‌UCC27624V 双通道低侧栅极驱动器技术文档总结-电子发烧友网

UCC27624V是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET、IGBT 和 SiC 功率开关。UCC27624V具有 5A 的典型峰值驱动强度，可减少电源开关的上升和下降时间，降低开关损耗并提高效率。该器件的快速传播延迟（典型值为 17ns）通过提高系统的死区时间优化、脉冲宽度利用率、控制环路响应和瞬态性能，从而产生更好的功率级效率。

UCC27624V可以在其输入端处理–10V，这提高了具有中等接地反弹的系统的鲁棒性。输入与电源电压无关，可以连接到大多数控制器输出，以实现最大的控制灵活性。独立的使能信号允许独立于主控逻辑控制功率级。在发生系统故障时，栅极驱动器可以通过将使能拉低来快速关闭。许多高频开关电源在功率器件的栅极处都会出现噪声，噪声会注入栅极驱动器的输出引脚，从而导致驱动器发生故障。该器件的瞬态反向电流和反向电压能力使其能够承受功率器件或脉冲变压器栅极上的噪声，并避免驱动器故障。
*附件：ucc27624v.pdf

该UCC27624V还具有欠压锁定（UVLO）功能，可提高系统稳健性。当没有足够的偏置电压来充分增强功率器件时，栅极驱动器输出由强大的内部下拉MOSFET保持低电平。

特性

每个通道的典型 5A 峰值源电流和灌电流
能够处理–10V的输入和使能引脚
能够处理–2V瞬变的输出
绝对最大VDD电压：30V
9.5V 至 26V 的宽 VDD 工作范围，带 UVLO
两个独立的栅极驱动通道
每个输出的独立使能功能
用于高抗噪性的迟滞逻辑阈值
独立于VDD的输入门限（TTL兼容）
快速传播延迟（典型值为 17ns）
快速上升和下降时间（典型值为 6ns 和 10ns）
两个通道之间的1ns典型延迟匹配
两个通道可以并联以获得更高的驱动电流
SOIC8 和 VSSOP8 PowerPAD™ 封装选项
工作结温范围为 –40°C 至 150°C

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌高驱动能力‌：每通道典型峰值驱动电流5A（源/吸），支持快速开关，降低功率器件损耗。
‌宽电压范围‌：工作电压9.5V至26V，绝对最大耐压30V，适应多种电源设计场景。
‌抗干扰设计‌：
- 输入/使能引脚耐压-10V，输出耐-2V瞬态，增强噪声环境下的可靠性。
- 1V典型滞回阈值（TTL兼容），提升噪声免疫力。
‌快速响应‌：传播延迟17ns（典型），上升/下降时间6ns/10ns（典型），通道间延迟匹配仅1ns。
‌灵活配置‌：双通道可独立控制或并联使用以提升驱动电流。

‌2. 关键功能模块‌

‌输入与使能逻辑‌：
- 输入引脚（INA/INB）默认内部下拉，悬空时输出保持低电平。
- 使能引脚（ENA/ENB）默认内部上拉，悬空时通道启用，支持-10V耐压。
‌输出级‌：
- 混合推挽结构（N/P沟道MOSFET并联），优化米勒平台期间的峰值电流输出。
- 支持轨到轨输出，低阻抗设计（ROH=8.5Ω典型，ROL=1.1Ω典型）。
‌保护机制‌：
- UVLO（欠压锁定）：8V开启阈值（500mV滞回），欠压时强制输出低电平。
- ESD防护：HBM 2kV，CDM 1kV。