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新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

英飞凌工业半导体 2025-10-13 18:06 次阅读
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新品

CIPOS Maxi 1200V碳化硅

SiC IPM IM12SxxEA2系列

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高性能CIPOS Maxi转模封装SiC IPM IM12SxxEA2系列基于1200V CooSiC MOSFET技术。产品组合包括60mΩ和90mΩ,提供两种新产品:IM12S60EA2和IM12S90EA2。


该系列集成了6个CoolSiC MOSFET和一个优化的1200V 6通道SOI栅极驱动器,以提高可靠性,提供出色的保护机制,并优化PCB尺寸和系统成本。


产品型号:

IM12S60EA2

IM12S90EA2


产品特点


DCB的全隔离双列直插式模塑模块

1200V CoolSiC MOSFET技术

坚固耐用的1200V SOI栅极驱动器技术

隔离栅极驱动板

集成自举功能

过流关断

所有通道欠压锁定

保护期间关闭所有六个开关

防止交叉传导

在VBS=15V工作条件下,信号传输允许的负向VS电位最高可达-11V

低侧发射极引脚可独立接入


应用价值


1200V IPM级封装尺寸最小,功率密度高,性能卓越

栅极驱动器技术具有更强的鲁棒性,可提供出色的保护

效率高

高达40kHz的快速开关速度

适应快速开关应用,功率损耗更低

简化设计和制造


竞争优势


1200V电压等级中最小型化封装


应用领域


风机

水泵

暖通空调室外风机

低功率电机驱动器


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