安森美NVMFD5C680NL双N沟道MOSFET：高效与紧凑的完美结合

在电子设计领域，功率MOSFET的性能和特性对电路的效率和稳定性起着至关重要的作用。今天，我们来深入了解一下安森美（onsemi）的NVMFD5C680NL双N沟道MOSFET，看看它有哪些独特之处，能为我们的设计带来怎样的优势。

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产品特性

紧凑设计

NVMFD5C680NL采用了5x6 mm的小尺寸封装，这种紧凑的设计对于空间受限的应用场景来说非常友好，能够帮助我们实现更小型化的产品设计。

低损耗特性

• 低导通电阻（RDS(on)）：该MOSFET具有较低的RDS(on)，能够有效降低导通损耗，提高电路的效率。在60V、10V的条件下，RDS(on)最大为28 mΩ；在4.5V时，RDS(on)最大为41 mΩ。
• 低栅极电荷（QG）和电容：低QG和电容能够减少驱动损耗，使得MOSFET在开关过程中更加高效。

可焊侧翼选项

NVMFD5C680NLWF提供了可焊侧翼选项，这有助于增强光学检测能力，提高生产过程中的检测准确性和效率。

汽车级认证

该产品通过了AEC - Q101认证，并且具备PPAP能力，这意味着它能够满足汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

环保合规

NVMFD5C680NL是无铅产品，并且符合RoHS标准，符合环保要求。

最大额定值

电压和电流额定值

• 漏源电压（VDSS）：最大值为60V，能够承受一定的电压冲击。
• 栅源电压（VGS）：范围为±20V。
• 连续漏极电流（ID）：在不同的温度条件下有不同的额定值。在TC = 25 °C时，稳态ID为20A；在TC = 100 °C时，ID为15A。在TA = 25 °C时，ID为7.4A；在TA = 100 °C时，ID为5.5A。
• 脉冲漏极电流（IDM）：在TA = 25 °C，tp = 10 s的条件下，IDM为66A。

功率和温度额定值

• 功率耗散（PD）：在不同的温度条件下也有不同的额定值。在TC = 25 °C时，PD为24W；在TC = 100 °C时，PD为12W。在TA = 25 °C时，PD为3.2W；在TA = 100 °C时，PD为1.6W。
• 工作结温和存储温度（TJ, Tstg）：范围为 - 55 °C至 + 175 °C，具有较宽的温度工作范围。

其他额定值

• 源极电流（IS）：最大值为20A。
• 单脉冲漏源雪崩能量（EAS）：在TJ = 25 °C，IL(pk) = 5 A的条件下，EAS为47 mJ。
• 焊接用引线温度（TL）：在1/8″ 离外壳处持续10 s的条件下，TL为260 °C。

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻特性

• 结到外壳热阻（RJC）：稳态值为6.27 °C/W。
• 结到环境热阻（RJA）：稳态值为46.6 °C/W。不过，热阻会受到整个应用环境的影响，并非恒定值，这里给出的值仅适用于特定条件，即表面贴装在FR4板上，使用650 (mm^{2})、2 oz.的铜焊盘。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（V(BR)DSS）：在VGS = 0 V，ID = 250 μA的条件下，为60V，其温度系数为29 mV/°C。
• 零栅压漏极电流（IDSS）：在VGS = 0 V，VDS = 60 V的条件下，TJ = 25 °C时为10 μA，TJ = 125 °C时为100 nA。
• 栅源泄漏电流（IGSS）：在VDS = 0 V，VGS = 20 V的条件下。

导通特性

• 栅极阈值电压（VGS(TH)）：在VGs = Vps，I = 13 A的条件下，最小值为1.2V，最大值为2.2V，其负阈值温度系数为 - 4.3 mV/°C。
• 漏源导通电阻（RDS(on)）：在VGs = 10V，Ip = 5A的条件下，典型值为23 mΩ，最大值为28 mΩ；在VGs = 4.5V，Ip = 5A的条件下，典型值为33 mΩ，最大值为41 mΩ。
• 正向跨导（gFs）：在Vps = 15V，Ip = 5A的条件下，典型值为50 S。

电荷、电容和栅极电阻特性

• 输入电容（CISS）：在VGS = 0 V，f = 1 MHz，VDS = 25 V的条件下，为350 pF。
• 输出电容（COSS）：为150 pF。
• 反向传输电容（CRSS）：为6 pF。
• 总栅极电荷（QG(TOT)）：在VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 10 A的条件下，为2.0 nC；在VGS = 10 V，VDS = 48 V，ID = 10 A的条件下，为5.0 nC。
• 阈值栅极电荷（QG(TH)）：在VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 10 A的条件下，为0.8 nC。
• 栅源电荷（QGS）：为1.2 nC。
• 栅漏电荷（QGD）：为0.8 nC。
• 平台电压（VGP）：为3.0 V。

开关特性

在VGS = 4.5 V，VDS = 48 V，ID = 10 A，RG = 1.0的条件下，开通延迟时间td(ON)为6.4 ns，上升时间tr为25 ns，关断延迟时间td(OFF)为13 ns，下降时间tf为23 ns。并且开关特性与工作结温无关。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压（VSD）：在TJ = 25 °C，VGS = 0 V，IS = 5 A的条件下，为0.9 - 1.2 V；在TJ = 125 °C时，为0.8 V。
• 反向恢复时间（tRR）：为17 ns，其中充电时间ta为8 ns，放电时间tb为9 ns，反向恢复电荷QRR为7 nC。

典型特性

文档中还给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压的关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系、导通电阻随温度的变化、漏源泄漏电流与电压的关系、电容变化、栅源与总电荷的关系、电阻性开关时间随栅极电阻的变化、二极管正向电压与电流的关系、最大额定正向偏置安全工作区、雪崩峰值电流与时间的关系以及热特性等。这些曲线能够帮助我们更直观地了解该MOSFET在不同条件下的性能表现。

订购信息

该产品提供了不同的型号，如NVMFD5C680NLT1G、NVMFD5C680NLET1G和NVMFD5C680NLWFT1G，均采用DFN8（无铅）封装，每盘1500个，采用卷带包装。关于卷带规格的详细信息，可以参考安森美的Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

机械尺寸和封装信息

NVMFD5C680NL采用DFN8 5x6，1.27P双引脚（SO8FL - 双）封装，文档中给出了详细的封装尺寸图和相关说明，包括尺寸公差、引脚定义等信息。同时，还提供了焊接焊盘的相关信息，对于焊接和安装技术的详细内容，可以下载安森美的Soldering and Mounting Techniques Reference Manual（SOLDERRM/D）。

综上所述，安森美NVMFD5C680NL双N沟道MOSFET凭借其紧凑的设计、低损耗特性、汽车级认证等优势，在电子设计中具有很大的应用潜力。在实际设计中，我们需要根据具体的应用场景和需求，合理选择和使用该产品，以实现最佳的性能和可靠性。你在使用MOSFET的过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。