onsemi FDMS7682：高效N沟道MOSFET的卓越性能与应用

在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率开关器件，其性能直接影响着电路的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨onsemi推出的FDMS7682和FDMS7682 - NC这两款N沟道MOSFET，了解它们的特点、性能参数以及应用场景。

文件下载：FDMS7682-D.pdf

一、产品概述

FDMS7682和FDMS7682 - NC专为提高DC - DC转换器的整体效率而设计，能够有效减少开关节点的振铃现象。无论是同步还是传统的开关PWM控制器，这两款MOSFET都能发挥出色的性能。它们在低栅极电荷、低导通电阻（(R_{DS (on) })）、快速开关速度和体二极管反向恢复性能方面进行了优化。

二、产品特点

1. 低导通电阻

• 在(V{GS}=10 V)，(I{D}=14 A)时，最大(R{DS(on)}=6.3 mΩ)；在(V{GS}=4.5 V)，(I{D}=11 A)时，最大(R{DS(on)}=10.4 mΩ)。低导通电阻有助于降低功率损耗，提高电路效率。

  2. 先进的封装与硅技术结合

  采用先进的封装和硅技术组合，实现了低导通电阻和高效率，为电路设计提供了更好的性能。

  3. 下一代增强体二极管技术

  具备下一代增强体二极管技术，经过精心设计，实现了软恢复特性，减少了反向恢复过程中的噪声和损耗。

  4. 稳健的封装设计

  MSL1稳健封装设计，提高了产品的可靠性和稳定性。

  5. 全面测试

  经过100% UIL测试，确保产品质量。

  6. 环保特性

  该器件无卤化物，符合RoHS指令豁免7a，二级互连采用无铅2LI技术。

三、应用场景

1. 笔记本电脑IMVP Vcore开关

在笔记本电脑的电源管理中，FDMS7682能够提供高效的电压转换，满足笔记本电脑对电源效率和稳定性的要求。

2. 桌面和服务器VRM Vcore开关

对于桌面电脑和服务器的电源模块，该MOSFET可以有效提高电源转换效率，降低功耗。

3. OringFET / 负载开关

在电源切换和负载控制方面，FDMS7682能够快速、可靠地实现开关功能。

4. DC - DC转换

广泛应用于各种DC - DC转换器中，为电路提供稳定的电源转换。

四、性能参数

1. 最大额定值

• 漏源电压（(V_{DS})）：30 V
• 漏源瞬态电压（(V{DSt})，(t{Transient}<100 ns)）：33 V
• 栅源电压（(V_{GS})）：±20 V
• 连续漏极电流（(I{D})）：根据不同条件有所不同，如(T{C}=25 °C)时，封装限制为22 A，硅限制为59 A，(T_{A}=25 °C)时为16 A；脉冲电流为80 A
• 单脉冲雪崩能量（(E_{AS})）：29 mJ
• 功率耗散（(P{D})）：(T{C}=25 °C)时为33 W，(T_{A}=25 °C)时为2.5 W
• 工作和存储结温范围（(T{J})，(T{STG})）：−55 to +150 °C

2. 热特性

• 结到外壳热阻（(R_{JC})）：3.7 °C/W
• 结到环境热阻（(R_{JA})）：根据不同的安装条件有所不同，如安装在(1 in^{2}) 2 oz铜焊盘上时为50 °C/W

3. 电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压（(B{V DSS})）在(I{D}=250 μA)，(V{GS}=0 V)时为30 V；击穿电压温度系数为15 mV/°C；零栅压漏极电流（(I{DSS})）在不同条件下有不同值。
• 导通特性：栅源阈值电压（(V{GS(th)})）在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=250 μA)时，典型值为1.9 V，范围为1.25 - 3.0 V；阈值电压温度系数为−6 mV/°C；静态漏源导通电阻（(R{DS(on)})）在不同的(V{GS})和(I_{D})条件下有不同值。
• 动态特性：输入电容（(C{iss})）、输出电容（(C{oss})）、反向传输电容（(C{rss})）等参数在特定测试条件下有相应的值；开关特性包括开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间等；总栅极电荷（(Q{g})）、栅源电荷（(Q{gs})）、栅漏“米勒”电荷（(Q{gd})）等也有明确的参数。
• 漏源二极管特性：源漏二极管正向电压（(V{SD})）在不同的(I{S})条件下有不同值；反向恢复时间（(t{rr})）、反向恢复电荷（(Q{rr})）等参数也在数据手册中有详细说明。

五、典型特性曲线

数据手册中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、归一化导通电阻与结温的关系、导通电阻与栅源电压的关系、传输特性、源漏二极管正向电压与源电流的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位电感开关能力、最大连续漏极电流与外壳温度的关系、正向偏置安全工作区、单脉冲最大功率耗散以及结到环境瞬态热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更好地了解器件在不同条件下的性能表现，从而进行合理的电路设计。

六、封装与订购信息

1. 封装形式

FDMS7682采用PQFN8 5X6，1.27P封装，而FDMS7682 - NC采用Power 56封装。

2. 订购信息

具体的订购和运输信息可参考数据手册第6页。同时，对于卷带和卷轴规格的详细信息，可参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure，BRD8011/D。

七、总结

onsemi的FDMS7682和FDMS7682 - NC N沟道MOSFET凭借其低导通电阻、先进的封装和硅技术、增强的体二极管技术以及良好的热特性和电气性能，在DC - DC转换、笔记本电脑和服务器电源管理等领域具有广泛的应用前景。电子工程师在设计相关电路时，可以充分考虑这些特性，以实现高效、稳定的电路设计。你在使用类似MOSFET时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。