onsemi N沟道屏蔽栅功率MOSFET：FDP2D3N10C与FDPF2D3N10C解析

作为电子工程师，在设计电路时，MOSFET的选择至关重要。今天我就来给大家详细介绍onsemi的两款N沟道屏蔽栅功率MOSFET：FDP2D3N10C和FDPF2D3N10C。

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一、产品概述

这两款MOSFET采用了onsemi先进的POWERTRENCH工艺，并融入了屏蔽栅技术。这种工艺经过优化，能在降低导通电阻的同时，保持出色的开关性能，还具备一流的软体二极管特性。其额定电压为100V，最大连续漏极电流可达222A（受最大结温限制，封装限制电流为120A），导通电阻在(V{GS}=10V)、(I{D}=100A)时最大为(2.3mΩ)。

二、产品特性

（一）低导通电阻

在(V{GS}=10V)、(I{D}=100A)的条件下，最大导通电阻(r_{DS(on)})仅为(2.3mΩ)。低导通电阻意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，能有效提高电路效率，减少发热，这在高功率应用中尤为重要。大家在实际设计时，有没有遇到过因为导通电阻过大导致电路效率低下的情况呢？

（二）极低的反向恢复电荷（Qrr）

反向恢复电荷是衡量MOSFET反向恢复特性的重要参数。极低的Qrr可以减少开关损耗，提高开关速度，使电路在高频工作时更加稳定可靠。对于高频应用的电路设计，这一特性无疑是一大优势。

（三）100% UIL测试

经过100%的非钳位感性负载（UIL）测试，保证了产品在感性负载下的可靠性和稳定性，能够承受一定的雪崩能量，降低了在实际应用中因感性负载而损坏的风险。

（四）符合RoHS标准

这表明产品符合环保要求，在当今注重环保的大环境下，使用符合RoHS标准的元器件有助于产品通过相关认证，进入更广泛的市场。

三、应用领域

（一）同步整流

适用于ATX电源、服务器电源和电信电源等领域的同步整流应用。在这些电源系统中，同步整流技术可以提高电源效率，降低功耗，而这两款MOSFET的低导通电阻和良好的开关性能正好满足了同步整流的需求。

（二）电机驱动和不间断电源

在电机驱动和不间断电源（UPS）中，需要MOSFET能够承受较大的电流和电压变化，并且具备快速的开关响应能力。这两款产品的高电流承载能力和优秀的开关特性使其能够很好地适应这些应用场景。

（三）微型太阳能逆变器

在微型太阳能逆变器中，对效率和可靠性要求较高。这两款MOSFET的低损耗和高可靠性可以提高太阳能逆变器的转换效率，延长其使用寿命。

四、电气特性

（一）最大额定值

参数	FDP2D3N10C	FDPF2D3N10C	单位
漏源电压（(V_{DS})）	100	100	V
栅源电压（(V_{GS})）	±20	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25°C)）	222*	222*	A
连续漏极电流（(T_{C}=100°C)）	157*	157*	A
脉冲漏极电流	888	888	A
单脉冲雪崩能量（(E_{AS})）	1176	1176	mJ
功率耗散（(T_{C}=25°C)）	214	45	W
功率耗散（(T_{A}=25°C)）	2.4	2.4	W
工作和存储结温范围	- 55 to +175	- 55 to +175	°C

需要注意的是，漏极电流受最大结温限制，且封装限制电流为120A。当实际应用中的应力超过最大额定值时，可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。大家在设计时一定要严格遵循这些额定值要求。

（二）电气参数

在(T{J}=25°C)（除非另有说明）的条件下，还给出了许多详细的电气参数，如击穿电压、静态漏源导通电阻、输入电容、开关时间、总栅极电荷等。这些参数是我们在电路设计中进行精确计算和优化的重要依据。例如，总栅极电荷（(Q{g})）的大小会影响MOSFET的开关速度和驱动电路的设计。

五、典型性能曲线

文档中提供了一系列典型性能曲线，包括导通区域特性、归一化导通电阻与结温、漏极电流和栅源电压的关系、转移特性、反向漏极电流与体二极管正向电压的关系、栅极电荷特性、电容与漏源电压的关系、非钳位感性开关能力、最大连续漏极电流与壳温的关系、正向偏置安全工作区以及单脉冲最大功耗等曲线。

这些曲线直观地展示了MOSFET在不同条件下的性能表现，帮助我们更好地理解器件的特性和适用范围。在实际设计中，我们可以根据这些曲线来选择合适的工作点，优化电路性能。比如，通过导通电阻与栅源电压的关系曲线，我们可以确定在不同的栅源电压下MOSFET的导通电阻变化情况，从而选择合适的驱动电压。

六、封装信息

这两款产品采用了不同的封装形式：

• FDP2D3N10C采用TO - 220封装，每管装800个单元。
• FDPF2D3N10C采用TO - 220F封装，每管装1000个单元。

同时，文档还提供了详细的封装尺寸图和标注信息，方便我们在PCB设计时进行布局和布线。不同的封装形式在散热、安装等方面可能会有不同的特点，我们在选择时需要综合考虑实际应用的需求。

七、总结

onsemi的FDP2D3N10C和FDPF2D3N10C N沟道屏蔽栅功率MOSFET凭借其先进的工艺、优秀的性能和广泛的应用领域，为电子工程师在电路设计中提供了可靠的选择。在实际应用中，我们需要根据具体的设计要求，结合产品的电气特性、典型性能曲线和封装信息，合理选择和使用这两款MOSFET，以实现电路的高效、稳定运行。大家在使用这两款产品的过程中，有没有什么独特的经验或者遇到过什么问题呢？欢迎在评论区分享交流。