深入解析 onsemi NVMFS6H818N 功率 MOSFET

在电子设计领域，功率 MOSFET 作为关键的半导体器件，广泛应用于各类电源管理、电机驱动等电路中。今天，我们就来详细解析 onsemi 推出的 NVMFS6H818N 单通道 N 沟道功率 MOSFET，看看它有哪些独特的性能和优势。

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产品特性

紧凑设计

NVMFS6H818N 采用了 5x6 mm 的小尺寸封装，这对于追求紧凑设计的电子设备来说非常友好。在如今电子产品不断追求小型化的趋势下，这种小尺寸封装能够有效节省 PCB 空间，为设计带来更多的灵活性。

低损耗特性

该 MOSFET 具有低导通电阻 (R{DS(on)})，能够最大限度地减少传导损耗。同时，低栅极电荷 (Q{G}) 和电容也有助于降低驱动损耗，提高整个电路的效率。

可焊侧翼选项

NVMFS6H818NWF 提供了可焊侧翼选项，这一设计有助于增强光学检测的效果，提高生产过程中的检测准确性和效率。

汽车级认证

该器件通过了 AEC - Q101 认证，并且具备生产件批准程序（PPAP）能力，适用于汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。此外，它还是无铅产品，符合 RoHS 标准。

主要参数

最大额定值

参数	符号	数值	单位
漏源电压	(V_{DSS})	80	V
栅源电压	(V_{GS})	±20	V
连续漏极电流（(T_{C}=25^{circ}C)）	(I_{D})	123	A
连续漏极电流（(T_{C}=100^{circ}C)）	(I_{D})	87	A
功率耗散（(T_{C}=25^{circ}C)）	(P_{D})	136	W
功率耗散（(T_{C}=100^{circ}C)）	(P_{D})	68	W
脉冲漏极电流（(T{A}=25^{circ}C)，(t{p}=10mu s)）	(I_{DM})	900	A
工作结温和存储温度范围	(T{J})，(T{stg})	- 55 至 + 175	°C
源极电流（体二极管）	(I_{S})	113	A
单脉冲漏源雪崩能量（(I_{L(pk)} = 9.3 A)）	(E_{AS})	731	mJ
焊接用引脚温度（距外壳 1/8″，10 s）	(T_{L})	260	°C

电气特性

• 关断特性：漏源击穿电压 (V{(BR)DSS}) 为 80 V，零栅压漏极电流 (I{DSS}) 在 (T{J}=25^{circ}C) 时为 10 μA，在 (T{J}=125^{circ}C) 时为 100 μA。
• 导通特性：栅极阈值电压 (V{GS(TH)}) 范围为 2.0 - 4.0 V，漏源导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=20 A) 时为 3.1 - 3.7 mΩ。
• 电荷、电容和栅极电阻：输入电容 (C{ISS}) 为 3100 pF，输出电容 (C{OSS}) 为 440 pF，反向传输电容 (C{RSS}) 为 20 pF，总栅极电荷 (Q{G(TOT)}) 为 46 nC。
• 开关特性：上升时间 (t_{r}) 为 98 ns。

典型特性曲线

文档中给出了多个典型特性曲线，这些曲线对于工程师在实际设计中非常有帮助。

导通区域特性

从图 1 的导通区域特性曲线可以看出，不同栅源电压下，漏极电流随漏源电压的变化情况。这有助于工程师根据实际需求选择合适的栅源电压来控制漏极电流。

传输特性

图 2 的传输特性曲线展示了在不同结温下，漏极电流与栅源电压的关系。可以看到，结温对传输特性有一定的影响，在设计时需要考虑结温的变化。

导通电阻特性

图 3 显示了导通电阻与栅源电压的关系，图 4 展示了导通电阻与漏极电流和栅极电压的关系，图 5 则呈现了导通电阻随温度的变化。这些曲线可以帮助工程师更好地理解导通电阻的特性，从而优化电路设计。

封装与订购信息

封装尺寸

NVMFS6H818N 提供了 DFN5（SO - 8FL）和 DFNW5 两种封装。文档中详细给出了这两种封装的机械尺寸和引脚布局，工程师在进行 PCB 设计时可以参考这些信息。

订购信息

提供了两种型号的订购信息，分别是 NVMFS6H818NT1G 和 NVMFS6H818NWFT1G，它们的封装不同，前者为 DFN5，后者为 DFNW5，且都采用 1500 个/卷带包装。

总结

onsemi 的 NVMFS6H818N 功率 MOSFET 凭借其紧凑的设计、低损耗特性、可焊侧翼选项以及汽车级认证等优势，在电子设计领域具有广泛的应用前景。通过对其参数和典型特性的深入了解，工程师可以更好地将其应用于实际电路中，提高电路的性能和可靠性。在实际设计过程中，你是否遇到过类似 MOSFET 应用的难题呢？又有哪些经验可以分享呢？欢迎在评论区留言讨论。