0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

AFGB30T65RQDN IGBT技术解析与应用指南

科技观察员 2025-11-21 14:08 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

安森美 (onsemi) AFGB30T65RQDN绝缘栅极双极晶体管IGBT)可为汽车应用提供最佳性能。 该IGBT具有大电流能力、快速开关、高输入阻抗和收紧的参数分布。AFGB30T65RQDN IGBT具有短路额定值,同时兼具高品质因数及低导通损耗和低开关损耗。 该IGBT满足AEC-Q101要求,无铅,符合RoHS标准。典型应用包括HEV/EV的电动压缩机和HEV/EV的PTC加热器。

数据手册;*附件:onsemi AFGB30T65RQDN IGBT数据手册.pdf

特性

  • 最高结温 (T J ):175°C
  • 具有正温度系数,便于并联操作
  • 大电流能力
  • 高输入阻抗
  • 快速开关
  • 参数分布紧密
  • 低饱和电压:V CE(Sat) =1.58V(典型值,I C =30A时)
  • 符合 AEC-Q101
  • 无铅
  • 符合RoHS标准

AFGB30T65RQDN IGBT技术解析与应用指南

一、产品概述

AFGB30T65RQDN是安森美(onsemi)推出的‌车规级IGBT‌产品,采用‌第四代场截止(FS4)技术‌,专为混合动力/电动汽车(HEV/EV)应用设计。该器件具有650V耐压、30A额定电流能力,在高温环境下表现稳定。

主要特性‌:

  • 最大结温:TJ = 175°C
  • 正温度系数,便于并联运行
  • 低饱和电压:VCE(Sat) = 1.58V(典型值)@ IC = 30A
  • 快速开关能力
  • 通过AEC-Q101车规认证

二、极限参数详解

2.1 电压参数

  • VCES‌:集电极-发射极电压 650V
  • VGES‌:栅极-发射极瞬态电压 ±30V(脉宽5ms,占空比<0.10)

2.2 电流参数

  • IC‌:集电极电流
    • TC = 25°C时:68A
    • TC = 100°C时:30A
  • ILM/ICM‌:脉冲集电极电流 120A
  • IF‌:二极管正向电流
    • TC = 25°C时:68A
    • TC = 100°C时:30A

2.3 热性能参数

  • PD‌:最大耗散功率
    • TC = 25°C时:235.48W
    • TC = 100°C时:117.74W

三、电气特性分析

3.1 静态特性

  • BVCES‌:集电极-发射极击穿电压 ≥650V
  • VGE(th) ‌:栅极-发射极阈值电压 4.30-6.30V
  • VCE(sat) ‌:饱和电压
    • TJ = 25°C时:典型值1.58V
    • TJ = 175°C时:典型值1.94V

3.2 动态特性

  • 开关时间‌(VCC=400V,IC=30A,RG=2.5Ω):
    • 开通延迟时间 td(on):典型值20ns
    • 上升时间 tr:典型值40ns
    • 关断延迟时间 td(off):典型值60ns
    • 下降时间 tf:典型值144ns

3.3 栅极特性

  • Qg‌:总栅极电荷 38nC(典型值)
  • Rg‌:栅极电阻 15Ω

四、典型应用场景

4.1 HEV/EV压缩机驱动

凭借其‌低导通损耗‌和‌快速开关特性‌,AFGB30T65RQDN特别适合电动汽车空调压缩机驱动。175°C的高温工作能力确保在发动机舱恶劣环境下稳定运行。

4.2 PTC加热器控制

在电动汽车PTC加热器应用中,该器件能够提供‌高效率的能量转换‌,同时满足汽车电子的可靠性要求。

五、设计注意事项

5.1 栅极驱动设计

  • 推荐栅极驱动电压:15V
  • 栅极电阻选择需权衡开关损耗与EMI性能

5.2 热管理

  • 结壳热阻 RθJC:0.64°C/W(最大值)
  • 需要充分散热设计以发挥最大性能

六、性能优势总结

  1. 高效率‌:优化的VCE(sat)与开关特性平衡
  2. 高可靠性‌:通过车规级认证,适合汽车应用
  3. 易于使用‌:正温度系数便于并联,扩大功率范围
  4. 温度适应性‌:宽广的工作温度范围(-55°C至+175°C)
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 绝缘
    +关注

