深入解析 onsemi NTTFS115P10M5 P 沟道 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为关键的功率开关元件，其性能直接影响着整个电路的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨 onsemi 推出的 NTTFS115P10M5 单 P 沟道 MOSFET，详细解析其特性、参数及应用要点。

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产品特性

紧凑设计

NTTFS115P10M5 采用了小巧的 3.3 x 3.3 mm 封装，这种小尺寸设计非常适合对空间要求较高的紧凑型设计，能有效节省 PCB 空间，为设计带来更多的灵活性。

环保特性

该器件为无铅产品，并且符合 RoHS 标准，这意味着它在环保方面表现出色，满足了现代电子产品对绿色环保的要求。

非 ESD 保护

需要注意的是，这些器件没有进行 ESD 保护，因此在使用过程中，工程师需要额外注意静电防护措施，避免因静电放电对器件造成损坏。

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源击穿电压	V(BR)DSS	-100	V
栅源电压	VGS	+20	-
连续漏极电流（Tc = 25°C）	lD	-13	A
连续漏极电流（Ta = 25°C）	lD	-2.0	A
脉冲漏极电流（Ta = 25°C，t = 10 s）	IDM	-137	A
工作结温和存储温度范围	TJ:Tstg	-55 至 +150	°C

当应力超过最大额定值表中列出的数值时，可能会损坏器件。如果超出这些限制，不能保证器件的功能正常，可能会发生损坏并影响可靠性。

热阻参数

参数	符号	数值	单位
结到壳热阻（稳态）	RJC	3.0	°C/W
结到环境热阻（稳态）	RJA	134	°C/W

需要注意的是，整个应用环境会影响热阻值，这些值不是常数，仅在特定条件下有效。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：V(BR)DSS 在 VGS = 0 V，ID = 250 μA 时为 -100 V，其温度系数为 -67 mV/°C。
• 零栅压漏极电流：IDSS 在 VDS = -80 V，VGS = 0 V，TJ = 125 °C 时为 -100 μA。
• 栅源泄漏电流：IGSS 在 VDS = 0 V，VGS = ±20 V 时为 ±100 nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：VGS(TH) 在 VGS = VDS，ID = -45 A 时，范围为 -2.0 至 -4.0 V。
• 漏源导通电阻：RDS(on) 在 VGS = -10 V，ID = -2.4 A 时为 97 - 120 mΩ；在 VGS = -6 V，ID = -1.6 A 时为 127 - 254 mΩ。
• 正向跨导：gFS 在 VDS = -10 V，ID = -2.1 A 时为 5.5 S。

电荷与电容特性

• 输入电容：CISS 在 VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = -50 V 时为 637 pF。
• 输出电容：COSS 为 93.5 pF。
• 反向传输电容：CRSS 为 4.5 pF。
• 总栅极电荷：QG(TOT) 在 VGS = -6 V，VDS = -50 V，ID = -2.4 A 时为 5.7 nC；在 VGS = -10 V 时为 9.2 nC。

开关特性

• 导通延迟时间：td(ON) 在 VGS = -10 V，VDS = -50 V，ID = -2.4 A，RG = 2.5 Ω 时为 8.7 ns。
• 上升时间：tr 为 2.1 ns。
• 关断延迟时间：td(OFF) 为 13.4 ns。
• 下降时间：tf 为 4.1 ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：VSD 在 TJ = 25 °C，VGS = 0 V，IS = -2.4 A 时为 0.84 - 1.2 V；在 TJ = 125 °C 时为 0.71 V。
• 反向恢复时间：tRR 在 VGS = 0 V，dIs/dt = 300 A/s，IS = -1.2 A 时为 28.7 ns。
• 反向恢复电荷：QRR 为 87.6 nC。

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间与栅极电阻关系、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、雪崩峰值电流与时间关系以及热响应等。这些曲线能帮助工程师更好地理解器件在不同工作条件下的性能表现。

订购与标记信息

该器件的标记为 115P10M5，采用 WDFN8（无铅）封装，卷盘尺寸为 13”，胶带宽度为 12 mm，每盘 3000 个，采用带盘包装。如需了解带盘规格，可参考 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。

机械尺寸与安装建议

文档提供了详细的机械尺寸图和推荐的安装 footprint。尺寸公差按照 ASMEY14.5M,2018 标准，控制尺寸单位为毫米。同时，还给出了引脚标识和通用标记图，但实际标记需参考器件数据手册。对于无铅安装的更多信息，可参考 SOLDERRM/D 手册。

总结

onsemi 的 NTTFS115P10M5 P 沟道 MOSFET 以其紧凑的设计、良好的电气性能和环保特性，为电子工程师在功率开关设计中提供了一个优秀的选择。然而，在使用过程中，工程师需要注意其非 ESD 保护的特性，做好静电防护，并根据实际应用环境合理考虑热阻等参数。你在使用类似 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。