深入解析 onsemi FDMC7200S 双 N 沟道 MOSFET

引言

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天我们来详细探讨 onsemi 公司的 FDMC7200S 双 N 沟道 MOSFET，它在移动计算和移动互联网设备等领域有着广泛的应用。

文件下载：FDMC7200S-D.pdf

产品概述

FDMC7200S 采用双 Power 33（3 mm x 3 mm MLP）封装，内部集成了两个专门的 N 沟道 MOSFET。其开关节点内部连接，方便同步降压转换器的布局和布线。控制 MOSFET（Q1）和同步 MOSFET（Q2）经过精心设计，以提供最佳的功率效率。

产品特性

低导通电阻

• Q1：在 $V{GS}=10 V$，$I{D}=6 A$ 时，最大 $R{DS(on)}=22 mOmega$；在 $V{GS}=4.5 V$，$I{D}=5 A$ 时，最大 $R{DS(on)}=34 mOmega$。
• Q2：在 $V{GS}=10 V$，$I{D}=8.5 A$ 时，最大 $R_{DS(on)}=10 mOmega$。低导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。你在实际设计中是否也会优先考虑低导通电阻的 MOSFET 呢？

环保特性

该器件无铅、无卤，符合 RoHS 标准，满足环保要求，适应绿色电子发展趋势。

应用领域

FDMC7200S 适用于移动计算和移动互联网设备等通用负载点应用。在这些对空间和功耗要求较高的设备中，其小巧的封装和高效的性能能够很好地满足需求。你是否在相关项目中使用过类似的 MOSFET 呢？

产品参数

最大额定值

符号	参数	Q1	Q2	单位
$V_{DS}$	漏源电压	30	30	V
$V_{GS}$	栅源电压	± 20	± 20	V
$I{D}$（连续，封装限制，$T{C}=25^{circ} C$）	漏极电流	18	13	A
$I{D}$（连续，硅限制，$T{C}=25^{circ} C$）	漏极电流	23	46	A
$I{D}$（连续，$T{A}=25^{circ} C$）	漏极电流	7（注 1a）	13（注 1b）	A
$I_{D}$（脉冲）	漏极电流	40	27	A
$E_{AS}$	单脉冲雪崩能量	12	32	mJ
$P{D}$（单操作，$T{A}=25^{circ} C$）	功率耗散	1.9（注 1a）	2.5（注 1b）	W
$P{D}$（单操作，$T{A}=25^{circ} C$）	功率耗散	0.7（注 1c）	1.0（注 1d）	W
$T{J}$，$T{STG}$	工作和存储结温范围	-55 至 +150	-55 至 +150	°C

热特性

符号	Q1	Q2	单位
$R_{theta JA}$（热阻，结到环境）	65（注 1a）	50（注 1b）	°C/W
$R_{theta JA}$（热阻，结到环境）		125（注 1d）	°C/W
$R_{theta JC}$（热阻，结到外壳）	7.5		°C/W

电气特性

关断特性

包括漏源击穿电压、击穿电压温度系数、零栅压漏极电流和栅源泄漏电流等参数。

导通特性

• 栅源阈值电压：$V{GS(th)}$ 在 $V{GS}=V{DS}$，$I{D}=250 mu A$ 时，Q1 和 Q2 为 1.0 - 3.0 V。
• 静态漏源导通电阻：不同条件下 Q1 和 Q2 有不同的阻值表现。
• 正向跨导：在不同的测试条件下，Q1 和 Q2 也有相应的数值。

动态特性

如输入电容、输出电容、反向传输电容和栅极电阻等。

开关特性

包括开启延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间和总栅极电荷等。

漏源特性

源漏二极管正向电压、反向恢复时间和反向恢复电荷等参数。

典型特性

文档中给出了 Q1 和 Q2 的一系列典型特性曲线，如导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系等。这些曲线有助于工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，你在设计中是否经常参考这些典型特性曲线呢？

注意事项

• 应力超过最大额定值可能会损坏器件，若超出这些限制，不能保证器件功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。
• 热阻参数的确定与器件的安装方式和电路板设计有关。
• 脉冲测试有脉冲宽度和占空比的要求。

总结

FDMC7200S 双 N 沟道 MOSFET 凭借其低导通电阻、环保特性和良好的电气性能，在移动计算和移动互联网设备等领域具有很大的应用潜力。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑该器件的特性和参数，以实现高效、稳定的电路设计。你对这款 MOSFET 还有哪些疑问或者使用经验呢？欢迎在评论区分享。