新启航半导体有限公司

动态

• 发布了文章 2025-10-17 13:40

  大尺寸玻璃晶圆（12 英寸 +）TTV 厚度均匀性提升技术

  

  一、引言 12 英寸及以上的大尺寸玻璃晶圆在半导体制造、显示面板、微机电系统等领域扮演着关键角色 。总厚度偏差（TTV）的均匀性直接影响晶圆后续光刻、键合、封装等工艺的精度与良率 。然而，随着晶圆尺寸增大，实现 TTV 厚度均匀性的难度显著增加。探索有效的 TTV 厚度均匀性提升技术，成为保障大尺寸玻璃晶圆质量、推动产业发展的重要课题。 二、影响大尺寸玻

  晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-10-14 15:24

  【海翔科技】玻璃晶圆 TTV 厚度对 3D 集成封装可靠性的影响评估

  

  一、引言 随着半导体技术向小型化、高性能化发展，3D 集成封装技术凭借其能有效提高芯片集成度、缩短信号传输距离等优势，成为行业发展的重要方向 。玻璃晶圆因其良好的光学透明性、化学稳定性及机械强度，在 3D 集成封装中得到广泛应用 。总厚度偏差（TTV）作为衡量玻璃晶圆质量的关键指标，其数值大小直接影响 3D 集成封装的可靠性 。深入评估玻璃晶圆 TTV 厚

  晶圆 芯片

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• 发布了文章 2025-10-11 13:32

  【新启航】深度学习在玻璃晶圆 TTV 厚度数据智能分析中的应用

  

  一、引言 玻璃晶圆总厚度偏差（TTV）是衡量晶圆质量的关键指标，其精确分析对半导体制造、微流控芯片等领域至关重要 。传统 TTV 厚度数据分析方法依赖人工或简单算法，效率低且难以挖掘数据潜在规律 。随着深度学习在数据处理领域展现出强大能力，将其应用于玻璃晶圆 TTV 厚度数据智能分析，有助于实现高精度、高效率的质量检测与工艺优化，为行业发展提供新动能。

  晶圆 深度学习 碳化硅

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• 发布了文章 2025-10-09 16:29

  【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度在光刻工艺中的反馈控制优化研究

  

  一、引言 玻璃晶圆在半导体制造、微流控芯片等领域应用广泛，光刻工艺作为决定器件图案精度与性能的关键环节，对玻璃晶圆的质量要求极为严苛 。总厚度偏差（TTV）是衡量玻璃晶圆质量的重要指标，其厚度的均匀性直接影响光刻工艺中曝光深度、图形转移精度等关键参数 。当前，如何优化玻璃晶圆 TTV 厚度在光刻工艺中的反馈控制，以提高光刻质量和生产效率，成为亟待研究的重要

  光刻 晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-09-29 13:32

  【新启航】玻璃晶圆 TTV 厚度测量数据异常的快速定位与解决方案

  

  一、引言 玻璃晶圆总厚度偏差（TTV）测量数据的准确性，对半导体器件、微流控芯片等产品的质量把控至关重要 。在实际测量过程中，数据异常情况时有发生，不仅影响生产进度，还可能导致产品质量隐患 。因此，研究玻璃晶圆 TTV 厚度测量数据异常的快速定位方法与解决方案，对保障生产效率和产品质量具有重要意义。 二、数据异常的常见类型 2.1 数据波动剧烈 测量

  厚度测量 晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-09-28 14:33

  【新启航】《超薄玻璃晶圆 TTV 厚度测量技术瓶颈及突破》

  

  我将从超薄玻璃晶圆 TTV 厚度测量面临的问题出发，结合其自身特性与测量要求，分析材料、设备和环境等方面的技术瓶颈，并针对性提出突破方向和措施。 超薄玻璃晶圆（

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• 发布了文章 2025-09-22 09:53

  [新启航]碳化硅 TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向

  

  一、引言 碳化硅（SiC）作为宽禁带半导体材料的代表，在功率器件、射频器件等领域发挥着关键作用。总厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅衬底及外延片质量的重要指标，其精确测量对保障碳化硅器件性能至关重要。随着碳化硅产业向大尺寸、高性能方向发展，现有测量技术面临诸多挑战，探究未来发展趋势与创新方向迫在眉睫。 二、提升测量精度与分辨率 未来，碳化硅 TTV 厚度测量技术

  厚度测量 晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-09-20 10:10

  【新启航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均匀性提升技术

  

  一、引言 随着半导体产业的迅猛发展，碳化硅（SiC）作为关键的宽禁带半导体材料，其应用愈发广泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圆在提高芯片生产效率、降低成本方面具有显著优势。然而，大尺寸带来的挑战之一便是如何保证总厚度偏差（TTV）的厚度均匀性。TTV 厚度均匀性直接影响芯片制造过程中的光刻、刻蚀、薄膜沉积等工艺，进而决定芯片的性能与良率。因此，研究大尺寸

  SiC 晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2025-09-18 14:44

  【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

  

  一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料，其总厚度偏差（TTV）是衡量产品质量的关键指标，直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响，其中生长工艺参数起着决定性作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性，有助于优化生长工艺，提升外延片质量，推动碳化硅半导体产业发展。 二、碳化硅外延片生长工艺参数分析

  功率半导体器件 外延片 碳化硅

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• 发布了文章 2025-09-16 13:33

  【新启航】碳化硅 TTV 厚度测量中的各向异性效应及其修正算法

  

  一、引言 碳化硅（SiC）凭借优异的物理化学性能，成为功率半导体器件的核心材料。总厚度偏差（TTV）作为衡量 SiC 衬底质量的关键指标，其精确测量对器件性能和可靠性至关重要。然而，碳化硅独特的晶体结构赋予其显著的各向异性，在 TTV 厚度测量过程中，各向异性效应会导致测量数据偏差，影响测量准确性。深入研究各向异性效应并探寻有效的修正算法，是提升碳化硅 TT

  厚度测量 晶圆 碳化硅

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