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‌UCC27624V-Q1 双通道低侧栅极驱动器技术文档总结

科技绿洲 2025-09-26 15:52 次阅读
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UCC27624V-Q1 是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,可有效驱动 MOSFETIGBT 和 SiC 功率开关。UCC27624V-Q1 的典型峰值驱动强度为 5A,可减少电源开关的上升和下降时间,降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟(典型值为 17ns)通过提高系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能,从而产生更好的功率级效率。
*附件:ucc27624v-q1.pdf

UCC27624V-Q1 可以在其输入端处理 –10V,这提高了具有中等接地反弹系统的鲁棒性。输入与电源电压无关,可以连接到大多数控制器输出,以实现最大的控制灵活性。独立的使能信号允许独立于主控逻辑控制功率级。在发生系统故障时,栅极驱动器可以通过将使能拉低来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极处都会出现噪声,噪声会注入栅极驱动器的输出引脚,从而导致驱动器发生故障。该器件的瞬态反向电流和反向电压能力使其能够承受功率器件或脉冲变压器栅极上的噪声,并避免驱动器故障。

UCC27624V-Q1 还具有欠压锁定 (UVLO) 功能,可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来充分增强功率器件时,栅极驱动器输出由强大的内部下拉MOSFET保持低电平。

特性

  • 符合汽车应用标准
  • 符合 AEC-Q100 标准
    • 设备温度等级 1
  • 每个通道的典型 5A 峰值源电流和灌电流
  • 能够处理–10V的输入和使能引脚
  • 能够处理–2V瞬变的输出
  • 绝对最大VDD电压:30V
  • 9.5V 至 26V 的宽 VDD 工作范围,带 UVLO
  • 用于高抗噪性的迟滞逻辑阈值
  • 独立于VDD的输入门限(TTL兼容)
  • 快速传播延迟(典型值为 17ns)
  • 快速上升和下降时间(典型值为 6ns 和 10ns)
  • 两个通道之间的1ns典型延迟匹配
  • 两个通道可以并联以获得更高的驱动电流
  • SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
  • 工作结温范围为 –40°C 至 150°C

参数
image.png

方框图

image.png
1. 产品概述
UCC27624V-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级双通道低侧栅极驱动器,专为驱动MOSFET、IGBT和SiC功率开关设计。其核心特性包括:

  • 高驱动能力‌:每通道5A峰值源/灌电流
  • 宽电压范围‌:工作电压9.5V至26V,支持30V绝对最大值
  • 高鲁棒性‌:输入/使能引脚耐受-10V,输出耐受-2V瞬态
  • 快速响应‌:典型传播延迟17ns,上升/下降时间6ns/10ns
  • 通道匹配‌:1ns典型延迟匹配,支持并联以提升驱动电流

2. 关键特性

  • 汽车认证‌:符合AEC-Q100 Grade 1标准(-40°C至150°C)
  • 增强抗噪‌:滞后逻辑阈值(1V典型滞回)
  • 灵活控制‌:独立使能引脚(ENx),默认内部上拉启用
  • 封装选项‌:SOIC8和VSSOP8 PowerPAD™封装

3. 应用场景

4. 功能描述

  • 输入级‌:TTL兼容阈值(高2V/低1V),内部下拉电阻防浮空
  • 输出级‌:混合推挽结构(N+P MOSFET),支持5A反向瞬态电流
  • UVLO保护‌:8V典型开启阈值(500mV滞回),欠压时强制输出低电平

5. 性能参数

  • 静态电流‌:0.6mA(典型值,输出静态)
  • 开关特性‌:
    • 传播延迟:17ns(典型)
    • 通道匹配:1ns(典型)
  • 热阻‌:结至环境热阻48.9°C/W(DGN封装)

6. 设计优势

  • 系统可靠性‌:-10V输入容限和UVLO增强抗干扰能力
  • 效率优化‌:快速开关降低功率损耗,支持高频应用(如SiC器件驱动)
  • 兼容性‌:引脚兼容传统驱动器(如UCC27324),简化升级

7. 典型应用图
驱动双开关拓扑(如PFC电路),通过独立使能引脚实现灵活控制,外部栅极电阻(Rg)优化开关速率。

文档结构
包含特性、引脚配置、电气规格、时序图、典型曲线及详细应用指南,覆盖设计、布局和热管理建议。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
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