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飞虹IGBT单管FHA75T65V1DL在户外储能电源的应用

广州飞虹半导体 来源:广州飞虹半导体 2025-07-30 15:33 次阅读
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户外储能电源中的DC-AC逆变模块(放电)、AC-DC整流模块(充电)都会使用到IGBT单管。而从设计的专业角度可了解到,不同户外储能电源对于代换SGT75T65SDM1P7型号IGBT单管使用的关注点都会有所区别。

飞虹半导体正是从高转换效率、高可靠性/短路耐受、宽工作温度范围、低EMI等常见维度给大家推荐一款IGBT单管是能代换SGT75T65SDM1P7型号适用户外储能电源中。

它就是FHA75T65V1DL型号IGBT单管,它具有75A、650V电流、电压参数,正满足户外储能电源的电路设计(尤其适用于3KW级别的功率模块),而且能无缝代换SGT75T65SDM1P7IGBT单管。

FHA75T65V1DL采用飞虹第七代场截止(Trench Field Stop VII)技术工艺设计,使产品具有:

01极低的VCE(sat): 显著降低导通损耗,提升系统效率,减少发热。

02极短的拖尾电流: 有效降低关断损耗,提升开关频率能力,有助于提升效率并减小磁性元件体积。

03良好的短路耐受能力(SCWT): 为户外储能电源提供关键的故障保护能力,增强系统鲁棒性。

这些特性为终端设计师在优化户外储能电源的系统效率、功率密度和可靠性时提供有力的帮助。

在封装上面,该IGBT单管属于TO-247-3L外形封装,具有优异的散热性能(低热阻),这对户外储能电源的热管理至关重要。封装内部合封了快恢复二极管,支持双向能量流动(充放电),且适配市场大多数电路设计。

从FHA75T65V1DL的IGBT单管参数可看:Vge(th)(±V):30;IC-100℃(A):75A;V(BR)CES(V):650V。饱和压降VCESAT(V):1.55V(Typ)、1.8V(Max);最高结温Tjmax = 175°C。

正是上述参数,让FHA75T65V1DLIGBT单管是能更好代换SGT75T65SDM1P7型号参数用于户外储能电源的电路。

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FHA75T65V1DL拥有高速开关,低开关损耗;参数一致性高;正温度系数;无铅,满足ROHS环保要求等产品特点。让其不仅能用于户外储能电源,还广泛应用于UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关等产品。

好产品才能占有更多市场,如研发中有选型的问题,欢迎沟通交流。需要选择75A、650V的IGBT单管用于户外储能电源的选型问题,建议选用FHA75T65V1DL型号IGBT单管。

除参数适合外,飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制IGBT单管产品。

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原文标题:户外储能电源常用的IGBT单管:650V、75A的FHA75T65V1DL型号性价比更高!

文章出处:【微信号:广州飞虹半导体,微信公众号:广州飞虹半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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