0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

功率IGBT的新选择:AFGHL40T120RW深度解析

lhl545545 2026-04-23 15:25 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

功率IGBT的新选择:AFGHL40T120RW深度解析

作为电子工程师,在设计过程中,选择合适的功率器件至关重要。今天就给大家介绍一款安森美(onsemi)的单通道N沟道IGBT——AFGHL40T120RW,它在汽车应用领域有着出色的表现。

文件下载:AFGHL40T120RW-D.PDF

产品概述

AFGHL40T120RW采用TO - 247 3 - 引脚封装,运用了新颖的场截止第7代IGBT技术。这种技术使得该器件在汽车应用的硬开关和软开关拓扑中,能以低导通态电压和最小的开关损耗实现最佳性能。

产品特性

高效技术

它采用了极其高效的沟槽场截止技术,这一技术是其高性能的关键。这种技术不仅能降低导通损耗,还能提升开关速度,从而提高整个系统的效率。

高结温承受能力

最大结温 (T_{J}=175^{circ} C),这意味着它能够在高温环境下稳定工作,适应汽车应用中复杂的温度条件。

短路保护与低饱和电压

具备短路额定能力,同时饱和电压较低。当电路出现短路情况时,能够快速响应并保护自身,低饱和电压则有助于降低功耗。

快速开关与参数一致性

开关速度快,并且参数分布紧凑。快速开关可以减少开关损耗,提高系统的工作频率;参数的一致性则保证了产品在批量应用中的稳定性。

汽车级认证

通过了AEC - Q101认证,并且可根据要求提供生产件批准程序(PPAP)文件。这表明该产品符合汽车行业的严格标准,能够可靠地应用于汽车电子系统中。

环保特性

该器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并且符合RoHS标准,符合环保要求。

应用领域

汽车电子压缩机

在汽车电子压缩机中,AFGHL40T120RW能够以高效的性能驱动压缩机,降低功耗,提高系统的整体效率。

汽车电动汽车PTC加热器

对于电动汽车的PTC加热器,它可以提供稳定的功率输出,确保加热器的正常工作。

车载充电机(OBC)

在车载充电机中,该器件能够高效地进行功率转换,提高充电效率。

关键参数

最大额定值

参数 符号 单位
集电极 - 发射极电压 (V_{CE}) 1200 V
瞬态栅极 - 发射极电压 (V_{GE}) ±30 V
集电极电流((T_{C}=25^{circ}C)) (I_{C}) 80 A
集电极电流((T_{C}=100^{circ}C)) (I_{C}) 40 A
功率耗散((T_{C}=25^{circ}C)) (P_{D}) 652 W
功率耗散((T_{C}=100^{circ}C)) (P_{D}) 326 W
电流((T{C}=25^{circ}C),(t{p}=10 mu s)) (I_{CM}) 120 A
短路耐受时间((V{GE}=15 V),(V{CC}=800 V),(T_{C}=150^{circ}C)) (T_{SC}) 6 (mu s)
工作结温和存储温度范围 (T{J}),(T{stg}) -55 至 +175 °C
焊接用引脚温度 (T_{L}) 260 °C

热特性

参数 符号 单位
IGBT结到壳的热阻 (R_{BC}) 0.23
结到环境的热阻 (R_{UA}) 40

电气特性

关断特性

  • 集电极 - 发射极击穿电压 (B{VCES}):(V{GE} = 0 V),(I_{C} = 1 mA) 时为 1200 V。
  • 零栅极电压集电极电流 (I{CES}):(V{GE} = 0 V),(V{CE} = V{CES}) 时为 40 A。
  • 栅极 - 发射极泄漏电流 (I{GES}):(V{GE} = pm20 V),(V_{CE} = 0 V) 时为 (pm400 nA)。

导通特性

  • 栅极 - 发射极阈值电压 (V{GE(th)}):(V{GE} = V{CE}),(I{C} = 40 mA) 时,典型值为 5.88 V,范围在 4.98 - 6.78 V。
  • 集电极 - 发射极饱和电压 (V{CE(sat)}):(V{GE} = 15 V),(I{C} = 40 A),(T{J} = 25^{circ}C) 时,典型值为 1.45 V,最大值为 1.78 V;(T_{J} = 175^{circ}C) 时,典型值为 1.75 V。

动态特性

  • 输入电容 (C{IES}):(V{CE} = 30 V),(V_{GE} = 0 V),(f = 1 MHz) 时为 4717 pF。
  • 输出电容 (C_{OES}):值为 144 pF。
  • 反向传输电容 (C_{RES}):值为 24.5 pF。
  • 总栅极电荷 (Q{G}):(V{CE} = 600 V),(V{GE} = 15 V),(I{C} = 40 A) 时为 171 nC。
  • 栅极 - 发射极电荷 (Q_{GE}):值为 42.2 nC。
  • 栅极 - 集电极电荷 (Q_{GC}):值为 73.7 nC。

开关特性(感性负载,Si二极管应用)

不同条件下的开关时间和开关损耗数据较为丰富,例如在 (V{CE}=600 V),(I{C} = 20 A) 时,开通延迟时间 (t{d(on)}) 为 293 ns,关断延迟时间 (t{d(off)}) 为 414 ns 等。这些数据对于工程师在设计电路时评估开关性能非常重要。