    关注

    1

    文章

    461

    浏览量

    22742
  • IGBT
    +关注

    关注

    1286

    文章

    4258

    浏览量

    260377
  • 双极晶体管
    +关注

    关注

    0

    文章

    82

    浏览量

    13813
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    semikron_IGBT_技术指南

    semikron_IGBT_技术指南中文版
    发表于 04-04 17:12

    FGA30T65SHD 650 V 30 A场截止沟道IGBT

    电子发烧友网为你提供()FGA30T65SHD相关产品参数、数据手册,更有FGA30T65SHD的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,FGA30T65SHD真值表,FGA30T65
    发表于 04-18 23:10

    FGH30T65UPDT 650V,30A场截止沟道IGBT

    电子发烧友网为你提供()FGH30T65UPDT相关产品参数、数据手册,更有FGH30T65UPDT的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,FGH30T65UPDT真值表,FGH30T
    发表于 04-18 18:49

    RJP65T43DPQ-A0 数据表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

    RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
    发表于 03-22 18:36 0次下载
    RJP<b class='flag-5'>65T</b>43DPQ-A0 数据表(650V-<b class='flag-5'>30A-IGBT</b>, Application: Power Factor Correction circuit)

    RJP65T54DPM-A0 数据表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

    RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
    发表于 03-23 19:10 0次下载
    RJP<b class='flag-5'>65T</b>54DPM-A0 数据表(650V-<b class='flag-5'>30A-IGBT</b> Application: Partial switching circuit)

    FHA60T65A型号户外储能电源IGBT介绍

    IGBT选FHA60T65A型号,代换FGH60N60SMD型号参数的IGBT也是选FHA60T65A型号。
    的头像 发表于 04-20 10:21 2496次阅读

    RJP65T43DPQ-A0 数据表(650V-30A-IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)

    RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
    发表于 07-07 20:26 0次下载
    RJP<b class='flag-5'>65T</b>43DPQ-A0 数据表(650V-<b class='flag-5'>30A-IGBT</b>, Application: Power Factor Correction circuit)

    RJP65T54DPM-A0 数据表(650V-30A-IGBT Application: Partial switching circuit)

    RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
    发表于 07-10 19:00 0次下载
    RJP<b class='flag-5'>65T</b>54DPM-A0 数据表(650V-<b class='flag-5'>30A-IGBT</b> Application: Partial switching circuit)

    STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数

    供应STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数,提供SGT30T60SDM1P7关键参
    发表于 04-03 16:59 2次下载

    650V 30A沟槽和场阻IGBT JJT30N65SE数据手册

    电子发烧友网站提供《650V 30A沟槽和场阻IGBT JJT30N65SE数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-10 17:03 0次下载

    STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT技术解析与应用

    STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG在
    的头像 发表于 10-17 17:42 1991次阅读
    STGHU<b class='flag-5'>30M65</b>DF2AG汽车级<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>技术</b><b class='flag-5'>解析</b>与应用

    STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT深度解析与应用指南

    STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT设计采用获得专利的先进沟槽式栅极场终止型结构。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG为
    的头像 发表于 10-17 17:49 2351次阅读
    STGWA<b class='flag-5'>30M65</b>DF2AG汽车级<b class='flag-5'>IGBT</b>深度<b class='flag-5'>解析</b>与应用<b class='flag-5'>指南</b>

    STGSH80HB65DAG汽车级IGBT技术深度解析与应用指南

    STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有两个IGBT和二极管,采用紧凑、坚固的表面贴装封装。 STMicroelectronics
    的头像 发表于 10-25 16:30 2657次阅读
    STGSH80HB<b class='flag-5'>65</b>DAG汽车级<b class='flag-5'>IGBT</b><b class='flag-5'>技术</b>深度<b class='flag-5'>解析</b>与应用<b class='flag-5'>指南</b>

    ‌AFGBG70T65SQDC IGBT功率器件技术解析与应用指南

    安森美 (onsemi) AFGBG70T65SQDC N沟道场截止IV高速IGBT采用新型场截止第四代IGBT技术和第1.5代SiC肖特基二极管
    的头像 发表于 11-21 15:34 596次阅读
    ‌AFGBG70<b class='flag-5'>T65</b>SQDC <b class='flag-5'>IGBT</b>功率器件<b class='flag-5'>技术</b><b class='flag-5'>解析</b>与应用<b class='flag-5'>指南</b>

    安森美AFGHL50T65RQDN IGBT:汽车应用的理想之选

    在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)一直是功率电子应用中的关键器件。今天,我们要深入探讨安森美(onsemi)推出的一款专为汽车应用设计的IGBT——AFGHL50T65RQDN,看看它究竟有哪些独特之处。
    的头像 发表于 11-28 16:25 788次阅读
    安森美AFGHL50<b class='flag-5'>T65RQDN</b> <b class='flag-5'>IGBT</b>:汽车应用的理想之选