探索NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2：APM16系列H桥模块的卓越性能

在电动汽车（EV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的车载充电器（OBC）领域，NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2这两款来自APM16系列的H桥模块正崭露头角。下面，我们就来深入了解一下它们的特点、应用、电气特性等方面的内容。

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产品特点

封装与隔离优势

这两款模块采用SIP或DIP封装，适用于EV或PHEV的OBC。其5 kV/1 sec电气隔离基板，不仅符合IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1标准，还能轻松满足爬电距离和电气间隙要求，在组装时提供了极大的便利。

紧凑设计与可追溯性

紧凑的设计使得模块的总电阻较低，有助于提高效率。同时，模块支持序列化，可实现全追溯，方便质量管控和故障排查。

环保与资质认证

产品符合Pb - Free、RoHS和UL94V - 0标准，并且通过了AEC Q101和AQG324汽车级认证，具备高可靠性和安全性，可放心应用于汽车环境。

应用领域

NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2主要应用于EV或PHEV的车载充电器中的DC - DC转换器。它们能够助力设计出小型、高效且可靠的系统，从而降低车辆的燃油消耗和(CO_{2})排放。此外，简化的组装过程、优化的布局、高度集成以及出色的热性能，也是该模块在应用中的显著优势。

订购信息

型号	封装	引脚成型	内部缓冲电容	DBC材料	无铅和RoHS合规	工作温度范围	包装方式
NXV65HR51DZ1	APM16 - CAA	Y形	无	(Al{2}O{3})	是	-40 °C ~ 125 °C	管装
NXV65HR51DZ2	APM16 - CAB	L形	无	(Al{2}O{3})	是	-40 °C ~ 125 °C	管装

引脚配置与描述

该模块共有16个引脚，每个引脚都有其特定的功能：	引脚编号	引脚名称	引脚描述
1, 2	AC1	H桥的第一相支路
3	Q1 Sense	Q1的源极感应
4	Q1 Gate	Q1的栅极端子
5, 6	B+	正电池端子
7, 8	B−	负电池端子
9	Q2 Sense	Q2的源极感应
10	Q2 Gate	Q2的栅极端子
11	Q4 Sense	Q4的源极感应
12	Q4 Gate	Q4的栅极端子
13	Q3 Sense	Q3的源极感应
14	Q3 Gate	Q3的栅极端子
15, 16	AC2	H桥的第二相支路

电气特性

绝对最大额定值

在(T_{J}=25^{circ}C)（除非另有说明）的条件下，模块的各项绝对最大额定值如下：	符号	参数	最大值	单位
(V_{DS}(Q1~Q4))	漏源电压	650	V
(V_{GS}(Q1~Q4))	栅源电压	± 20	V
(I_{D}(Q1~Q4))	连续漏极电流（(T{C}=25^{circ}C)，(V{GS}=10V)）	33	A
(I_{D}(Q1~Q4))	连续漏极电流（(T{C}=100^{circ}C)，(V{GS}=10V)）	21	A
(E_{AS}(Q1~Q4))	单脉冲雪崩能量	623	mJ
(P_{D})	功率耗散	135	W
(T_{J})	最大结温	-55 to +150	°C
(T_{C})	最大壳温	-40 to +125	°C
(T_{STG})	存储温度	-40 to +125	°C

电气规格

在(T_{J}=25^{circ}C)（除非另有说明）的条件下，模块的电气规格如下：	符号	参数	条件	最小值	典型值	最大值	单位
(BVDSS)	漏源击穿电压	(I{D}=1 mA)，(V{GS}=0 V)	650			V
(VGS(th))	栅源阈值电压	(VGS = VDS)，(I_{D}=3.3 mA)	3.0		5.0	V
(RDS(ON))	Q1 - Q4 MOSFET导通电阻	(V{GS}=10 V)，(I{D}=20 A)		44	51	mΩ
(RDS(ON))	Q1 - Q4 MOSFET导通电阻	(V{GS}=10 V)，(I{D}=20 A)，(T_{J}=125^{circ}C)		79		mΩ
	正向跨导	(V{DS}=20 V)，(I{D}=20 A)		30		S
(IGSS)	栅源泄漏电流	(V{GS}= pm 20 V)，(V{DS}=0 V)	-100		+100	nA
(loss)	漏源泄漏电流	(V{DS}=650 V)，(V{GS}=0 V)			10	μA

动态特性

符号	参数	条件	典型值	单位
(Ciss)	输入电容	(V{DS}=400 V)，(V{GS}=0V)，(f = 1 MHz)	4864	pF
(Coss)	输出电容			pF
(Crss)	反馈电容		16	pF
(Coss(eff))	有效输出电容	(V_{GS}=0V)
(Rg)	栅极电阻	(f = 1 MHz)	2	Ω
(Qg(tot))	总栅极电荷	(V_{DS}=380 V)	123	nC
(Qgs)	栅源栅极电荷	(I{D}=20 A)，(V{GS}=0 to 10V)	37.5	nC
(Qgd)	栅漏“米勒”电荷		49	nC

开关特性

符号	参数	条件	典型值	单位
(ton)	导通时间	(V_{DS}=400 V)	87	ns
(td(on))	导通延迟时间	(I_{D}=20 A)	47	ns
(tr)	导通上升时间		43	ns
(toff)	关断时间			ns
(td(off))	关断延迟时间		118	ns
(tf)	关断下降时间			ns

体二极管特性

符号	参数	条件	典型值	单位
(VSD)	源漏二极管电压	(delta{SD}=20 A)，(delta{GS}=0 V)	0.95	V
(T)	反向恢复时间	(V{DS}=520 V)，(I{D}=20 A)	133	ns
(Qm)	反向恢复电荷	(d{1} / d{t}=100 A / μs)	669	nC

热阻与隔离特性

热阻

参数	最小值	典型值	最大值	单位
(R_{theta JC})（每芯片）	-	0.66	0.92	°C/W
(R_{theta JS})（每芯片）	-	1.2	-	°C/W

隔离特性

在(V_{AC}=5 kV)，60 Hz的测试条件下，模块的隔离电阻大于100MΩ。

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括归一化功率耗散与壳温的关系、最大连续(I_{D})与壳温的关系、传输特性、正向二极管特性等。这些曲线有助于工程师更好地了解模块在不同条件下的性能表现，从而进行更合理的设计。

总结

NXV65HR51DZ1和NXV65HR51DZ2模块凭借其出色的特点、广泛的应用领域以及优秀的电气和热性能，为EV和PHEV的车载充电器设计提供了可靠的解决方案。在实际应用中，工程师们可以根据具体需求，参考这些特性和参数，进行合理的选型和设计。大家在使用过程中，有没有遇到过类似模块的其他问题呢？欢迎在评论区分享交流。