在电子制造业国产化替代浪潮下,越来越多的工程师在了解飞虹半导体研发的FHF20T60A型号IGBT单管,通过精准参数设计与工艺优化,该款IGBT单管已实现可代换SGT20T60SDM1P7的型号参数,为高频车载逆变器电路等场景提供可靠解决方案。

FHF20T60A在高频车载逆变器设计的特点
1、从电气参数来看:
这款N沟道沟槽栅截止型IGBT具备600V集电极-发射极电压和20A连续电流承载能力,与SGT20T60SDM1P7的型号参数匹配。其饱和压降低至1.49V(典型值),结合关断损耗仅0.28mJ,确保了在硬开关场景如高频车载逆变器中,导通与开关损耗达到最优平衡。
2、从产品特性来看:
集成快恢复二极管特性,反向恢复时间短至47ns,有效减少开关噪声和电磁干扰,提升系统稳定性。
3、从产品特点来看:
高可靠性、拥有反向并行的快恢复二极管、Trench Field Stop technology(拖尾电流非常短、出色的Vcesat饱和压降、关断损耗低)、拥有正温度系数、适用频率:20KHz。

FHF20T60A核心参数的匹配适用
该器件为场N沟道沟槽栅截止型IGBT,主要参数如下:
集电极-发射极电压(VcEs):600 V
连续集电极电流(Ic):20 A (at 100°C)
饱和压降(Vcesat):1.49 V
总开关损耗(Ets):1.0 mJ
结到壳热阻(Rth(j-c)):e.g., 0.9°C/W for FHP20T60A
总栅极电荷(Qg):73 nC
封装: TO-220F

FHF20T60A不仅实现了对SGT20T60SDM1P7型号IGBT单管的高效替换,而且还适用于高频车载AC220V逆变器、逆变电源和电机驱动等应用。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商,不仅提供各类型IGBT单管、IGBT单管、三极管等标准型号,还支持定制化需求,并已实现与多家逆变器厂商的稳定合作。
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原文标题:国产IGBT单管:FHF20T60A型号的TO-220F封装解决高频车载逆变器设计问题!
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