‌LM4050QML精密微功耗并联电压基准芯片技术文档总结

LM4050QML精密基准电压源采用10引脚陶瓷CLGA封装。 该LM4050QML的设计消除了对外部稳定电容器的需求，同时确保 具有容性负载的稳定性，从而使LM4050QML易于使用。LM4050-2.5QML 具有 最小工作电流为 60 μA，最大工作电流为 15 mA。LM4050-5.0QML 的最小电流为 74 μA，电流为 15 mA 最大工作电流。

该LM4050QML在晶圆期间利用熔断器和齐纳电击反向击穿电压调整 分拣以确保主要部件在 25°C 时具有优于 ±0.1% 的精度。 隙 参考温度漂移曲率校正和低动态阻抗确保稳定的反向 在很宽的工作温度和电流范围内的击穿电压精度。

该LM4050QML的工作温度范围为–55°C至+125°C。
*附件：lm4050qml-sp.pdf

特性

• 低剂量率合格 100 krad（Si）
• SEFI免疫
• SET 免疫，60μF C负荷
• C负荷0μF 至 100μF
• 固定反向击穿电压为 2.500V、5.000V

关键规格

• LM4050-2.5QML
  • 输出电压容差IR = 100μA ±0.1% @ 25°C
  • 低温系数 15 ppm/°C
  • 低输出噪声 50 μVrms（典型值）
  • 宽工作电流范围 60 μA 至 15 mA
• LM4050-5.0QML
  • 输出电压容差IR = 100μA ±0.1% @ 25°C
  • 低温系数 23 ppm/°C
  • 低输出噪声 100 μVrms（典型值）
  • 宽工作电流范围 74 μA 至 15 mA

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
LM4050QML是德州仪器（TI）推出的高精度、低功耗并联电压基准芯片，提供2.500V和5.000V两种固定输出电压版本，采用10引脚陶瓷CLGA封装。其核心特点包括：

• ‌辐射加固设计‌：通过100 krad(Si)低剂量率辐射认证，具备抗单粒子功能中断（SEFI）和单粒子瞬态（SET）免疫能力（需60μF负载电容）。
• ‌高精度‌：初始输出电压容差±0.1%（25°C下，100μA电流）。
• ‌低温漂‌：2.5V版本典型温漂15 ppm/°C，5.0V版本23 ppm/°C。
• ‌宽工作电流范围‌：2.5V版本60μA15mA，5.0V版本74μA15mA。

‌2. 关键特性‌

• ‌电气性能‌：
  • 低动态阻抗（2.5V版本0.3Ω典型值，5.0V版本0.5Ω）。
  • 低噪声输出（2.5V版本50μVrms，5.0V版本100μVrms）。
• ‌环境适应性‌：
  • 工作温度范围-55°C至+125°C。
  • 热滞后性能优异（2.5V版本典型值1ppm，5.0V版本20ppm）。

‌3. 应用场景‌

• 控制系统、数据采集系统、仪器仪表、过程控制及能源管理。
• 典型电路包括：
  • ‌并联稳压器‌（需外部限流电阻设计）。
  • ‌DAC/ADC供电与参考源‌（如搭配DAC121S101QML或ADC128S102QML）。
  • ‌输入保护电路‌（用于运算放大器输入钳位）。

‌4. 辐射特性‌

• ‌ 总电离剂量（TID） ‌：通过1.5倍超量测试（如100krad实际测试至150krad）。
• ‌单粒子效应‌：SET免疫（60μF负载下）、无SEFI事件（LET≤100 MeV-cm²/mg）。

‌5. 封装与订购信息‌

• ‌封装‌：10引脚陶瓷CLGA（NAC0010A），符合军用标准（MIL-STD-883）。
• ‌型号选项‌：
  • 工程样品（MPR后缀）：仅支持室温测试，未完成全流程辐射认证。
  • 量产型号（如5962R0923561VZA、LM4050WG5.0RLQV）。

‌6. 设计注意事项‌

• ‌稳定性‌：无需外部补偿电容，但建议添加60μF电容以优化SET性能。
• ‌热管理‌：最大功耗467mW（25°C），需根据θJA（214°C/W）降额使用。

‌7. 修订历史‌
文档历经多次更新（2010-2013年），主要补充5.0V型号参数、辐射测试数据及工程样品说明。

‌附件说明‌
当前文档为完整数据手册（SNVS627G版本），包含电气特性表、典型应用电路、封装尺寸图及辐射测试曲线。