FDB024N08BL7 N沟道PowerTrench® MOSFET：特性、参数与应用解析

飞兆半导体（Fairchild）如今已成为安森美半导体（ON Semiconductor）的一部分。在半导体整合过程中，部分飞兆可订购的零件编号需进行更改，以满足安森美半导体的系统要求，例如飞兆零件编号中的下划线（_）将改为短横线（-）。今天，我们就来详细了解一款飞兆的产品——FDB024N08BL7 N沟道PowerTrench® MOSFET。

文件下载：FDB024N08BL7CN-D.pdf

一、产品概述

FDB024N08BL7是一款采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产的N沟道MOSFET。该工艺专为最大限度地降低导通电阻并保持卓越开关性能而定制。它具有80V的漏极 - 源极电压，连续漏极电流在不同条件下有不同表现，如在TC = 25°C（硅限制）时为229A，在TC = 100°C（硅限制）时为162A ，在TC = 25°C（封装限制）时为120A 。

二、最大额定值与热性能

1. 最大额定值

符号	参数	FDB024N08BL7	单位
VDSS	漏极 - 源极电压	80	V
VGSS	栅极 - 源极电压	±20	V
ID（连续，TC = 25°C，硅限制）	漏极电流	229*	A
ID（连续，TC = 100°C，硅限制）	漏极电流	162*	A
ID（连续，TC = 25°C，封装限制）	漏极电流	120	A
IDM	漏极电流 - 脉冲（注1）	916	A
EAS	单脉冲雪崩能量（注2）	917	mJ
dv/dt	二极管恢复dv/dt峰值（注3）	6.0	V/ns
PD（TC = 25°C）	功耗	246	W
PD（高于25°C的功耗系数）	功耗	1.64	W/°C
TJ, TSTG	工作和存储温度范围	-55至 +175	°C
TL	用于焊接的最高引脚温度（距离外壳1/8”，持续5秒）	300	°C

注：连续电流是基于最高可允许的结温计算所得，封装限制电流为120A。

2. 热性能

符号	参数	FDB024N08BL7	单位
RθJC	结至外壳热阻最大值	0.61	°C/W
RθJA	结至环境热阻最大值	62.5	-

热性能对于MOSFET的稳定工作至关重要，工程师在设计电路时，需要根据这些热阻参数来考虑散热方案，以确保MOSFET在合适的温度范围内工作。

三、特性亮点

1. 低导通电阻：RDS(on) = 1.7 m（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 100 A ，低导通电阻可以有效降低功率损耗，提高电路效率。
2. *低FOM RDS(on) QG**：这一特性有助于减少开关损耗，提升整体性能。
3. 低反向恢复电荷：Qrr = 112 nC，软反向恢复体二极管，可实现高效同步整流。
4. 快速开关速度：能够满足高速开关应用的需求。
5. 符合环保标准：符合RoHS标准，并且通过JEDEC JESD22 - A113F和IPC/JEDEC J - STD - 020D.1认证。

四、应用领域

1. 同步整流：用于ATX/服务器/电信PSU的同步整流，可提高电源的效率和性能。
2. 电池保护电路：在电池保护电路中发挥重要作用，保障电池的安全使用。
3. 电机驱动和不间断电源：为电机驱动和不间断电源提供稳定可靠的开关控制。

五、电气特性

1. 关断特性

包括漏极 - 源极击穿电压BVDSS、击穿电压温度系数∆BVDSS/∆TJ、零栅极电压漏极电流IDSS、栅极 - 体漏电流IGSS等参数。这些参数反映了MOSFET在关断状态下的性能，对于电路的可靠性设计非常重要。

2. 导通特性

如栅极阈值电压VGS(th)、漏极至源极静态导通电阻RDS(on)、正向跨导gFS等。这些参数决定了MOSFET在导通状态下的性能，工程师需要根据具体应用需求来选择合适的参数。

3. 动态特性

包括输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss等。这些电容参数会影响MOSFET的开关速度和动态性能。

4. 开关特性

如导通延迟时间td(on)、导通上升时间tr、关断延迟时间td(off)、关断下降时间tf等。这些时间参数直接影响MOSFET的开关速度和效率。

5. 漏极 - 源极二极管特性

包括漏极 - 源极二极管最大正向连续电流IS、最大正向脉冲电流ISM、正向电压VSD、反向恢复时间trr、反向恢复电荷Qrr等。这些参数对于二极管的性能和应用至关重要。

六、典型性能特征

文档中给出了多个典型性能特征图，如导通区域特性、传输特性、导通电阻变化与漏极电流和栅极电压的关系、体二极管正向电压变化与源极电流和温度的关系等。这些图表直观地展示了MOSFET在不同条件下的性能表现，工程师可以根据这些图表来评估MOSFET在实际应用中的性能。

七、机械尺寸与封装

该MOSFET采用TO - 263 (D2PAK)，模塑，7引脚，表面贴装封装。封装图纸可能会在没有任何通知的情况下做出改动，如有疑问，可联系飞兆半导体代表核实或获得最新版本。

八、注意事项

安森美半导体保留对产品进行更改的权利，并且不承担因产品应用或使用而产生的任何责任。同时，该产品不适合用于生命支持系统或FDA Class 3医疗设备等关键应用。如果购买或使用该产品用于非预期或未经授权的应用，买家需承担相应的责任。

在实际设计中，工程师们需要根据具体的应用场景和需求，综合考虑FDB024N08BL7的各项参数和特性，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用这款MOSFET的过程中，有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。