0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | CIPOS™ Maxi 1200 V 碳化硅 SiC IPM IM12SxxEA2系列

英飞凌工业半导体 2025-10-13 18:06 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

CIPOS Maxi 1200V碳化硅

SiC IPM IM12SxxEA2系列

3a8b3f58-a81c-11f0-8ce9-92fbcf53809c.png


高性能CIPOS Maxi转模封装SiC IPM IM12SxxEA2系列基于1200V CooSiC MOSFET技术。产品组合包括60mΩ和90mΩ,提供两种新产品:IM12S60EA2和IM12S90EA2。


该系列集成了6个CoolSiC MOSFET和一个优化的1200V 6通道SOI栅极驱动器,以提高可靠性,提供出色的保护机制,并优化PCB尺寸和系统成本。


产品型号:

IM12S60EA2

IM12S90EA2


产品特点


DCB的全隔离双列直插式模塑模块

1200V CoolSiC MOSFET技术

坚固耐用的1200V SOI栅极驱动器技术

隔离栅极驱动板

集成自举功能

过流关断

所有通道欠压锁定

保护期间关闭所有六个开关

防止交叉传导

在VBS=15V工作条件下,信号传输允许的负向VS电位最高可达-11V

低侧发射极引脚可独立接入


应用价值


1200V IPM级封装尺寸最小,功率密度高,性能卓越

栅极驱动器技术具有更强的鲁棒性,可提供出色的保护

效率高

高达40kHz的快速开关速度

适应快速开关应用,功率损耗更低

简化设计和制造


竞争优势


1200V电压等级中最小型化封装


应用领域


风机

水泵

暖通空调室外风机

低功率电机驱动器


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3526

    浏览量

    68211
  • IPM
    IPM
    +关注

    关注

    5

    文章

    180

    浏览量

    40038
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3324

    浏览量

    51732
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    SiC碳化硅功率半导体:电力电子行业自主可控与产业升级的必然趋势

    茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IP
    的头像 发表于 09-21 20:41 360次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率半导体:电力电子行业自主可控与产业升级的必然趋势

    基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍

    基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块,产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术,在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上,通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感,使
    的头像 发表于 09-15 16:53 868次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>1200V</b>工业级<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半桥模块Pcore <b class='flag-5'>2</b><b class='flag-5'>系列</b>介绍

    Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

    Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。
    的头像 发表于 08-11 16:54 2208次阅读

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析

    从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析,中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著进步,具体体现在以下核心维度。
    的头像 发表于 06-19 17:02 658次阅读
    基本股份B3M013C120Z(<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET)的产品力分析

    基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET
    的头像 发表于 06-08 11:13 980次阅读
    基于<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产化替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1 国产SiC
    的头像 发表于 06-07 06:17 798次阅读

    碳化硅何以英飞凌?—— SiC MOSFET性能评价的真相

    碳化硅SiC)技术的应用中,许多工程师对SiC的性能评价存在误解,尤其是关于“单位面积导通电阻(Rsp)”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的
    的头像 发表于 04-30 18:21 661次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飞凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET性能评价的真相

    SiC碳化硅)模块设计方案在工商业储能变流器(PCS)行业迅速普及

    模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级!倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IG
    的头像 发表于 04-30 14:30 954次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b>(<b class='flag-5'>碳化硅</b>)模块设计方案在工商业储能变流器(PCS)行业迅速普及

    麦科信光隔离探头在碳化硅SiC)MOSFET动态测试中的应用

    碳化硅SiC)MOSFET 是基于宽禁带半导体材料碳化硅SiC)制造的金属氧化物半导体场效应晶体管,相较于传统硅(Si)MOSFET,具有更高的击穿电压、更低的导通电阻、更快的开关
    发表于 04-08 16:00

    Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
    的头像 发表于 03-21 10:11 1121次阅读

    ​安森美推出基于碳化硅的智能功率模块

    安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的SPM31智能功率模块(IPM
    的头像 发表于 03-19 14:31 1020次阅读

    全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

    SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头:
    的头像 发表于 03-13 00:27 702次阅读

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V
    发表于 01-22 10:43

    SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    具有决定性的影响。因此,深入理解栅极氧化层的特性,并掌握其可靠性测试方法,对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”将聚焦于“栅极氧化层”这一新话题:“什么是栅极
    发表于 01-04 12:37