探索 onsemi NVTFS007N08HL：高效 N 沟道功率 MOSFET 的卓越性能

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率 MOSFET 至关重要。今天，我们就来深入了解 onsemi 的 NVTFS007N08HL 这款 80V、7mΩ、71A 的单 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些突出的特性和优势。

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产品特性亮点

紧凑设计

NVTFS007N08HL 采用了 3.3x3.3mm 的小尺寸封装，这对于追求紧凑设计的电子产品来说是一个巨大的优势。在如今对产品小型化要求越来越高的市场环境下，这种小尺寸封装能够有效节省 PCB 空间，让设计更加灵活。

低损耗性能

• 低导通电阻：其低 (R_{DS(on)}) 特性可以最大程度地减少导通损耗，提高能源效率。在实际应用中，这意味着能够降低功耗，延长设备的续航时间，同时减少发热，提高系统的稳定性。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容特性有助于减少驱动损耗，降低驱动电路的设计难度和成本。这样可以使整个系统的效率得到进一步提升。

可焊侧翼选项

NVTFWS007N08HL 提供了可焊侧翼选项，这对于光学检测非常有利。在生产过程中，可焊侧翼能够提高焊接质量的检测准确性，从而提高产品的可靠性和良品率。

汽车级认证

该器件通过了 AEC - Q101 认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力。这意味着它可以满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景，为汽车电子系统的稳定运行提供保障。

环保特性

NVTFS007N08HL 是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR）的，并且符合 RoHS 标准。这体现了 onsemi 在环保方面的努力，也符合现代电子产品对环保的要求。

关键参数解读

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DS})	-	V
栅源电压	(V_{GS})	-	V
稳态漏极电流	(I_{D})	71	A
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	3.3	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C,t{p}=10mu s)）	-	-	-
源极电流（体二极管）	(I_{S})	66	A
能量（(I_{AS}=3.9A)）	-	1433	mJ
最高结温	(T_{L})	-	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻参数

参数	符号	数值	单位
结到壳稳态热阻	(R_{JC})	1.9	°C/W
结到环境稳态热阻	(R_{JA})	46	°C/W

热阻参数会受到整个应用环境的影响，并非恒定值，并且仅在特定条件下有效。例如，该参数是在表面贴装于 FR4 板，使用 (650mm^{2})、2oz. 铜焊盘的条件下测得的。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压：(V{(BR)DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(I_{D}=250A) 时为 80V。
• 零栅压漏极电流：(I{DSS}) 在 (V{GS}=0V)，(T{J}=25^{circ}C)，(V{DS}=80V) 时为 10A；在 (T_{J}=125^{circ}C) 时为 250A。
• 栅源泄漏电流：(I{GSS}) 在 (V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V) 时为 100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压：(V{GS(TH)}) 在 (V{GS}=V{DS})，(I{D}=270A) 时，最小值为 1.0V，典型值为 1.5V，最大值为 3.0V。
• 漏源导通电阻：(R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10V)，(I{D}=16A) 时，典型值为 7.0mΩ；在 (V{GS}=4.5V)，(I_{D}=10A) 时，典型值为 10.88mΩ。

电荷和电容特性

• 输入电容：(C{iss}) 在 (V{GS}=0V)，(f = 1.0MHz)，(V_{DS}=40V) 时为 1810pF。
• 输出电容：(C_{oss}) 为 227pF。
• 反向传输电容：(C_{rss}) 为 14.1pF。
• 总栅极电荷：(Q{G(TOT)}) 在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=16A) 时为 15.9nC；在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I_{D}=16A) 时为 32.5nC。

开关特性

在 (V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=16A)，(R{G}=2.5) 的条件下，开启延迟时间 (t{d(on)}) 为 7.0ns，上升时间 (t{r}) 为 3.7ns，关断延迟时间 (t{d(off)}) 为 29.3ns，下降时间 (t{f}) 为 2.7ns。并且开关特性与工作结温无关。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压：(V{SD}) 在 (V{GS}=0V)，(I{S}=16A)，(T{J}=25^{circ}C) 时为 0.8 - 1.2V；在 (T_{J}=125^{circ}C) 时为 0.67V。
• 反向恢复时间：(t{RR}) 在 (V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/s)，(I{S}=16A) 时为 40ns。
• 反向恢复电荷：(Q_{RR}) 为 40.3nC。

典型特性曲线分析

文档中提供了一系列典型特性曲线，这些曲线直观地展示了器件在不同条件下的性能表现。例如，通过“导通区域特性曲线”可以了解到不同栅源电压下漏极电流与漏源电压的关系；“转移特性曲线”则反映了不同结温下漏极电流与栅源电压的变化情况。这些曲线对于工程师在实际设计中选择合适的工作点和参数非常有帮助。

封装与订购信息

封装尺寸

NVTFS007N08HL 有 WDFN8 和 WDFNW8 两种封装形式，文档中详细给出了它们的机械尺寸和推荐焊盘尺寸。工程师在进行 PCB 设计时，需要严格按照这些尺寸要求进行布局，以确保器件的正常安装和性能发挥。

订购信息

器件型号	器件标记	封装	包装数量
NVTFS007N08HLTAG	7V08	WDFN8（无铅）	1500 / 卷带包装
NVTFWS007N08HLTAG	7W08	WDFNW8（无铅，可焊侧翼）	1500 / 卷带包装

总结

onsemi 的 NVTFS007N08HL 功率 MOSFET 凭借其紧凑的设计、低损耗性能、可焊侧翼选项、汽车级认证和环保特性等优势，在众多应用场景中具有很大的竞争力。电子工程师在进行功率电路设计时，可以充分考虑该器件的各项特性和参数，结合实际需求进行合理选择和应用。同时，要注意器件的最大额定值和热阻等参数的影响，确保系统的可靠性和稳定性。大家在使用这款器件的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。