新洁能(NCE)作为国内功率器件领域的上市公司,深耕半导体功率器件研发与生产,推出的 NCEP0140AG是一款采用超级沟槽(Super Trench)技术的 N沟道功率 MOSFET,专为高频开关和同步整流场景打造。该器件凭借超低导通电阻与栅极电荷的组合优势,大幅降低导通和开关功率损耗,同时具备 100V耐压、40A大电流的核心性能,搭配 DFN5X6-8L贴片封装,兼顾散热性与小型化设计,成为 DC/DC转换器等电源转换领域的高性价比选择。
核心参数与特点:
- 电压与电流规格:VDS = 100V,ID = 40A,适用于中高压、中等电流的功率转换电路。
- 超低导通电阻:在VGS=10V条件下,典型RDS(ON)低至18mΩ;即使在4.5V的低压驱动下,典型值也仅为22mΩ。这能有效减少导通损耗,提升系统能效。
- 优化的开关特性:典型栅极电荷Qg为26nC,结合低RDS(ON),确保了快速的开关响应,尤其适合高频工作场景。
- 卓越的封装与散热:采用DFN5x6-8L贴片封装,体积小巧但散热性能出色,有助于设计紧凑型电源方案。
- 全面可靠性验证:除了100% UIS测试外,产品还通过了100% AVDS测试,充分保障了器件的耐用性和系统的长期稳定运行。
典型应用领域:
- DC/DC转换器:在各类降压、升压电路中作为主开关管或同步整流管,显著提高转换效率。
- 高频开关电路:其低Qg特性使其非常适用于对开关频率有较高要求的电路设计。
- 电源管理系统:可作为负载开关或用于不间断电源(UPS)的功率级中,实现高效的电源路径管理。

南山电子自2020年起成为新洁能(NCE)的正式授权代理商,代理其MOSFET、IGBT全系列产品,我们致力于为客户提供专业的产品服务与解决方案。如需获取最新产品信息,请联系南山电子官网在线客服。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
151文章
10759浏览量
234828 -
MOS
+关注
关注
32文章
1756浏览量
101204 -
功率器件
+关注
关注
43文章
2207浏览量
95445
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
突破新兴高效能电源要求上的限制
法规标准和消费者的更高要求时,重新检讨其设计方式就显得非常急迫。虽然可以改进传统的拓扑结构来达到更高效能要求,但可以明显地看出,沿用旧式设计方式的产品,其性价比将会低。在本文中,我们将提出两个能符合更高效能
发表于 02-04 10:10
NCE0140KA新洁能NCE0140KA原装100V N沟道 MOS
深圳市三佛科技有限公司 供应NCE0140KA新洁能NCE0140KA原装100V N沟道 MOS,原装正品,库存现货热销NCE
发表于 11-20 11:02
NCE0106R 新洁能 SOT-89封装 100V 6A 贴片MOS管
`深圳市三佛科技有限公司 供应 NCE0106R 新洁能 SOT-89封装 100V6A 贴片MOS管,原装,库存现货热销NCE0106R100V6A SOT-89 N沟道 MOS场效
发表于 10-28 16:28
意法推出新的高效能系列功率整流二极管STPS50U100C
意法推出新的高效能系列功率整流二极管STPS50U100C
意法半导体(STMicroelectronics;ST)推出新的高效能系列功率
发表于 04-02 11:47
•1030次阅读
罗姆发布高效能100V功率MOSFET,助力AI服务器电源管理升级
近日,罗姆半导体集团(ROHM)宣布推出一款新型100V功率MOSFET,专为AI服务器的48V电源热插拔电路设计。旨在提升数据中心的效率和可靠性,满足日益增长的人工智能计算需求。根据
ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服务器和工业电源高效能
近期,ROHM半导体公司发布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。这款器件专为48V电源架构中的热插拔电路设计,广泛应用于AI服务器及工业电源,尤其是在需要电池保
一款面向高频的高性能 MOSFET:新洁能 NCEP40T13AGU MOS管
在现代电力电子设计中,对于功率器件的要求日益严苛,不仅需要具备低导通损耗,还必须在高频开关环境下保持稳定。新洁能推出的NCEP40T13AGU便是一款针对此类需求设计的N沟道
150V/170A高性能N沟道MOSFET新洁能NCEP15T14LL详解
南山电子代理品牌新洁能(NCE)推出的NCEP15T14LL是一款N沟道超级沟槽功率MOSFET,采用先进的SuperTrench技术,专为
新洁能NCE60P16AK:高效可靠的P沟道功率MOSFET
南山电子代理的新洁能NCE60P16AK是一款采用先进沟槽技术设计的P沟道增强型功率MOSFET。该器件在低栅极电荷条件下仍能提供优异的导通电阻(RDS(ON)),兼具
新洁能NCE6020AQ高效能N沟道增强型功率MOSFET解析与应用
新洁能(NCE)推出的NCE6020AQ是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET。该器件在低栅极电荷条件下实现了优异的导通电阻特性,适用于多种
新洁能NCEP0218G:200V低损耗功率MOSFET,为高频开关而生
在DC/DC转换器、同步整流等高频开关应用中,功率MOSFET的导通损耗与开关损耗往往是系统效率的关键瓶颈。新洁能(NCEPower)推出的NCEP
CSD19532KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET:高效能功率转换的理想之选
CSD19532KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET:高效能功率转换的理想之选 在电子工程师的日常工作中,
新洁能NCEP038N10GU:高性能100V N沟道功率MOSFET的理想选择
在电源转换效率要求日益提高的今天,功率MOSFET作为核心元器件,其性能直接决定了整个系统的表现。新洁能(NCE)推出的NCEP038N10
新洁能NCE3008M功率MOSFET:高效电池保护与DC/DC转换的理想选择
新洁能(NCE)推出的NCE3008M是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的trench技术制造,专为现代电子设备中的电池保护和开关电源应用而设计。NCE3008M采用SOT-
高效能100V功率MOSFET新洁能NCEP0140AG选型资料
评论