深入解析 onsemi NVMFS6H852N 功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 是不可或缺的关键元件，它广泛应用于各种电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来深入探讨 onsemi 公司的 NVMFS6H852N 单通道 N 沟道功率 MOSFET。

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产品概述

NVMFS6H852N 是 onsemi 推出的一款高性能功率 MOSFET，具有 80V 的漏源击穿电压（$V{(BR)DSS}$），最大漏源导通电阻（$R{DS(ON)}$）在 10V 栅源电压下仅为 14.2 mΩ，最大漏极电流（$I_{D}$）可达 43A。其采用 5x6 mm 的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计。

产品特性

低导通损耗

低 $R_{DS(on)}$ 是这款 MOSFET 的一大亮点，它能够有效降低导通损耗，提高电路的效率。在实际应用中，较低的导通电阻意味着在相同的电流下，MOSFET 产生的热量更少，从而减少了散热设计的难度和成本。

低驱动损耗

低 $Q_{G}$ 和电容特性使得该 MOSFET 在开关过程中所需的驱动能量更少，进而降低了驱动损耗。这对于高频开关应用尤为重要，能够提高系统的整体效率。

可焊侧翼选项

NVMFS6H852NWF 具有可焊侧翼选项，这一设计大大增强了光学检测的效果，方便在生产过程中进行质量检测，提高了生产效率和产品的可靠性。

汽车级认证

该器件通过了 AEC - Q101 认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，这意味着它能够满足汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。

环保合规

NVMFS6H852N 是无铅产品，并且符合 RoHS 标准，符合现代电子行业对环保的要求。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压（$V_{(BR)DSS}$）：在 $V{GS} = 0 V$，$I{D} = 250 μA$ 的条件下，$V_{(BR)DSS}$ 为 80V，这表明该 MOSFET 能够承受较高的电压，适用于一些高压应用场景。
• 零栅压漏极电流（$I_{DSS}$）：在 $V{GS} = 0 V$，$V{DS} = 80 V$，$T{J} = 25 °C$ 时，$I{DSS}$ 为 10 μA；当 $T{J} = 125°C$ 时，$I{DSS}$ 为 100 μA。较低的漏极电流可以减少静态功耗。
• 栅源泄漏电流（$I_{GSS}$）：在 $V{DS} = 0 V$，$V{GS} = 20 V$ 时，$I_{GSS}$ 为 100 nA，这保证了栅极的稳定性。

导通特性

在 $V{GS}=10V$ 时，$R{DS(ON)}$ 为 14.2 mΩ，这使得该 MOSFET 在导通状态下的电阻较小，能够有效降低导通损耗。

电荷、电容及栅极电阻特性

• 输入电容（$C_{ISS}$）：在 $V{GS} = 0 V$，$f = 1 MHz$，$V{DS} = 40 V$ 时，$C_{ISS}$ 为 760 pF。
• 输出电容（$C_{OSS}$）：为 110 pF。
• 反向传输电容（$C_{RSS}$）：为 5.4 pF。
• 总栅极电荷（$Q_{G(TOT)}$）：在 $V{GS} = 10 V$，$V{DS} = 40 V$，$I{D} = 15 A$ 时，$Q{G(TOT)}$ 为 13 nC。

开关特性

• 开启延迟时间（$t_{d(ON)}$）：在 $V{Gs}= 10V$，$V{Ds} = 64V$，$I{D} = 15A$，$R{G} = 2.5Ω$ 的条件下，$t_{d(ON)}$ 为 11 ns。
• 上升时间（$t_{r}$）：为 24 ns。
• 关断延迟时间（$t_{d(OFF)}$）：为 25 ns。
• 下降时间（$t_{f}$）：为 6.0 ns。这些快速的开关特性使得该 MOSFET 适用于高频开关应用。

漏源二极管特性

在 $T{J}=25°C$，$V{GS}=0 V$，$dI{S} / dt = 100 A / μs$ 的条件下，反向恢复电荷（$Q{RR}$）为 29 nC。

典型特性

导通区域特性

从图 1 可以看出，在不同的栅源电压下，漏极电流随漏源电压的变化情况。这有助于我们了解 MOSFET 在导通区域的工作特性，从而更好地进行电路设计。

传输特性

图 2 展示了在不同结温下，漏极电流随栅源电压的变化关系。这对于在不同温度环境下使用该 MOSFET 具有重要的参考价值。

导通电阻与栅源电压及漏极电流的关系

图 3 和图 4 分别展示了导通电阻与栅源电压以及漏极电流的关系。通过这些曲线，我们可以根据实际需求选择合适的栅源电压和漏极电流，以获得最佳的导通电阻。

导通电阻随温度的变化

图 5 显示了导通电阻随结温的变化情况。在实际应用中，我们需要考虑温度对导通电阻的影响，以确保电路的稳定性。

漏源泄漏电流与电压的关系

图 6 展示了漏源泄漏电流随漏源电压的变化关系。较低的泄漏电流可以减少功耗，提高电路的效率。

电容变化特性

图 7 显示了输入电容、输出电容和反向传输电容随漏源电压的变化情况。这对于理解 MOSFET 的开关特性和驱动要求非常重要。

栅源电压与总电荷的关系

图 8 展示了栅源电压与总栅极电荷的关系，这有助于我们确定合适的驱动电压和驱动电流。

电阻性开关时间与栅极电阻的关系

图 9 显示了开关时间随栅极电阻的变化情况。在设计驱动电路时，我们需要根据实际情况选择合适的栅极电阻，以获得最佳的开关性能。

二极管正向电压与电流的关系

图 10 展示了二极管正向电压随电流的变化关系。这对于了解 MOSFET 内部二极管的特性非常重要。

最大额定正向偏置安全工作区

图 11 给出了在不同脉冲时间下，MOSFET 的最大额定正向偏置安全工作区。这有助于我们在设计电路时确保 MOSFET 在安全的工作范围内运行。

峰值电流与雪崩时间的关系

图 12 展示了峰值电流随雪崩时间的变化关系。在实际应用中，我们需要考虑雪崩效应的影响，以确保 MOSFET 的可靠性。

热特性

图 13 显示了热阻随脉冲时间的变化情况。这对于散热设计非常重要，我们可以根据热阻特性选择合适的散热方式和散热器件。

封装与订购信息

NVMFS6H852N 提供两种封装形式：DFN5 和 DFNW5。其中，NVMFS6H852NT1G 采用 DFN5 封装，NVMFS6H852NWFT1G 采用 DFNW5 封装，两种封装均为无铅封装，并且以 1500 个/卷带盘的形式进行包装。

总结

onsemi 的 NVMFS6H852N 功率 MOSFET 具有低导通损耗、低驱动损耗、小尺寸等优点，适用于各种紧凑型、高效率的电子电路设计。通过对其电气特性和典型特性的深入分析，我们可以更好地了解该 MOSFET 的性能，从而在实际应用中做出更合理的设计选择。在使用过程中，我们还需要注意其最大额定值和热特性，以确保器件的可靠性和稳定性。大家在实际设计中是否遇到过类似 MOSFET 的应用问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。