飞虹IGBT单管FHA75T65V1DL产品介绍

国产IGBT单管新品，采用飞虹半导体第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，能达到显著降低导通损耗和开关损耗。使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。

它就是FHA75T65V1DL型号IGBT单管，它不仅更广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关。

而且产品拥有良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。

因此如果要考虑选择能代换NCE75ED65VT 、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7这五款型号参数的国产IGBT单管。建议可以了解这一款第七代IGBT单管新品：FHA75T65V1DL型号。

FHA75T65V1DL作为飞虹半导体第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术IGBT，可提供TO-247-3L封装外形。其参数不仅能达650V电压、75A电流，具有参数一致性高的特点，而且无铅，满足ROHS环保要求。

下述将围绕FHA75T65V1DLIGBT的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍：

产品特点

1、第七代场截止技术产品

2、参数一致性高

3、高速开关，低开关损耗

4、最高结温Tjmax = 175°C

5、低饱和压降VCEsat = 1.55V(typ.) @ IC = 75 A

6、拥有正温度系数

7、合封了快恢复二极管

8、无铅，满足ROHS环保要求

友商参数对比

FHA75T65V1DLIGBT与NCE75ED65VT、IKW75N65ET7、JT075N065WED、CRG75T65AK3HD、SGT75T65SDM1P7五款竞品相比，其产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。值得作为国产半导体供应链的新产品使用。

推荐应用范围

（1）逆变器

（2）变频器

（3）电焊机

（4）UPS不间断电源

（5）户外储能电源

部分典型特性曲线

半导体领域在不断更新迭代，我们可以做好的事情就是不断强化自身供应链的稳定性。让中国产品更具备竞争力，对于不知道如何选择IGBT单管的问题。建议工程师们可以看看飞虹半导体的这一款FHA75T65V1DL型号参数。

试样才能验证是否如文章所说的数据效果，国产IGBT单管给您惊喜。

飞虹半导体致力于大功率分立器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT单管产品。