封装与订购信息

该器件采用TO - 247 - 3L(无铅)封装,每管装 30 个。其引脚连接和标记图都有明确的说明,方便工程师进行焊接和识别。

总结

AFGHL40T120RW凭借其先进的技术、出色的性能和广泛的应用领域,为电子工程师在汽车电子设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中,我们需要根据具体的电路要求和工作条件,合理选择和使用该器件,以充分发挥其优势。大家在使用过程中,有没有遇到过类似器件的应用难题呢?欢迎在评论区分享交流。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 汽车应用
    +关注

    关注

    0

    文章

    410

    浏览量

    17489
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    安森美AFGHL40T65SQD:汽车应用中的IGBT解决方案

    安森美AFGHL40T65SQD:汽车应用中的IGBT解决方案 在汽车电子领域,功率器件的性能对整个系统的效率和可靠性起着关键作用。安森美(onsemi)推出的AFGHL40T65SQ
    的头像 发表于 04-23 14:50 59次阅读

    解析onsemi AFGHL50T65SQ:高性能场截止沟槽IGBT的卓越表现

    解析onsemi AFGHL50T65SQ:高性能场截止沟槽IGBT的卓越表现 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)一直是功率电子应
    的头像 发表于 04-23 14:50 81次阅读

    安森美AFGHL50T65SQDC混合IGBT深度解析

    安森美AFGHL50T65SQDC混合IGBT深度解析 在电子设备追求高效、高功率密度和可靠性的今天,
    的头像 发表于 04-23 14:50 64次阅读

    onsemi AFGHL40T65RQDN IGBT:汽车应用的理想之选

    onsemi AFGHL40T65RQDN IGBT:汽车应用的理想之选 在汽车电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)的性能对系统的效率和可靠性起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一下安森美
    的头像 发表于 04-23 15:00 81次阅读

    安森美 AFGHL40T65SQ IGBT:汽车应用的理想之选

    安森美 AFGHL40T65SQ IGBT:汽车应用的理想之选 在电子工程的广袤领域中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为一种至关重要的功率半导体器件,广泛应用于各类电力电子设备。今天
    的头像 发表于 04-23 15:00 62次阅读

    安森美AFGHL40T65SPD:高效IGBT的卓越之选

    安森美AFGHL40T65SPD:高效IGBT的卓越之选 在电子工程师的设计世界里,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力电子领域的关键器件,广泛应用于各种功率转换和控制电路中。今天,我
    的头像 发表于 04-23 15:00 98次阅读

    深入解析 AFGHL40T120RWD - STD:汽车应用的理想 IGBT 方案

    深入解析 AFGHL40T120RWD - STD:汽车应用的理想 IGBT 方案 在电子工程师的日常设计工作中,为特定应用选择合适的功率
    的头像 发表于 04-23 15:05 95次阅读

    onsemi AFGHL40T120RWD IGBT器件解析

    onsemi AFGHL40T120RWD IGBT器件解析 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,广
    的头像 发表于 04-23 15:05 65次阅读

    onsemi AFGHL25T120RW IGBT器件深度剖析

    onsemi AFGHL25T120RW IGBT器件深度剖析 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是功率电子设备中至关重要的元件
    的头像 发表于 04-23 15:20 92次阅读

    安森美AFGHL40T120RW-STD IGBT:汽车应用的高效之选

    安森美AFGHL40T120RW-STD IGBT:汽车应用的高效之选 在电子工程师的设计工作中,选择合适的功率器件至关重要。安森美(onsemi)的
    的头像 发表于 04-23 15:20 97次阅读

    onsemi AFGHL25T120RWD IGBT器件深度解析

    onsemi AFGHL25T120RWD IGBT器件深度解析 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是
    的头像 发表于 04-23 15:20 100次阅读

    安森美AFGH4L60T120RW-STD IGBT:汽车应用的高效解决方案

    安森美AFGH4L60T120RW-STD IGBT:汽车应用的高效解决方案 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,广泛应用于各种电力电子设备中。
    的头像 发表于 04-23 15:30 87次阅读

    onsemi AFGH4L25T120RW IGBT:汽车应用的高效解决方案

    onsemi AFGH4L25T120RW IGBT:汽车应用的高效解决方案 在电子工程领域,功率器件的性能对于汽车等行业的应用至关重要。今天,我们来深入了解一下 onsemi 推出
    的头像 发表于 04-23 15:55 83次阅读

    安森美AFGH4L40T120RW IGBT:汽车应用的理想之选

    安森美AFGH4L40T120RW IGBT:汽车应用的理想之选 在电子工程师的日常设计工作中,功率半导体器件的选择至关重要,它直接影响到产品的性能、效率和可靠性。今天,我们就来深入了
    的头像 发表于 04-23 15:55 80次阅读

    安森美AFGH4L40T120RW-STD IGBT深度解析:汽车应用的理想之选

    安森美AFGH4L40T120RW-STD IGBT深度解析:汽车应用的理想之选 在当今汽车电子技术飞速发展的时代,功率半导体器件的性能对汽
    的头像 发表于 04-23 15:55 85次阅读