SGM3760/SGM3760A：高效双通道屏幕闪光白光 LED 驱动芯片详解

在智能手机等设备的设计中，屏幕闪光白光 LED 驱动芯片的性能至关重要。今天我们就来深入了解一下 SGMICRO 推出的 SGM3760/SGM3760A 这两款 2 通道屏幕闪光白光 LED 驱动芯片。

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一、产品概述

SGM3760 和 SGM3760A 具备高效升压调节器，内置 40V/3.6A 功率 MOSFET，非常适合由单节锂离子电池供电的智能手机背光应用，其电源电压工作范围为 2.7V 至 5.5V。该芯片的升压输出具有自适应电压调节功能，且压降足够低，能够驱动多达 10S2P 的白光 LED 并实现高效率。在智能手机图像捕捉时，可将显示设备作为屏幕闪光模式的光源，当 strobe 信号激活时，每通道能在 32V 下驱动高达 80mA（SGM3760）/60mA（SGM3760A）的电流，持续时间为 330ms。

二、产品特性

（一）电气性能优越

1. 宽输入电压范围：输入电压范围为 2.7V 至 5.5V，能适配多种不同的电源环境。
2. 高效集成开关：集成 40V/3.6A 开关，最高效率可达 90%，有助于降低功耗。
3. 自适应升压调节：采用自适应升压调节器，开关频率为 1.15MHz，优化了上升时间和下降时间，可有效降低 SW 引脚的 EMI。

（二）灵活的电流控制

1. 双电流沉：在背光模式下，每个通道最多可提供 30mA 电流；在屏幕闪光模式下，SGM3760 可在 330ms 超时内提供 4 倍输出电流，SGM3760A 则为 3 倍。
2. 精准的电流匹配：LED 电流匹配和精度调节可达 1%，确保了 LED 发光的一致性。

（三）低功耗与调光功能

1. 低压降：极低的压降电压仅为 150mV，减少了能量损耗。
2. PWM 调光接口：支持 PWM 调光接口，在超过 1:500 的 PWM 范围内调光稳定，并且在轻载时采用 PFM 模式，进一步降低功耗。

（四）完善的保护机制

1. 软启动：具备自动软启动功能，可减少浪涌电流，保护芯片和其他元件。
2. 多重保护：包含 41.5V 过压保护、LED 开路或短路保护以及热关断保护等，提高了芯片的可靠性和稳定性。

（五）广泛的工作温度范围

工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃，适用于多种不同的使用环境。

（六）环保封装

采用绿色 WLCSP - 1.32×1.32 - 9B 封装，符合环保要求。

三、应用领域

该芯片主要应用于 PDA、手持计算机以及单节电池输入的媒体格式 LCD 显示器背光等领域，为这些设备的屏幕显示提供了可靠的 LED 驱动解决方案。

四、产品选型与订购信息

型号	封装描述	指定温度范围	订购编号	封装标记	包装选项
SGM3760	WLCSP - 1.32×1.32 - 9B	-40℃ 至 +85℃	SGM3760YG/TR	XXXX ME6	卷带包装，3000 个
SGM3760A	WLCSP - 1.32×1.32 - 9B	-40℃ 至 +85℃	SGM3760AYG/TR	XXXX C04	卷带包装，3000 个

五、引脚配置与功能

（一）引脚配置

SGM3760/A 采用 WLCSP - 1.32×1.32 - 9B 封装，其引脚配置如下（顶视图）：

1 2 3
A
ISET IFB1
IFB2
B
GND
PWM COMP
STRB VIN SW
C

（二）引脚功能

引脚	名称	输入/输出	功能
A1	ISET	输入	电流设置引脚，通过连接外部电阻到地来设置最大 LED 电流。
A2	IFB2	输入	调节电流沉 2。
A3	IFB1	输入	调节电流沉 1。
B1	PWM	输入	PWM 调光输入。
B2	COMP	输出	跨导误差放大器输出，连接外部电容到地以补偿转换器。
B3	GND	输出	接地引脚。
C1	STRB	输入	频闪信号输入引脚，用于同步闪光脉冲和图像捕捉，一般由图像传感器直接生成该信号。
C2	VIN	输入	输入电源引脚。
C3	SW	输入	内部低端 N 沟道 MOSFET 的漏极连接。

六、典型应用电路

典型应用电路中，输入电压 VBAT 范围为 2.7V 至 5.5V，使用 10μH 的电感 L 和多个电容进行滤波。通过外部电阻 RISET（63.4kΩ）设置背光模式下的默认白光 LED 电流，在操作过程中，可通过向 PWM 引脚施加 PWM 信号来控制 LED 电流。

（一）背光模式

SGM3760/A 能够以每通道 30mA 的电流驱动 10S2P 的 LED。

（二）闪光模式

SGM3760 能够在 330ms 内以每通道 80mA 的电流驱动 8S2P 的 LED；SGM3760A 能够在 330ms 内以每通道 60mA 的电流驱动 10S2P 的 LED。

七、电气特性

（一）电源相关特性

输入电压范围为 2.7V 至 5.5V，工作静态电流在 1.7mA 至 2.1mA 之间（VIN = 3.6V，开关频率 1.15MHz 且无负载），关断电流最大为 1μA（PWM = 低）。

（二）信号阈值与时间特性

STRB/PWM 逻辑高电压阈值为 1.65V，逻辑低电压阈值为 0.50V。PWM 引脚内部下拉电阻为 900kΩ，STRB 引脚内部下拉电阻为 55kΩ。PWM 逻辑高时间到背光模式为 55ms，STRB 逻辑高时间到闪光模式为 50μs，闪光模式定时器为 330ms。

（三）调节特性

ISET 引脚在背光模式全亮度下的电压为 1.184V 至 1.256V，背光模式电流乘数为 1050，SGM3760 在闪光模式全亮度下的电流乘数为 4200，SGM3760A 为 3150。电流精度在 ±5% 以内，最大电流与平均电流的偏差不超过 2.5%。

（四）功率开关与振荡器特性

开关 MOSFET 导通电阻在 VIN = 3.6V 时为 0.18Ω，振荡器频率为 950kHz 至 1350kHz，最大占空比为 96%。

（五）保护特性

闪光模式开关 MOSFET 电流限制为 3.6A，背光模式开关 MOSFET 电流限制为 1.35A 至 2.10A，开关 MOSFET 启动电流限制为 0.6A。SW 引脚过压阈值为 40.0V 至 43.0V，IFBx 引脚过压阈值为 4.5V，热关断阈值为 150℃，热关断迟滞为 15℃。

八、推荐测试电路组件

推荐使用 10μH/CD75NP - 100KC 的电感和 MBR0540 的二极管，以及 1μF/C2012X7R1H105JT 的电容。

九、典型性能特性

文档中给出了多种典型性能特性曲线，包括开关波形、启动波形、关断波形、开路 LED 保护、PWM 调光时的输出纹波、闪光模式启动和关断、闪光模式超时保护、调光瞬态波形以及效率与调光占空比的关系等。通过这些曲线，我们可以直观地了解芯片在不同工作条件下的性能表现。

十、总结

SGM3760/SGM3760A 是两款性能出色的 2 通道屏幕闪光白光 LED 驱动芯片，具有高效、灵活、可靠等优点。在设计智能手机等设备的背光和闪光功能时，工程师可以根据具体需求选择合适的型号，并参考其典型应用电路和电气特性进行设计，以确保设备的性能和稳定性。大家在实际应用中是否遇到过类似芯片的使用问题呢？欢迎在评论区交流分享。