应用提供了优秀的解决方案。在实际设计中，工程师们可以根据模块的电气和热特性，合理选择驱动电路和散热方案，以充分发挥模块的性能优势。大家在使用这款模块时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的设计思路呢？欢迎在评论区分享交流。