探索APM16系列H桥在LLC和移相DC - DC转换器中的应用
在电动汽车(EV)和插电式混合动力汽车(PHEV)的车载充电器(OBC)领域,电源模块的性能和可靠性至关重要。今天,我们就来深入了解一下安森美(ON Semiconductor)的NXV65HR82DS1、NXV65HR82DS2、NXV65HR82DZ1和NXV65HR82DZ2这几款用于LLC和移相DC - DC转换器的H桥电源模块。
文件下载:NXV65HR82D-D.PDF
一、产品特性
1. 封装与隔离设计
这些模块采用SIP或DIP封装,专为EV或PHEV的OBC设计。其5 kV/1 s电气隔离基板便于组装,并且满足IEC60664 - 1和IEC 60950 - 1标准的爬电距离和电气间隙要求。紧凑的设计降低了模块的总电阻,有助于提高效率。
2. 可追溯性与合规性
模块支持序列化,实现了完全可追溯性。同时,它们符合无铅、RoHS和UL94V - 0标准,并且通过了AEC Q101和AQG324汽车级认证,确保了在汽车环境中的可靠性。
二、应用领域
主要应用于EV或PHEV的车载充电器的DC - DC转换器。使用这些模块可以设计出小型、高效且可靠的系统,有助于降低车辆的燃油消耗和二氧化碳排放。同时,简化的组装、优化的布局、高度集成和改进的热性能也是其显著优势。
三、引脚配置与框图
1. 引脚描述
| Pin Number | Pin Name | Pin Description |
|---|---|---|
| 1, 2 | AC1 | Phase 1 Leg of the H - Bridge |
| 3 | Q1 Sense | Source Sense of Q1 |
| 4 | Q1 Gate | Gate Terminal of Q1 |
| 5, 6 | B+ | Positive Battery Terminal |
| 7, 8 | B− | Negative Battery Terminal |
| 9 | Q2 Sense | Source Sense of Q2 |
| 10 | Q2 Gate | Gate Terminal of Q2 |
| 11 | Q4 Sense | Source Sense of Q4 |
| 12 | Q4 Gate | Gate Terminal of Q4 |
| 13 | Q3 Sense | Source Sense of Q3 |
| 14 | Q3 Gate | Gate Terminal of Q3 |
| 15, 16 | AC2 | Phase 2 Leg of the H - Bridge |
2. 框图
通过提供的原理图,我们可以清晰地看到模块的内部结构和信号流向,这对于理解模块的工作原理和进行电路设计非常有帮助。
四、电气特性
1. 绝对最大额定值
| Symbol | Parameter | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| V DS (Q1~Q4) | Drain - to - Source Voltage | 650 | V |
| V GS (Q1~Q4) | Gate - to - Source Voltage | ± 20 | V |
| I D (Q1~Q4) | Drain Current Continuous (T C = 25 ° C, V GS = 10 V) (Note 1) | 26 | A |
| Drain Current Continuous (T C = 100 ° C, V GS = 10 V) (Note 1) | 17 | A | |
| P D | Power Dissipation (Note 1) | 126 | W |
| T J | Maximum Junction Temperature | −55 to +150 | ° C |
| T C | Maximum Case Temperature | −40 to +125 | ° C |
| T STG | Storage Temperature | −40 to +125 | ° C |
需要注意的是,超过这些最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
2. 单脉冲雪崩能量
| Symbol | Parameter | Max | Unit |
|---|---|---|---|
| E AS (Q1~Q4) | Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) | 510 | mJ |
| E AS (Q1~Q4) | Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2) | 21 | mJ |
| I AS | Avalanche Current | 4.8 | A |
3. 其他电气参数
包括MOSFET的导通电阻、跨导、泄漏电流等参数,这些参数对于评估模块的性能和进行电路设计至关重要。例如,Q1 - Q4 MOSFET的导通电阻在不同条件下有不同的值,这会影响模块的功率损耗和效率。
五、热阻与隔离特性
1. 热阻
| Parameters | Min | Typ | Max | Unit | |
|---|---|---|---|---|---|
| R θ JC (per chip) | Q1~Q4 Thermal Resistance Junction - to - Case (Note 5) | − | 0.7 | 0.99 | ° C/W |
| R θ JS (per chip) | Q1~Q4 Thermal Resistance Junction - to - Sink (Note 6) | − | 1.32 | − | ° C/W |
良好的热阻特性有助于模块在工作过程中有效地散热,保证其稳定性和可靠性。
2. 隔离特性
在5 kV、50 Hz的交流电压下,模块的隔离电阻为100MΩ,这表明其具有良好的电气隔离性能,能够保证系统的安全性。
六、典型特性
文档中提供了一系列典型特性曲线,如归一化功率耗散与外壳温度的关系、最大连续电流与外壳温度的关系等。这些曲线可以帮助工程师更好地了解模块在不同工作条件下的性能,从而进行合理的设计和应用。
七、订购信息
| Part Number | Package | Lead Forming | Snubber Capacitor Inside | DBC Material | Pb - Free and RoHS Compliant | Operating Temperature (T A ) | Packing Method |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXV65HR82DS1 | APM16 - CAA | Y - Shape | Yes | Al 2 O 3 | Yes | −40 ° C~125 ° C | Tube |
| NXV65HR82DS2 | APM16 - CAB | L - Shape | Yes | Al 2 O 3 | Yes | −40 ° C~125 ° C | Tube |
| NXV65HR82DZ1 | APM16 - CAA | Y - Shape | No | Al 2 O 3 | Yes | −40 ° C~125 ° C | Tube |
| NXV65HR82DZ2 | APM16 - CAB | L - Shape | No | Al 2 O 3 | Yes | −40 ° C~125 ° C | Tube |
工程师可以根据自己的需求选择合适的型号。
八、总结
安森美NXV65HR82系列H桥电源模块在EV和PHEV的车载充电器DC - DC转换器应用中具有诸多优势,包括良好的电气性能、热性能和可靠性。在设计过程中,工程师需要充分考虑模块的各种特性和参数,结合实际应用需求进行合理的选择和设计。大家在实际应用中有没有遇到过类似模块的问题呢?欢迎在评论区分享交流。
-
车载充电器
+关注
关注
2文章
277浏览量
25013
发布评论请先 登录
探索APM16系列H桥在LLC和移相DC - DC转换器中的应用
评论