onsemi FDMC3612和FDMC3612 - L701 MOSFET深度解析

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们就来深入了解一下安森美（onsemi）的FDMC3612和FDMC3612 - L701这两款N沟道MOSFET。

文件下载：FDMC3612-D.PDF

产品概述

FDMC3612和FDMC3612 - L701采用了安森美先进的POWERTRENCH工艺，该工艺经过特别优化，能够在降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能。这种特性使得它们在众多应用场景中都能发挥出色的表现。

产品特性

低导通电阻

在 $V{GS}=10 V$，$I{D}=3.3 A$ 的条件下，$Max r{DS(on)}=110 mOmega$；在 $V{GS}=6 V$，$I{D}=3.0 A$ 时，$Max r{DS(on)}=122 mOmega$。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，从而提高了电路的效率。这对于一些对功耗敏感的应用，如DC - DC转换电路，尤为重要。

低外形封装

采用Power 33封装，最大高度仅为1 mm，这种低外形设计使得器件在空间受限的应用中具有很大的优势，例如一些小型化的电子产品。

100% UIL测试

经过100%的非钳位感性负载（UIL）测试，这保证了器件在感性负载应用中的可靠性和稳定性。在实际应用中，感性负载是比较常见的，如电机驱动等场景，经过UIL测试的MOSFET能够更好地应对感性负载带来的冲击。

环保特性

这些器件为无铅产品，并且符合RoHS标准，这符合当前环保的要求，也使得产品在市场上更具竞争力。

产品应用

DC - DC转换

在DC - DC转换电路中，FDMC3612和FDMC3612 - L701的低导通电阻特性可以有效降低电路的功耗，提高转换效率。同时，其出色的开关性能也能够满足DC - DC转换电路对快速开关的要求。

PSE开关

在以太网供电（PoE）系统中，PSE（供电设备）开关需要具备良好的性能和可靠性。FDMC3612和FDMC3612 - L701能够很好地满足PSE开关的需求，确保PoE系统的稳定运行。

电气参数

最大额定值

符号	参数	条件	额定值	单位
$V_{DS}$	漏源电压		100	V
$V_{GS}$	栅源电压		± 20	V
$I_{D}$	漏极电流	连续（$T_{C}=25^{circ} C$）	12	A
	连续（$T_{A}=25^{circ} C$）		3.3	A
	脉冲		15	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量		32	mJ
$P_{D}$	功率耗散	（$T_{C}=25^{circ} C$）	35	W
	功率耗散（$T_{A}=25^{circ} C$）		2.3	W
$T{J}, T{STG}$	工作和存储结温范围		-55 to + 150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 $B{V{DSS}}$：在 $I{D}=250 mu A$，$V{GS}=0 V$ 时，最小值为100 V。
• 击穿电压温度系数：在 $I_{D}=250 mu A$ 时，参考25°C，为109 mV/°C。
• 零栅压漏极电流 $I{DSS}$：在 $V{DS}=80 V$，$V_{GS}=0 V$ 时，最大值为1 μA。
• 栅源泄漏电流 $I{GSS}$：在 $V{GS}=±20 V$，$V_{DS}=0 V$ 时，最大值为±100 nA。

导通特性

• 栅源阈值电压 $V{GS(th)}$：在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 mu A$ 时，最小值为2.0 V，典型值为2.5 V，最大值为4.0 V。其温度系数在 $I_{D}=250 mu A$ 时，参考25°C，为 -7 mV/°C。
• 静态漏源导通电阻 $r{DS(on)}$：在不同的 $V{GS}$ 和 $I{D}$ 条件下有不同的值，例如在 $V{GS}=10 V$，$I_{D}=3.3 A$ 时，典型值为92 mΩ，最大值为110 mΩ。

动态特性

• 反馈电容 $C_{rss}$：典型值为1.3 pF。

开关特性

• 上升时间：典型值为19 ns。
• 总栅极电荷 $Q{g(TOT)}$：在 $V{GS}=0 V$ 到 $10 V$，$V{DD}=50 V$，$I{D}=3.3 A$ 时，典型值为7.9 nC。

漏源二极管特性

• 正向电压 $V{SD}$：在 $I{F}=3.3 A$，$di / dt = 100 A / mu s$ 时，典型值为0.77 V。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线对于我们了解器件在不同条件下的性能非常有帮助。例如，导通电阻与漏极电流、栅极电压以及结温的关系曲线，能够帮助我们在不同的工作条件下选择合适的参数，以确保器件的性能和可靠性。

封装与订购信息

封装

采用WDFN8 3.3x3.3, 0.65P封装，这种封装具有良好的散热性能和电气性能，同时也便于安装和焊接。

订购信息

器件	器件标记	封装类型	卷盘尺寸	胶带宽度	包装数量
FDMC3612	FDMC3612	WDFN8 3.3x3.3, 0.65P	13”	12 mm	3000 / 带盘
FDMC3612 - L701	FDMC3612	WDFN8 3.3x3.3, 0.65P	13”	12 mm	3000 / 带盘

总结

FDMC3612和FDMC3612 - L701是两款性能出色的N沟道MOSFET，具有低导通电阻、低外形封装、高可靠性等优点，适用于DC - DC转换、PSE开关等多种应用场景。在实际设计中，我们可以根据具体的需求，参考其电气参数和典型特性曲线，合理选择和使用这两款器件。你在使用MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。