搬入首台浸没式光刻机，上海华力、长江存储发力晶圆制造！

5月21日上午，在上海浦东新区康桥工业园南区，由华虹集团旗下上海华力集成电路制造有限公司建设和营运的12英寸先进生产线建设项目（以下简称“华虹六厂”）实现首台工艺设备——光刻机搬入。

据悉，此次搬入的首台工艺设备为荷兰阿斯麦公司的NXT 1980Di光刻机，是目前中国大陆集成电路生产线上最先进的浸没式光刻机。

华力12英寸先进生产线建设项目是上海市最大的集成电路产业投资项目，总投资387亿元人民币，将建成月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线，工艺覆盖28-14纳米技术节点。项目计划于2022年底建成达产，主要从事逻辑芯片生产，重点服务国内设计企业先进芯片的制造，并满足部分事关国家信息安全的重点芯片制造需求。

据了解，近日陆续有多台ASML 的设备运入中国大陆晶圆制造厂。其中，中芯国际的已经购入首台价值1.2亿美元的ASML EUV设备；长江存储的首台光刻机也已运抵武汉天河机场，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元用于14nm~20nm工艺。

ASML的光刻机安全降落武汉天河机场，正在卸货中。

5月19日消息，当天中午，长江存储购买自荷兰ASML的光刻机运抵武汉天河机场。这是长江存储的首台光刻机，陆续还会有多台运抵。

报道称，该设备在相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后，即可运至长江存储的工厂。据介绍，这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机，售价7200万美元（约合人民币4.6亿元），可用于14-20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。

值得注意的是，这是一周以来，中国企业第二起突破芯片技术封锁的事件。

此前，根据日媒消息报道，中芯国际耗资1.2亿美元从荷兰ASML购得世界上最先进的EUV（极紫外线）光刻机，未来可用于生产7nm工艺芯片。

2016年3月，长江存储启动了位于武汉的国家存储器基地的建设，总投资240亿美元，计划2018年投产，2020年形成月产能30万片的规模。

是年12月，国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。

其中，第一阶段的厂房已去年9月完成建设。

2018年4月11日，芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。

紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是披露：长江存储的3D NAND Flash已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。

他在接受采访时强调：“这仅是刚刚开始”。

今年底，基地就将进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，不少产业链企业都拿到了样片测试。

明年，长江存储力争64层堆叠3D闪存实现规模量产，单颗容量128Gb(16GB)，与世界领先水平差距缩短到2年之内。

另外，紫光集团在武汉、南京、成都三地都有300mm闪存晶圆厂，这次率先启动的是武汉工厂，同时募集的800亿元资金也已经全部到位。

用不了多久，用户就能看到基于国产闪存的智能手机、SSD固态硬盘等产品。