合科泰TO-252封装的MOS管介绍

前言

在功率器件领域，TO-252封装的MOS管因紧凑尺寸与性价比优势成为工业场景的主流选择。合科泰HKTD80N06通过单芯片工艺革新，在标准封装内实现性能突破，为新能源、工业控制等领域提供“高可靠、低阻抗、易散热”的核心器件，助力B端客户提升产品竞争力。

单芯片工艺突破：重新定义TO-252性能极限

依托合科泰自研的平面栅工艺与先进封装技术，HKTD80N06在TO-252标准封装内实现单芯片80A连续漏极电流承载能力，突破传统单管电流瓶颈。通过优化源漏极结构与铜引脚直连技术，器件导通电阻低至8mΩ@10V，同时采用底部全覆盖焊盘设计，热阻RθJC低至5.5℃/W，较同封装竞品散热效率提升30%。在新能源电动工具场景中，某厂商采用该器件驱动无刷电机，凭借180mJ雪崩能量与240A脉冲电流能力，有效应对电机启停浪涌，产品返修率从3%降至0.5%，同时因单芯片设计减少外围元件，驱动模块成本降低20%。

低温键合与智能质控：工业级可靠性保障

针对工业环境对器件寿命的严苛要求，HKTD80N06采用300℃低温共晶焊工艺，替代传统高温锡焊，减少对栅氧化层的热损伤，经-55~150℃全温域测试，导通电阻漂移≤5%，栅极电荷Qg波动<±1nC。生产端引入AI视觉检测与128通道红外测温，键合良率达99.8%，并通过100%X-Ray扫描确保引线键合强度>5g。在智能水表阀门驱动电路中，其-15℃低温启动性能与宽温域稳定性，使北方严寒地区设备故障率下降60%，成为工业自动化领域的可靠选择。

全链路服务：从研发到量产的效率赋能

合科泰为B端客户提供敏捷供应链支持：常规型号5天现货，紧急订单3天打样，并可根据需求提供定制化参数调整，如调整栅极阈值电压适应特定驱动电路。技术团队同步提供免费的PCB布局建议与热设计方案，帮助客户缩短研发周期30%。通过车规级质控体系，HKTD80N06通过1000小时高温反偏测试(125℃)，批次不良率低于行业平均水平10倍，为新能源汽车配套、工业电源等场景提供稳定产能保障。

公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。产品包括：

1、半导体封装材料;2、被动元件，主要有：电阻、电容、电感;3、半导体分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他集成电路等。

合科泰设有两个智能生产制造中心：

1、中国华南地区的制造中心，位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区，建筑面积75000㎡，拥有先进设备及检测仪器1000多台，在当地配套集团物流配送中心，而东莞塘厦生产中心为目前生产基地;

2、中国西南地区的制造中心，位于四川省南充市顺庆区科创中心，厂房面积35000㎡，拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台;

2024年合科泰全面拓宽产品线，在四川南充成立三家子公司，分别是顺芯半导体、南充安昊、南充晶科，主要负责研发生产半导体封装材料;产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。

合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针，为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。

合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备，拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。

合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。

产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。