新洁能(NCE)推出的NCE3008M是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的 trench技术制造,专为现代电子设备中的电池保护和开关电源应用而设计。NCE3008M采用SOT-89-3L标准封装,在30V漏源电压和8A连续漏极电流的条件下,能够提供卓越的性能表现,是工程师们在设计高效能电路时的理想选择。

核心技术特点:
1.超低导通电阻
- 当栅源电压为10V时,导通电阻仅为22.5mΩ
- 当栅源电压为4.5V时,导通电阻为32mΩ
- 典型值甚至更低,分别为19.8mΩ和27mΩ
这种低导通电阻特性意味着器件在工作时产生的功耗更小,系统效率更高,发热量更低。
2.低电压驱动能力
NCE3008M支持低至2.5V的栅极驱动电压,这使得它可以直接由低压逻辑电路控制,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计,降低了整体成本。栅极阈值电压范围为1.0V至2.4V,典型值为1.6V。
3.优异的动态特性
- 输入电容:564pF
- 输出电容:75pF
- 反向传输电容:66pF
- 总栅极电荷:14.2nC
这些参数表明NCE3008M具有快速的开关特性,开关延迟时间短,适合高频开关应用。
主要应用领域
- 电池保护电路:NCE3008M非常适合用于锂电池保护板,其低导通电阻可以减少保护电路带来的压降和功率损耗,延长电池续航时间。同时,±20V的栅源电压承受能力确保了在异常情况下器件的可靠性。
- DC/DC转换器:降压、升压或升降压转换器中,NCE3008M的低栅极电荷和快速开关特性有助于提高转换效率,减少开关损耗,特别适合便携式设备中的电源管理模块。
选型与订购信息
- 器件型号:NCE3008M
- 封装形式:SOT-89-3L
- 包装规格:编带包装,每盘1000只
南山电子是新洁能的原厂授权代理商,代理其MOSFET、IGBT全系列产品,我们致力于为客户提供专业的产品服务与解决方案。如需获取最新产品信息,请联系南山电子官网在线客服。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电池保护
+关注
关注
3文章
99浏览量
17365 -
MOS
+关注
关注
32文章
1756浏览量
101204 -
MOSFE
+关注
关注
0文章
10浏览量
10656
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型
发表于 10-19 16:47
沟槽MOS管系列NCE2302新洁能NCE
` NCE2302采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON),低栅电荷和低2.5V的栅电压操作。本设备适用于电池保护或其他开关应用。产品型号:NCE2302 产品种类:
发表于 07-21 17:13
新洁能NCE3407 NCE P通道增强模式电源MOSFET民信微
新洁能NCE3407是一款采用先进沟槽技术的NCE P通道增强模式电源MOSFET,民信微具备出色的RDS(ON)性能。该设备适用于作为负载
发表于 10-23 21:23
•0次下载
新洁能 NCE40P70K高性能P 沟道功率 MOSFET,助力高电流场景高效运行
负载的电子电路应用中。NCE40P70K凭借其优异的电气性能和稳定的质量表现,成为电源管理及功率开关领域的理想选择。南山电子自2020年起成为新洁
新洁能NCE01P30:高效能P沟道功率MOSFET的卓越之选
在便携式设备和电池供电系统日益普及的今天,如何提高电源管理效率、延长电池续航,成为了电子设计师们关注的核心。南山电子代理品牌新洁能(NCE)
onsemi FDMC8588 N沟道MOSFET:高效DC/DC转换的理想之选
onsemi FDMC8588 N沟道MOSFET:高效DC/DC转换的理想之选 在电子工程师的
探索FDT3612 N沟道MOSFET:高效DC/DC转换的理想之选
探索FDT3612 N沟道MOSFET:高效DC/DC转换的理想之选 在电子工程师的日常工作中,
FDS8896 N沟道MOSFET:高效DC/DC转换器的理想之选
FDS8896 N沟道MOSFET:高效DC/DC转换器的理想之选 在电子工程师的日常设计工作中
新洁能NCE3008M功率MOSFET:高效电池保护与DC/DC转换的理想选择
评论