onsemi ECH8690功率MOSFET：设计与应用的理想之选

在电子工程领域，功率MOSFET是至关重要的元件。今天我们来深入探讨一下onsemi推出的ECH8690功率MOSFET，它在众多低导通电阻要求的应用中表现出色。

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产品概述

ECH8690采用了onsemi的 trench技术，专门设计用于降低导通电阻。它是一款互补双MOSFET，包含N沟道和P沟道MOSFET，并且该器件是无铅、无卤且符合RoHS标准的，充分体现了环保理念。其封装为SOT - 28FL/ECH8，引脚电气连接和标记图等详细信息在数据手册中有说明。

产品特性

低导通电阻

这是该产品的一大亮点，低导通电阻能够有效降低功率损耗，提高系统效率。在不同的测试条件下，N沟道和P沟道的导通电阻都有出色的表现。例如，N沟道在(I{D}=2A)，(V{GS}=10V)时，典型导通电阻(R{DS(on)})为42mΩ，最大为55mΩ；P沟道在(I{D}=-1A)，(V{GS}=-10V)时，典型导通电阻(R{DS(on)})为73mΩ，最大为94mΩ。

保护二极管内置

内置的保护二极管可以为电路提供额外的保护，防止反向电压对MOSFET造成损坏，增强了系统的稳定性和可靠性。

4V驱动能力

支持4V驱动，这意味着在一些低电压驱动的应用场景中，该MOSFET能够很好地适配，为设计带来了更多的灵活性。

电气参数

绝对最大额定值

在(T{A}=25^{circ}C)的条件下，N沟道的漏源电压(V{DSS})最大为60V，P沟道为 - 60V；栅源电压(V{GSS})最大为±20V；N沟道的直流漏极电流(I{D})最大为4.7A，P沟道为 - 3.5A；脉冲漏极电流(I{DP})在PW≤10μs，占空比≤1%的条件下，N沟道和P沟道均为30A。此外，在安装在特定陶瓷基板（(1200mm^2×0.8mm)）上时，允许的功率耗散(P{D})为1.5W，总耗散(P{T})为1.8W，通道温度(T{ch})最大为150°C，存储温度(T_{stg})范围为 - 55°C到 + 150°C。需要注意的是，超过这些最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

在不同的测试条件下，N沟道和P沟道呈现出不同的电气特性。以N沟道为例，漏源击穿电压(V{(BR)DSS})在(I{D}=1mA)，(V{GS}=0V)时为60V；零栅压漏极电流(I{loss})在(V{DS}=60V)，(V{GS}=0V)时最大为1μA；栅源泄漏电流(I{GSS})在(V{GS}=±16V)，(V_{DS}=0V)时最大为±10μA等。P沟道也有相应的类似参数。这些参数为工程师在设计电路时提供了重要的参考依据。

典型特性

数据手册中给出了一系列典型特性曲线，如(I{D}-V{DS})、(I{D}-V{GS})、(R{DS(on)}-V{GS})、(R{DS(on)}-T{A})等曲线。这些曲线直观地展示了该MOSFET在不同电压、电流和温度条件下的性能表现。例如，(R{DS(on)}-V{GS})曲线可以帮助工程师了解导通电阻随栅源电压的变化情况，从而在设计时选择合适的栅源电压来获得所需的导通电阻。

应用与注意事项

应用

由于其低导通电阻和良好的电气性能，ECH8690适用于各种需要低导通电阻的应用，如电源管理、负载开关、电机驱动等领域。

注意事项

因为ECH8690是MOSFET产品，在使用时要避免在高电荷物体附近使用。如果用于指定应用以外的场景，需要联系销售部门。

总之，onsemi的ECH8690功率MOSFET以其出色的性能和环保特性，为电子工程师在电路设计中提供了一个可靠的选择。在实际应用中，工程师们可以根据具体的设计需求，结合其电气参数和典型特性，充分发挥该MOSFET的优势。大家在使用这款MOSFET的过程中，有没有遇到过什么特别的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享。