FQB19N20L N - 通道QFET® MOSFET深度解析

一、引言

在电子工程领域，MOSFET作为重要的功率器件，广泛应用于各种电源和电路设计中。今天我们要深入探讨的是FQB19N20L这款N - 通道QFET® MOSFET，它由Fairchild Semiconductor（现属于ON Semiconductor）生产，具有独特的性能和应用优势。

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二、产品背景与变更说明

Fairchild Semiconductor已被ON Semiconductor整合。由于ON Semiconductor产品管理系统无法处理带有下划线（_）的零件命名，原Fairchild零件编号中的下划线将改为破折号（-）。所以大家在使用时，要通过ON Semiconductor网站核实更新后的器件编号，最新的订购信息可在www.onsemi.com查询。若对系统集成有疑问，可发邮件至[e-mail]。

三、FQB19N20L MOSFET详细介绍

3.1 产品描述

FQB19N20L是一款N - 通道增强型功率MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor专有的平面条纹和DMOS技术。这种先进技术能有效降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度，适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器等应用。

3.2 产品特性

• 高电流与耐压能力：能够承受21 A的电流，耐压达到200 V，在VGS = 10 V、ID = 9.7 A时，最大导通电阻RDS(on)为140 mΩ。
• 低栅极电荷：典型栅极电荷仅为31 nC，有助于减少开关损耗，提高开关速度。
• 低Crss：典型Crss值为30 pF，能降低米勒效应的影响，改善开关性能。
• 100%雪崩测试：经过100%雪崩测试，保证了器件在雪崩状态下的可靠性。
• 符合RoHS标准：产品符合RoHS标准，环保无污染。

3.3 绝对最大额定值

参数	符号	FQB19N20LTM	单位
结到外壳的热阻（最大）	RθJC	0.89	°C/W
结到环境的热阻（2盎司铜最小焊盘，最大）	RθJA	62.5	°C/W
结到环境的热阻（1平方英寸2盎司铜焊盘，最大）	RθJA	40	°C/W
焊接时离外壳1/8英寸处5秒的最大引脚温度

3.4 电气特性

3.4.1 关断特性

参数	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
BVdss	漏源击穿电压	VGs = 0V，ID = 250μA	200			V
ΔBVdss /ΔT	击穿电压温度系数	ID = 250 μA，参考25°C		0.16		V/°C
IDss	零栅压漏极电流	Vds = 200 V，Vgs = 0V	-	-	1	μA
		Vds = 160 V，Tc = 125°C	-		10	μA
IGSSF	栅 - 体正向漏电流	Vgs = 20V，Vds = 0V			100	nA
IGSSR	栅 - 体反向漏电流	Vgs = -20 V，Vds = 0V			-100	nA

3.4.2 导通特性

参数	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
gFs	正向跨导	VDs = 30V，ID = 10.5A	0.12	0.15		S
RDs(on)	静态漏源导通电阻	VGs = 5V，ID = 10.5A		0.11	0.14	Ω
VGs(th)	栅极阈值电压	VDs = VGs，ID = 250 μA	1.0		2.0	V

3.4.3 动态特性

参数	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
Crss	反向传输电容	f = 1.0MHz		30	40	pF
Coss	输出电容	Vds = 25V，Vgs = 0V	1700	2200		pF
Ciss	输入电容					pF

3.4.4 开关特性

参数	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
	导通延迟时间
tr
	关断下降时间	VDS = 160 V，ID = 21 A		180		ns
				27		ns
	栅源电荷			5.8		nC
Qgd

3.4.5 漏源二极管特性和最大额定值

参数	描述	最小值	典型值	最大值	单位
Is	最大连续漏源二极管正向电流			21	A
ISM	最大脉冲漏源二极管正向电流			84	A
VSD	漏源二极管正向电压	VGs = 0V，Is = 21A			1.5	V
trr	反向恢复时间	VGs = 0V，Is = 21A，dip / dt = 100 A/μs			140	ns
Qrr	反向恢复电荷		0.66		μC

3.5 典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻随漏极电流和栅极电压的变化、体二极管正向电压随源极电流和温度的变化、电容特性、栅极电荷特性、击穿电压随温度的变化、导通电阻随温度的变化、最大安全工作区、最大漏极电流与外壳温度的关系、瞬态热响应曲线等。这些曲线对于工程师理解器件在不同条件下的性能非常有帮助。

3.6 机械尺寸

FQB19N20L采用TO263（D²PAK）封装，为模制、2引脚、表面贴装形式。需要注意的是，封装图纸可能会随时更改，大家要留意图纸的版本和日期，并联系Fairchild Semiconductor代表核实或获取最新版本。

四、商标与免责声明

文档中列出了Fairchild Semiconductor及其全球子公司拥有的众多商标，同时也包含了ON Semiconductor的相关商标信息。此外，还强调了ON Semiconductor对产品的免责声明，如对产品适用性不做保证，不承担因产品应用或使用产生的任何责任等。

五、产品状态定义

数据手册标识	产品状态	定义
提前信息	形成/设计中	数据手册包含产品开发的设计规格，规格可能随时更改。
初步	首次生产	数据手册包含初步数据，后续会发布补充数据，Fairchild Semiconductor有权随时更改设计。
无需标识	全面生产	数据手册包含最终规格，Fairchild Semiconductor有权随时更改设计。
过时	停产	数据手册包含已停产产品的规格，仅供参考。

六、总结

FQB19N20L N - 通道QFET® MOSFET凭借其先进的技术和出色的性能，在开关模式电源、PFC和电子灯镇流器等领域有着广泛的应用前景。作为电子工程师，在设计相关电路时，要充分考虑其各项特性和参数，结合实际应用需求进行合理选择。同时，也要关注产品的变更信息和相关的免责声明，确保设计的可靠性和安全性。大家在实际应用中遇到过哪些关于MOSFET的问题呢？欢迎在评论区分享交流。