Texas Instruments REF35/REF35-Q1超低功耗高精度电压基准是毫微功耗、低漂移、高精度参考器件，具有 ±0.05%的高初始精度，功耗低于700nA。低温漂移 (10ppm/°C) 和长期漂移（1000hr下20ppm）确保了系统的稳定性和可靠性。REF35/REF35-Q1元件功耗低、精度规格高，适合各种便携式和低电流应用。REF35-Q1电压基准符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。此系列电压基准可用于驱动器监控、故障指示器、示波器、光学模块和汽车前置摄像头。

数据手册：*附件：Texas Instruments REF35，REF35-Q1精密电压基准数据手册.pdf

REF35/REF35-Q1电压基准提供高达10mA的电流，具有8.5ppm~~p-p~~ 噪声和30ppm/mA的负载调节能力。凭借这一功能集，REF35/REF35-Q1器件可为精密传感器和12至16位数据转换器提供强大的低噪声、高精度电源。REF35/REF35-Q1电压基准具有从1.024V至5.0V的宽输出电压范围，采用节省空间的SOT23-6引脚封装。

特性

超低静态电流：680nA（典型值）
初始精度：±0.05%（最大值）
温度系数：10ppm/°C（-40°C至+125°C时最大值）
输出1/f噪声：3.3ppm ~~P-P~~ （0.1Hz至10Hz）
NR引脚可降低噪声
EN引脚可降低关断电流消耗
长期稳定性：40ppm（1000小时）
热迟滞：70ppm
输出电流：+10mA和-5mA
输出电压选项：1.024V、1.2V、1.25V、1.6V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V和5V
小型6引脚SOT-23封装，2.90mm×1.60mm

规范

输出短路电流：20mA
ESD额定值
- ±2000V人体模型 (HBM)
- ±750V充电设备模型 (CDM)
输出电压精度：±0.5%
典型线性稳压：4ppm/V
典型负载调节：20ppm/mA或40ppm/mA
静态电流范围：0.05µA至2.6µA
导通时间：2ms

典型应用

REF35精密电压基准芯片技术解析与应用指南‌

‌一、产品概述‌

Texas Instruments的REF35系列是超低功耗、高精度电压基准芯片家族，具有±0.05%初始精度、12ppm/°C温度系数（SOT23封装）以及650nA典型静态电流。其核心特性包括：

‌超低功耗‌：典型静态电流仅650nA，适合便携式设备。
‌高精度‌：初始误差±0.05%，长期稳定性40ppm（1000小时）。
‌低噪声‌：0.1Hz-10Hz频段噪声低至3.3ppmP-P，支持NR引脚外接电容进一步降噪。
‌宽温度范围‌：-55°C至+125°C，满足工业应用需求。
‌多电压选项‌：提供1.024V至5.0V共11种输出电压，覆盖主流ADC/DAC需求。

‌二、关键特性详解‌

‌1. 电气参数‌

‌静态电流‌：典型值650nA（25°C），最大2.6μA（全温范围）。
‌负载调整率‌：20ppm/mA（源电流）、350ppm/mA（灌电流）。
‌线性调整率‌：40ppm/V（VREF < 2.5V时）。
‌噪声性能‌：
- 0.1Hz-10Hz频段：3.3ppmP-P（VREF < 2.5V）。
- 10Hz-1kHz频段：0.7ppmrms。

‌2. 封装与引脚‌

‌SOT23-6封装‌：2.9mm × 1.6mm，支持EN（使能）和NR（降噪）引脚。
‌WCSP-4封装‌：1.05mm × 0.84mm，最小化占板面积。
‌引脚功能‌：
- ‌VIN‌：输入电压（VREF + VDO至6V）。
- ‌VREF‌：基准输出，需外接0.1-10μF电容（ESR < 400mΩ）。
- ‌NR‌：外接电容可降低噪声（推荐1μF，截止频率2.7Hz）。