‌DRV8838 低电压H桥驱动器技术文档总结

DRV883x 系列器件为相机、消费类产品、玩具和其他低压或电池供电的运动控制应用提供集成电机驱动器解决方案。该设备可以驱动一个直流电机或其他设备，如电磁阀。输出驱动器模块由配置为 H 桥的 N 沟道功率 MOSFET 组成，用于驱动电机绕组。内部电荷泵产生所需的栅极驱动电压。

DRV883x 系列器件可提供高达 1.8 A 的输出电流。它的工作电压为0至11 V，设备电源电压为1.8 V至7 V。
*附件：drv8838.pdf

DRV8837器件具有PWM（IN1-IN2）输入接口;DRV8838器件具有PH-EN输入接口。两种接口都与行业标准设备兼容。

提供内部关断功能，用于过流保护、短路保护、欠压锁定和过热。

特性

• H桥电机驱动器
  • 驱动直流电机或其他负载
  • 低 MOSFET 导通电阻：HS + LS 280 mΩ
• 1.8A 最大驱动电流
• 独立的电机和逻辑电源引脚：
  • 电机 VM：0 至 11 V
  • 逻辑 VCC：1.8 至 7 V
• PWM 或 PH-EN 接口
  • DRV8837：PWM、IN1 和 IN2
  • DRV8838：PH 和 EN
• 低功耗睡眠模式，最大睡眠电流为 120nA
  • nSLEEP 引脚
• 小封装和封装
  • 带导热垫的 8 引脚 WSON
  • 2.0 × 2.0 毫米
• 保护功能
  • VCC 欠压锁定 （UVLO）
  • 过流保护 （OCP）
  • 热关断 （TSD）

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌驱动能力‌：
  • 双H桥设计，支持0-11V电机电源（VM）和1.8-7V逻辑电源（VCC）。
  • 最大驱动电流1.8A，MOSFET导通电阻280mΩ（HS+LS，25°C）。
• ‌控制接口‌：
  • ‌DRV8837‌：PWM输入（IN1/IN2）。
  • ‌DRV8838‌：PH-EN接口（相位/使能）。
• ‌低功耗模式‌：
  • 睡眠模式电流仅120nA（通过nSLEEP引脚控制）。
• ‌保护功能‌：
  • 欠压锁定（UVLO）、过流保护（OCP）、热关断（TSD，150°C触发）。

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‌2. 关键功能模块‌

• ‌输入逻辑‌：
  • DRV8837：IN1/IN2控制电机方向（正转/反转/刹车/滑行）。
  • DRV8838：PH（相位）控制方向，EN（使能）控制输出开关。
• ‌独立半桥控制‌：
  • 支持独立控制两个负载（如电机或螺线管），通过交换输入信号实现。
• ‌电流衰减模式‌：
  • 快衰减（通过MOSFET体二极管）和慢衰减（通过高边MOSFET）可选。

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‌3. 电气参数‌

• ‌电源范围‌：
  • VM：0-11V，VCC：1.8-7V。
• ‌时序特性‌：
  • 输入到输出延迟：160-300ns（典型值）。
  • 唤醒时间（nSLEEP→激活）：30μs。
• ‌热性能‌：
  • 结至环境热阻：60.9°C/W（WSON封装）。

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‌4. 典型应用‌

• ‌场景‌：
  • 相机对焦模块、消费电子产品、玩具、医疗设备。
• ‌设计要点‌：
  • ‌布局‌：VM/VCC引脚需就近放置0.1μF陶瓷电容。
  • ‌散热‌：建议将热焊盘连接至PCB地平面以降低热阻。
• ‌改进电路‌：
  • 添加肖特基二极管（压降<0.6V）可优化电机在刹车模式下的性能。

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‌5. 封装与版本‌

• ‌封装‌：8引脚WSON（2.0×2.0mm），带散热焊盘。
• ‌版本更新‌（2021年4月）：
  • 新增独立半桥控制说明，优化混合衰减模式描述。

‌总结‌：DRV8838是一款高集成度、低功耗的H桥驱动器，适用于需要精密电机控制的便携式设备。其灵活的接口设计和多重保护机制，可显著简化系统设计并提升可靠性。