深入解析 onsemi ECH8663R 双 N 沟道 MOSFET

在电子设计领域，MOSFET 作为一种关键的功率开关器件，广泛应用于各类电路中。今天我们就来详细探讨 onsemi 推出的 ECH8663R 双 N 沟道 MOSFET，看看它有哪些独特的特性和优势。

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一、产品特性亮点

低导通电阻

ECH8663R 具备低导通电阻的特性，这意味着在导通状态下，它能够有效降低功率损耗，提高电路的效率。特别是在 2.5V 驱动时，其导通电阻表现出色，为电路设计提供了更优的选择。

2.5V 驱动能力

支持 2.5V 驱动，使得该 MOSFET 在低电压应用场景中具有良好的适应性，能够满足一些对电压要求较为严格的电路设计需求。

共漏极类型

采用共漏极类型的设计，方便在电路中进行布局和连接，简化了电路设计的复杂度。

内置保护功能

内置保护二极管和栅极保护电阻，能够有效保护 MOSFET 免受过压、过流等异常情况的影响，提高了器件的可靠性和稳定性。

适合锂电池充放电开关

该产品特别适合用于锂电池的充放电开关，能够精准控制锂电池的充放电过程，保障锂电池的安全和性能。

无卤合规

符合无卤标准，满足环保要求，符合现代电子设备对环保的追求。

二、规格参数详解

绝对最大额定值

参数	符号	条件	额定值	单位
漏源电压	(V_{DSS})		30	V
栅源电压	(V_{GSS})		±12	V
漏极电流（直流）	(I_{D})		8	A
漏极电流（脉冲）	(I_{DP})	(PWleq10mu s)，占空比 ≤ 1%	60	A
允许功率耗散	(P_{D})	安装在陶瓷基板（(900mm^2times0.8mm)）1 单元	1.4	W
总功率耗散	(P_{T})	安装在陶瓷基板（(900mm^2times0.8mm)）	1.5	W
沟道温度	(T_{ch})		150	°C
存储温度	(T_{stg})		-55 至 +150	°C

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

导通电阻

条件	(R_{DS(on)}) MAX
30V，8A
3.1V 驱动	23 mΩ
2.5V 驱动	28 mΩ

不同驱动电压下的导通电阻值为电路设计提供了重要参考，工程师可以根据实际需求选择合适的驱动电压。

电气特性

参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
漏源击穿电压	(V_{(BR)DSS})	(I{D}=1mA)，(V{GS}=0V)	30			V
零栅压漏极电流	(I_{DSS})	(V{DS}=30V)，(V{GS}=0V)			1	μA
栅源泄漏电流	(I_{GSS})	(V{GS}= +8V)，(V{DS}=0V)			±10	μA
截止电压	(V_{GS(off)})	(V{DS}=10V)，(I{D}=1mA)	0.5		1.3	V
正向传输导纳	(y_{fs})	(V{DS}=10V)，(I{D}=4A)	5	8.5		S
静态漏源导通电阻 1	(R_{DS(on)1})	(I{D}=4A)，(V{GS}=4.5V)	10.5	15.5	20.5	mΩ
静态漏源导通电阻 2	(R_{DS(on)2})	(I{D}=4A)，(V{GS}=4.0V)	11	16	21	mΩ
静态漏源导通电阻 3	(R_{DS(on)3})	(I{D}=2A)，(V{GS}=3.1V)	12	17.5	23	mΩ
静态漏源导通电阻 4	(R_{DS(on)4})	(I{D}=2A)，(V{GS}=2.5V)	12	20	28	mΩ
开启延迟时间	(t_{d(on)})	见指定测试电路	1	320		ns
上升时间	(t_{r})		850		ns
关断延迟时间	(t_{d(off)})		4200		ns
下降时间	(t_{f})		1800		ns
总栅极电荷	(Q_{g})	(V{DS}=10V)，(V{GS}=4.5V)，(I_{D}=8A)		12.3		nC
栅源电荷	(Q_{gs})		2.4		nC
栅漏“米勒”电荷	(Q_{gd})		2.8		nC
二极管正向电压	(V_{SD})	(I{S}=8A)，(V{GS}=0V)		0.75	1.2	V

这些电气特性参数对于评估 MOSFET 在不同工作条件下的性能至关重要，工程师在设计电路时需要根据具体需求进行合理选择。

三、测试电路与特性曲线

开关时间测试电路

文档中给出了开关时间测试电路的具体参数，如 (V{DD}=15V)，(V{IN}=4.5V)，(I{D}=4A)，(R{L}=3.75Omega) 等。通过这个测试电路，可以准确测量 MOSFET 的开关时间特性。

特性曲线

文档中还提供了一系列特性曲线，包括 (I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{a})、(vert y{fs}vert -I{D})、(I{S}-V{SD})、(SW Time - I{D})、(V{GS}-Q{g})、(ASO) 和 (P{D}-T_{a}) 等。这些曲线直观地展示了 MOSFET 在不同工作条件下的性能变化，帮助工程师更好地理解和应用该器件。

四、封装与订购信息

封装形式

ECH8663R 采用 SOT - 28FL / ECH8 封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，方便在电路板上进行安装和焊接。

订购信息

产品型号为 ECH8663R - TL - H，采用无铅和无卤封装，每盘 3000 个，采用卷带包装。如需了解卷带规格的详细信息，可参考相关的卷带包装规格手册。

五、总结与思考

onsemi 的 ECH8663R 双 N 沟道 MOSFET 具有低导通电阻、2.5V 驱动、内置保护功能等诸多优势，非常适合锂电池充放电开关等应用场景。在电路设计过程中，工程师需要根据具体的应用需求，综合考虑其规格参数和特性曲线，合理选择工作条件，以确保电路的性能和可靠性。同时，也要注意遵守产品的使用规范，避免超过最大额定值，从而保证器件的正常工作。大家在实际应用中是否遇到过类似 MOSFET 的选型问题呢？又是如何解决的呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。