‌DRV8329-Q1 三相无刷直流电机栅极驱动器总结-电子发烧友网

DRV8329-Q1 系列器件是用于三相应用的集成栅极驱动器。这些器件提供三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。该器件使用内部电荷泵产生正确的栅极驱动电压，并使用自举电路增强高侧MOSFET。包括一个涓流电荷泵，以支持 100% 占空比。栅极驱动架构支持高达 1A 源极和 2A 灌电流的峰值栅极驱动电流。DRV8329-Q1 可以使用单个电源供电，并支持 4.5 至 60V 的宽输入电源范围。
*附件：drv8329-q1.pdf

6x 和 3x PWM 模式允许与控制器电路进行简单的接口。该器件集成了精确的3.3V LDO，可用于为外部控制器供电，并可用作CSA的参考。设备的配置设置可通过硬件（H/W）引脚进行配置。

DRV8329-Q1器件集成了低侧电流检测放大器，允许对驱动级所有三相的电流总和进行电流检测。

提供低功耗睡眠模式，通过关闭大部分内部电路来实现低静态电流。提供欠压锁定、GVDD 故障、MOSFET 过流、MOSFET 短路和过热的内部保护功能。故障情况在nFAULT引脚上指示。

特性

65V 三相半桥栅极驱动器
- 驱动 3 个高侧和 3 个低侧 N 沟道 MOSFET （NMOS）
- 4.5 至 60V 工作电压范围
- 支持100% PWM占空比，带涓流电荷泵
基于 Bootstrap 的栅极驱动器架构
- 1000mA 最大峰值源电流
- 2000mA 最大峰值灌电流
集成电流检测放大器，具有低输入失调（针对 1 个分流器进行了优化）
- 可调增益（5、10、20、40V/V）
硬件接口提供简单的配置
超低功耗睡眠模式 <1uA，25 ̊C
相位间4ns（典型值）传播延迟匹配
独立驱动器关断路径（DRVOFF）
65V 容差唤醒引脚（nSLEEP）
在SHx上支持高达-10V的负瞬变
6x 和 3x PWM 模式
支持 3.3V 和 5V 逻辑输入
精确的LDO（AVDD），3.3V ±3%，80mA
紧凑的QFN封装和封装
通过VDSLVL引脚可调节VDS过流阈值
通过 DT 引脚可调节死区时间
带电源块的高效系统设计
集成保护功能
- PVDD 欠压锁定（PVDDUV）
- GVDD 欠压（GVDDUV）
- Bootstrap 欠压（BST_UV）
- 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP）
- 热关断（OTSD）
- 故障状态指示器（nFAULT）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌宽电压范围‌
- 支持4.5V至60V输入电压，峰值驱动电流1A（源）/2A（吸），适用于汽车级应用（AEC-Q100认证）。
- 集成电荷泵和自举电路，支持100%占空比运行。
‌驱动能力‌
- 3个半桥栅极驱动器，可驱动6个N沟道MOSFET（高边+低边）。
- 低边电流检测放大器，增益可调（5/10/20/40 V/V），支持单分流电阻配置。
‌保护功能‌
- 过流保护（VDS_OCP、SEN_OCP）、欠压锁定（PVDD/GVDD/BST_UV）、热关断（OTSD）。
- 故障指示通过nFAULT引脚输出。
‌低功耗模式‌
- 睡眠模式电流<1μA，适合电池供电场景。

‌2. 关键功能‌

‌PWM控制模式‌
- ‌6x PWM模式‌：独立控制高边和低边MOSFET，支持高、低、高阻态。
- ‌3x PWM模式‌：简化控制逻辑，通过INLx引脚实现高阻态。
‌硬件配置接口‌
- 通过DT引脚电阻调节死区时间（100ns~2000ns）。
- VDSLVL引脚设置MOSFET过流阈值（0.1V~2.5V）。
‌电流检测‌
- 集成低边电流检测放大器，参考电压由CSAREF引脚提供，输出通过SO引脚连接MCU ADC。