深入解析 onsemi NTMFD6H852NL 双 N 沟道 MOSFET

在电子设备中，MOSFET 扮演着至关重要的角色，其性能直接影响着设备的效率和稳定性。今天，我们就来深入探讨 onsemi 推出的一款双 N 沟道 MOSFET——NTMFD6H852NL。

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产品概述

NTMFD6H852NL 是 onsemi 公司的一款功率型双 N 沟道 MOSFET，具有 80V 的耐压能力，25.5mΩ 的导通电阻，最大连续漏极电流可达 25A。这款 MOSFET 采用了 5x6mm 的小尺寸封装，非常适合紧凑型设计，能有效节省 PCB 空间。

产品特性

• 小尺寸封装：5x6mm 的小尺寸封装，为紧凑型设计提供了可能，在空间有限的应用场景中具有明显优势。
• 低导通电阻：低 (R_{DS(on)}) 能有效降低导通损耗，提高系统效率。
• 低栅极电荷和电容：低 (Q_{G}) 和电容可减少驱动损耗，降低功耗。
• 环保合规：该器件为无铅产品，符合 RoHS 标准，满足环保要求。

最大额定值

电压与电流额定值

参数	数值	单位
漏源电压 (V_{DSS})	80	V
栅源电压 (V_{GS})	25	V
稳态连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	19	A
稳态连续漏极电流（(T_{A}=25^{circ}C)）	7	A
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	98	A
源极电流（体二极管）	32	A

功率与温度额定值

参数	数值	单位
功耗（(T_{A}=25^{circ}C)）	5	W
结温和存储温度范围	-55 至 +175	°C
焊接用引脚温度	-	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热阻特性

热阻是衡量 MOSFET 散热能力的重要指标。该器件的结到壳热阻在稳态下有相应的规定，但需要注意的是，整个应用环境会影响热阻值，它并非恒定值，仅在特定条件下有效。例如，器件表面安装在 FR4 板上，使用 (650mm^{2})、2oz. 的铜焊盘时，热阻会有所不同。此外，脉冲时间长达 1 秒的最大电流会更高，但这取决于脉冲持续时间和占空比。

电气特性

关断特性

• 漏源击穿电压 (V_{(BR)DSS})：在 (V{GS}=0V)，(I{D}=250mu A) 时，最小值为 80V。
• 漏源击穿电压温度系数 (V{(BR)DSS}/T{J})：为 47.5mV/°C。
• 零栅压漏极电流 (I_{DSS})：在 (V{GS}=0V)，(V{DS}=80V) 条件下，(T{J}=25^{circ}C) 时为 10(mu A)，(T{J}=125^{circ}C) 时为 250(mu A)。
• 栅源泄漏电流 (I_{GSS})：在 (V{DS}=0V)，(V{GS}=20V) 时为 100nA。

导通特性

• 栅极阈值电压 (V_{GS(TH)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=26A) 时，典型值为 1.2 - 2.0V。
• 阈值温度系数 (V{GS(TH)}/T{J})：为 -5.0mV/°C。
• 漏源导通电阻 (R_{DS(on)})：(V{GS}=10V)，(I{D}=10A) 时，典型值为 21 - 25.5mΩ；(V{GS}=4.5V)，(I{D}=10A) 时，典型值为 25 - 31.5mΩ。
• 正向跨导 (g_{FS})：在 (V{DS}=5V)，(I{D}=10A) 时为 38S。

电荷、电容与栅极电阻特性

• 输入电容 (C_{ISS})：在 (V{GS}=0V)，(f = 1MHz)，(V{DS}=40V) 时为 521pF。
• 输出电容 (C_{OSS})：为 69pF。
• 反向传输电容 (C_{RSS})：为 4pF。
• 总栅极电荷 (Q_{G(TOT)})：(V{GS}=10V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=10A) 时为 10nC；(V{GS}=4.5V)，(V{DS}=40V)，(I{D}=10A) 时为 5nC。
• 阈值栅极电荷 (Q_{G(TH)})：为 1.1nC。
• 栅源电荷 (Q_{GS})：为 1.9nC。
• 栅漏电荷 (Q_{GD})：为 1.7nC。
• 平台电压 (V_{GP})：为 3.1V。

开关特性

• 开通延迟时间 (t_{d(ON)})：在 (V{GS}=4.5V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=10A)，(R{G}=2.5Omega) 时为 7ns。
• 上升时间 (t_{r})：为 23ns。
• 关断延迟时间 (t_{d(OFF)})：为 19ns。
• 下降时间 (t_{f})：为 16ns。

漏源二极管特性

• 正向二极管电压 (V_{SD})：在 (V{GS}=0V)，(I{S}=10A)，(T_{J}=125^{circ}C) 时，有相应的参数。
• 反向恢复电荷 (Q_{RR})：为 20nC。

典型特性曲线

文档中给出了一系列典型特性曲线，包括导通区域特性、传输特性、导通电阻与栅源电压关系、导通电阻与漏极电流和栅极电压关系、导通电阻随温度变化、漏源泄漏电流与电压关系、电容变化、栅源与总电荷关系、电阻性开关时间随栅极电阻变化、二极管正向电压与电流关系、最大额定正向偏置安全工作区、最大漏极电流与雪崩时间关系以及热响应曲线等。这些曲线有助于工程师更直观地了解器件在不同条件下的性能表现，为电路设计提供参考。

订购信息

该器件的标记为 6H852L，采用 DFN8（无铅）封装，每盘 1500 个，以卷带包装形式供货。关于卷带规格的详细信息，可参考 onsemi 的 Tape and Reel Packaging Specifications Brochure（BRD8011/D）。

机械尺寸与封装

器件采用 DFN8 5x6、1.27P 双引脚（SO8FL - 双）封装，文档中给出了详细的机械尺寸图和相关说明。在进行 PCB 设计时，需要严格按照这些尺寸进行布局，以确保器件的正确安装和使用。同时，对于焊接焊盘的设计，可参考 onsemi 的 Soldering and Mounting Techniques Reference Manual（SOLDERRM/D）。

总结

NTMFD6H852NL 是一款性能优异的双 N 沟道 MOSFET，具有小尺寸、低导通电阻、低驱动损耗等优点，适用于多种紧凑型电子设备。在设计过程中，工程师需要充分考虑其最大额定值、电气特性和热阻特性等参数，结合典型特性曲线进行合理的电路设计，以确保器件的性能和可靠性。你在使用这款 MOSFET 时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验。