合科泰NMOS管HKTD5N50产品介绍

前言

合科泰N沟道功率MOS管HKTD5N50采用经典N沟道结构，通过栅极电压精准调控漏源电流，兼具高压开关与功率转换核心功能。作为电压驱动型器件，其依托电场效应实现大电流高效控制，在电源管理、工业驱动、新能源等高压大电流场景中发挥关键作用。

电气性能

器件电气性能以高压适配与稳定驱动为核心。500V最低漏源耐压可直接接入工业高压母线或储能系统，简化电机驱动、开关电源等电路设计，减少外围保护器件;5A连续漏极电流与16A脉冲电流规格，满足中功率负载持续运行及瞬时浪涌需求。高密度单元结构实现超低导通电阻——10V栅压下，1A电流时最大1.7Ω、2.5A时降至1.6Ω，典型值低至1.45Ω，显著降低导通损耗，提升电源转换效率，尤其适合对能效敏感的服务器供电、光伏逆变等场景。±30V宽栅源电压兼容主流驱动电路，-55~+150℃宽温范围结合110℃/W热阻设计，确保高低温环境下稳定运行;12mJ单脉冲雪崩能量吸收能力，有效抵御电感负载反电动势冲击，增强电路可靠性。

封装设计

封装设计兼顾紧凑性与散热性能，TO-252规格以10.4mm×6.7mm×2.38mm尺寸、0.33g重量适配便携式设备与高密度PCB布局。UL94V-0阻燃外壳满足工业安全标准，260℃耐高温引脚兼容波峰焊、回流焊工艺;漏极引脚与壳体大面积连接，优化散热路径，配合散热片可提升中高功耗场景下的稳定性，适合空间受限的车载充电机、高压LED驱动等应用。

应用场景

多元场景中，HKTD5N50优势显著。在电源管理领域，其高耐压与低导阻特性助力DC-DC转换器、反激式开关电源实现90%以上效率，支持48V转12V降压或220V输入系统的高效能量转换;工业控制中，作为电机驱动桥臂开关管，12ns开通延迟与50ns关断延迟确保PWM信号精准输出，适配0.75kW以下电机调速，雪崩保护功能有效应对电磁阀等感性负载的瞬时过压;新能源领域，器件在太阳能逆变器中处理500V以下高压直流信号，低损耗提升光能转换效率;车载充电机中，凭借抗浪涌设计支持400V电池平台快充，从容应对电压波动。此外，其快速开关特性(上升/下降时间46ns/48ns)还可应用于雷达脉冲调制等特种场景，实现纳秒级信号响应。

结语

作为中功率高压场景的优选方案，HKTD5N50以紧凑封装、宽温适应及低导阻优势，为工程师提供高性价比选择。从高压系统的稳定控制到严苛环境下的高效转换，其优异性能持续助力电路小型化、可靠化设计，成为电源、驱动、新能源领域的信赖之选。

公司介绍

合科泰成立于1992年,是一家集研发、设计、生产、销售一体化的专业元器件高新技术及专精特新企业。

产品包括：

1、半导体封装材料;2、被动元件，主要有：电阻、电容、电感;3、半导体分立器件，主要有：MOSFET、TVS、肖特基、稳压管、快恢复、桥堆、二极管、三极管及功率器件，电源管理IC及其他集成电路等。

合科泰设有两个智能生产制造中心：

1、中国华南地区的制造中心，位于惠州市博罗县的合科泰科技智能制造园区，建筑面积75000㎡，拥有先进设备及检测仪器1000多台，在当地配套集团物流配送中心，而东莞塘厦生产中心为目前生产基地;2、中国西南地区的制造中心，位于四川省南充市顺庆区科创中心，厂房面积35000㎡，拥有先进设备和检测仪器仪表约2000台;2024年合科泰全面拓宽产品线，在四川南充成立三家子公司，分别是顺芯半导体、南充安昊、南充晶科，主要负责研发生产半导体封装材料;产品线拓宽后将最大程度满足客户需求。合科泰坚持客户至上、品质第一、创新驱动、以人为本的经营方针，为客户提供一站式应用解决方案服务。同时合科泰提供半导体芯片和分立器件封装测试OEM代工等综合性业务。

合科泰在集成电路设计、芯片测试、分立器件工艺设计、可靠性实验等方面积累了丰富核心技术储备，拥有国家发明专利、实用新型专利等100多项。

合科泰通过了ISO9001、ISO14001、IATF16949体系认证。

产品广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防仪器、工控、汽车电子等领域。