FDB024N06 - N沟道PowerTrench® MOSFET：高性能开关的理想之选

在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的MOSFET至关重要。今天，我们就来深入了解一下飞兆半导体（现属于安森美半导体）的FDB024N06 - N沟道PowerTrench® MOSFET。

文件下载：FDB024N06CN-D.pdf

一、安森美与飞兆的整合

飞兆半导体已成为安森美半导体的一部分。由于系统要求，部分飞兆可订购的零件编号需要更改，原飞兆零件编号中的下划线（_）将改为破折号（-）。大家可通过安森美官网（www.onsemi.com）核实更新后的设备编号，获取最新的订购信息。若对系统集成有疑问，可发邮件至[e-mail]。

二、FDB024N06 MOSFET的特性

2.1 基本参数

FDB024N06是一款60V、265A、2.4mΩ的N沟道MOSFET。在(V{GS}=10V)，(I{D}=75A)的典型条件下，其导通电阻(R_{DS(on)} = 1.8mΩ)。

2.2 性能优势

• 快速开关速度：能够实现快速的导通和关断，减少开关损耗，提高电路的效率。
• 低栅极电荷：降低了驱动电路的功耗，使驱动更加容易。
• 高性能沟道技术：可实现极低的(R_{DS(on)})，有效降低导通损耗。
• 高功率和高电流处理能力：能够承受较大的功率和电流，适用于高功率应用。
• 符合RoHS标准：满足环保要求，符合现代电子产品的发展趋势。

三、应用领域

3.1 同步整流

可用于ATX/服务器/电信PSU的同步整流，提高电源的效率和性能。

3.2 电池保护电路

在电池保护电路中，能够快速响应，保护电池免受过充、过放等损害。

3.3 电机驱动和不间断电源

为电机驱动和不间断电源提供稳定的功率输出，确保设备的正常运行。

3.4 可再生系统

在可再生能源系统中，如太阳能、风能发电系统，可实现高效的功率转换。

四、电气特性

4.1 最大额定值

符号	参数	FDB024N06	单位
(V_{DSS})	漏极 - 源极电压	60	V
(V_{GSS})	栅极 - 源极电压	±20	V
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=25°C)，硅限制）	265	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=100°C)，硅限制）	190	A
(I_{D})	漏极电流（连续，(T_{C}=25°C)，封装限制）	120	A
(I_{DM})	漏极电流（脉冲）	1060	A
(E_{AS})	单脉冲雪崩能量	2531	mJ
(dv/dt)	峰值二极管恢复(dv/dt)	6.0	V/ns
(P_{D})	功耗（(T_{C}=25°C)）	395	W
(P_{D})	功耗（降低至(25°C)以上）	2.6	W/°C
(T{J}, T{STG})	工作和存储温度范围	-55 ~ +175	°C
(T_{L})	用于焊接的最大引线温度（距离外壳1/8"，持续5秒）	300	°C

4.2 电气特性参数

• 关断特性：如漏极 - 源极击穿电压(BVDSS)、击穿电压温度系数(Delta BVDSS / Delta TJ)、零栅极电压漏极电流(IDSS)、栅极 - 体漏电流(IGSS)等。
• 导通特性：包括栅极阈值电压(VGS(th))、漏极至源极静态导通电阻(RDS(on))、正向跨导(gFS)等。
• 动态特性：如输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)、反向传输电容(Crss)、栅极电荷总量(Qg(tot))等。
• 开关特性：导通延迟时间(td(on))、开通上升时间(tr)、关断延迟时间(td(off))、关断下降时间(tf)等。
• 漏极 - 源极二极管特性：如漏极 - 源极二极管最大正向连续电流(IS)、最大正向脉冲电流(ISM)、正向电压(VSD)、反向恢复时间(trr)、反向恢复电荷(Qrr)等。

五、热性能

符号	参数	FDB024N06	单位
(R_{θJC})	结至外壳热阻最大值	0.38	°C/W
(R_{θJA})	结至环境热阻（最小尺寸的2盎司焊盘）最大值	62.5	°C/W
(R_{θJA})	结至环境热阻（1in² 2盎司焊盘）最大值	40	°C/W

良好的热性能有助于保证MOSFET在工作过程中的稳定性和可靠性。

六、典型性能特征

文档中给出了多个典型性能特征图，如导通区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系、电容特性、栅极电荷特性等。这些特性图能够帮助工程师更好地了解MOSFET在不同工作条件下的性能表现，从而进行合理的设计。

七、封装与订购信息

FDB024N06采用D2 - PAK封装，包装方法为卷带，卷尺寸为330mm，带宽为24mm，每卷有800个器件。

八、注意事项

• 安森美半导体保留对产品进行更改的权利，且不做进一步通知。
• 产品的“典型”参数在不同应用中可能会有所变化，实际性能也可能随时间而改变，所有工作参数都需要由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。
• 安森美半导体产品不设计、不打算也未获授权用于生命支持系统、FDA Class 3医疗设备或类似分类的医疗设备以及用于人体植入的设备。若客户将产品用于此类非预期或未授权的应用，需承担相应责任。

FDB024N06 - N沟道PowerTrench® MOSFET凭借其优异的性能和广泛的应用领域，为电子工程师在设计高性能电路时提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师们需要根据具体的设计需求，结合MOSFET的各项特性和参数，进行合理的选型和设计。大家在使用过程中遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享交流。