新洁能NCEP0218G：200V低损耗功率MOSFET，为高频开关而生

在DC/DC转换器、同步整流等高频开关应用中，功率MOSFET的导通损耗与开关损耗往往是系统效率的关键瓶颈。新洁能（NCE Power）推出的NCEP0218G，凭借独特的Super Trench工艺，在200V耐压等级下实现了极低的导通电阻与栅极电荷组合，为工程师提供了一个兼顾效率与可靠性的理想选择。

产品亮点：

NCEP0218G是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Super Trench技术，其核心优势在于：

• 极低导通电阻RDS(on)：典型值仅70mΩ（VGS=10V），有效减少导通损耗；
• 栅极电荷Qg优化：总栅极电荷18nC，栅漏电荷（Miller电荷）仅4.6nC，开关速度更快；
• 优值系数FOM出色：RDS(on) × Qg的乘积处于同电压等级领先水平，特别适合高频硬开关拓扑。

关键参数速览（Tj=25℃）

参数	典型值	备注
漏源电压VDS	200V	耐压余量充足
连续漏极电流ID	18A	外壳温度25℃时
脉冲漏极电流IDM	72A	峰值能力强劲
导通电阻RDS(on)	70mΩ	VGS=10V, ID=18A
输入电容Ciss	951pF	VDS=100V, 1MHz
上升/下降时间	7ns / 4ns	VDD=100V
反向恢复电荷Qrr	125nC	体二极管性能稳健

100%经过UIS雪崩测试和ΔVds可靠性筛选，确保每颗产品在严苛工况下的耐受能力。

应用场景：

• DC/DC转换器——如通信电源、服务器主板供电；
• 高频开关电路——工作频率可达数百kHz；
• 同步整流——低压大电流输出场合，替换肖特基二极管可显著提升效率；
• 适配器、充电器——追求高功率密度与低温升的消费电子电源。

得益于DFN5×6小型贴片封装，NCEP0218G在有限PCB面积内也能实现大电流传输，同时保持优异的散热性能。

南山电子自2020年起成为新洁能（NCE）的正式授权代理商，代理其MOSFET、IGBT全系列产品，我们致力于为客户提供专业的产品服务与解决方案。如需获取最新产品信息，请联系南山电子官网在线客服。