合科泰高性能NMOS管HKTD80N06的性能

引言

HKTD80N06是合科泰用先进沟槽工艺研发的高性能N型功率MOS管，专门为工业电源、电机驱动、新能源设备等对效率和可靠性要求高的功率相关电子设备设计。它的核心优势是把低导通电阻、强电流承载能力和快开关速度结合起来，既能满足中高压功率转换的需求，又能通过优化的散热和结构设计，适配紧凑的PCB电路板布局和恶劣的工作环境，为各类功率管理系统提供稳定、高效的解决方案。

电气性能

从电气性能来看，HKTD80N06的功率表现很突出。它的漏极和源极之间的电压额定值达60伏特，能适配大部分中低压功率应用场景;持续通过漏极的电流高达80安培，长期工作时能稳定驱动高负载设备，而短时间脉冲状态下通过漏极的电流可达240安培，能应对瞬间的高负载冲击，避免突发电流波动导致器件损坏;100瓦特的功率损耗进一步保障了器件在高功率输出时的稳定性，减少因功率过载引发的性能下降。这些参数让HKTD80N06在工业电机驱动、大功率开关电源等场景中很适用，不用额外设计复杂的功率分流电路，能简化系统结构。

导通性能

导通性能是HKTD80N06实现低损耗的关键。在栅极电压10伏特、漏极电流20安培的测试条件下，它导通时漏极和源极之间的电阻最大只有8毫欧，这么低的电阻能大幅减少电流通过时的功率损耗，直接提升整个系统的能效。以工业电源应用为例，HKTD80N06可使导通损耗降低，长期使用能明显减少设备发热。同时，让管子开始导通的栅极电压范围在2.0伏特到4.0伏特之间，能兼容大部分通用驱动芯片的输出电压，不用额外设计栅极升压电路;15西门子的正向跨导确保了栅极电压变化时，漏极电流的响应灵敏度高，能精准控制漏极电流，避免电流波动导致负载运行不稳定。

开关性能优化

开关性能的优化让HKTD80N06适合高频功率转换场景。在电源电压25伏特、漏极电流20安培、栅极电阻1.8欧姆的测试条件下，它打开时的延迟时间仅13纳秒，关掉时的延迟时间为35纳秒，电流从低到高的时间和从高到低的时间分别低至7.8纳秒和15纳秒，快开关速度能减少管子在开关切换过程中的过渡损耗，尤其适合500千赫兹以上的高频开关电源设计。此外，驱动栅极需要的总电荷为30纳库仑，栅极到漏极的电荷为15纳库仑，这进一步降低了栅极驱动电路的设计难度。较少的栅极电荷意味着需要的驱动电流更低，能选用更小的驱动芯片，同时减少驱动回路的功率损耗。

散热及环境适应

散热性能和环境适应能力是应对恶劣工作条件的重要保障。它的芯片核心温度范围覆盖-55摄氏度到+150摄氏度，不管是低温严寒的户外设备场景，还是高温密闭的工业控制柜环境，都能保持稳定性能。同时，TO-252外壳兼顾了散热效率和安装便利性，能适配高密度的PCB电路板布局，尤其适合对空间要求严格的设备设计。

总结

HKTD80N06在设计上，加入了多项针对性优化，采用高密度的内部单元设计和先进沟槽工艺，通过减少栅极电荷和寄生电容优化栅极设计，它具备完全表征的应对电压尖峰的能力，单脉冲雪崩能量达180毫焦，能适配工业控制、新能源汽车辅助电源等对可靠性要求极高的场景。作为合科泰功率器件系列的重要产品，HKTD80N06不仅在技术参数上满足多样化的应用需求，还通过“性能-成本-易用性”的平衡设计，为客户提供高性价比的解决方案。

公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。专注提供高性价比的元器件供应与定制服务，满足企业研发需求。

产品供应品类：覆盖半导体封装材料、电阻/电容/电感等被动元件;以及MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他，一站式配齐研发与生产所需。

两大智能生产制造中心：华南和西南制造中心(惠州7.5万㎡+南充3.5万㎡)配备共3000多台先进设备及检测仪器;2024年新增3家半导体材料子公司，从源头把控产能与交付效率。

提供封装测试OEM代工：支持样品定制与小批量试产，配合100多项专利技术与ISO9001、IATF16949认证体系，让“品质优先”贯穿从研发到交付的每一环。

合科泰在始终以“客户至上、创新驱动”为核心，为企业提供稳定可靠的元件。