UCC27282 是一款坚固耐用的 N 沟道 MOSFET 驱动器,最大开关节点 (HS) 额定电压为 100 V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。其 3A 峰值拉电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻使UCC27282能够在 MOSFET 米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率 MOSFET。由于输入与电源电压无关,因此 UCC27282 可以与模拟和数字控制器结合使用。
输入引脚和 HS 引脚能够承受显著的负电压,从而提高系统稳健性。输入互锁进一步提高了高噪声应用中的稳健性和系统可靠性。启用和禁用功能通过降低驱动程序的功耗并响应系统内的故障事件,提供了额外的系统灵活性。5 V UVLO 允许系统在较低的偏置电压下工作,这在许多高频应用中是必需的,并且可以提高某些工作模式下的系统效率。小传播延迟和延迟匹配规格最大限度地减少了死区时间要求,从而进一步提高了效率。
*附件:ucc27282.pdf
高压侧和低压侧驱动器级均提供欠压锁定 (UVLO),如果 VDD 电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。集成的自举二极管在许多应用中无需外部分立二极管,从而节省了电路板空间并降低了系统成本。UCC27282采用小型封装,可实现高密度设计。
特性
- 在高侧低侧配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
- 5V 典型欠压锁定
- 输入联锁
- 启用/禁用 DRC 包中的功能
- 16ns 典型传播延迟
- 12ns 上升时间,10ns 下降时间(1.8nF 负载)
- 1ns 典型延迟匹配
- 输入上的绝对最大负电压处理能力 (–5 V)
- HS 上的绝对最大负电压处理能力 (–14 V)
- ±3A 峰值输出电流
- 绝对最大启动电压 120 V
- 禁用时电流消耗低 (7μA)
- 集成自举二极管
- 额定结温范围为 –40°C 至 140°C
参数
方框图
1. 概述
UCC2是一款高电压门驱动器,设计用于驱动半桥或同步降压配置中的两个N通道MOSFET。它具备高电压处理能力(最高V)、快速传播延迟(典型6ns)、低开关损耗以及交叉传导保护等功能。
2. 主要特性
- 驱动能力:可驱动两个N通道MOSFET,适用于高边和低边配置。
- 电压等级:最大开关节点(HS)电压额定值为V。
- 保护功能:具有欠压锁定(UVLO)、输入互锁、使能/禁用功能。
- 低开关损耗:低导通和关断电阻,减少MOSFET开关过程中的损耗。
- 负电压处理能力:输入和HS引脚可承受显著的负电压,增强系统鲁棒性。
3. 应用领域
4. 功能描述
4.1 使能功能
- 在DRC封装中,具有使能(EN)引脚。只有当EN引脚电压高于阈值电压时,输出才会激活。
- 内部有一个kΩ电阻将EN引脚连接到VSS引脚,因此悬浮或拉低到地的EN引脚将禁用设备。
4.2 欠压锁定(UVLO)
4.3 输入级和互锁
- 两个输入独立操作,但如果两个输入同时为高电平,则两个输出都将被拉低,以防止交叉传导。
- 输入互锁功能提高了高噪声应用中的系统可靠性和鲁棒性。
4.4 电平移位器
4.5 输出级
- 输出级是电平移位器输出到功率MOSFET的接口。
- 高边和低边输出级均具有高slew率、低电阻和高峰值电流能力。
5. 封装与热信息
- 提供多种封装选项,包括SON、SOIC等。
- 详细的热信息,包括结到环境的热阻(RθJA)、结到外壳的热阻(RθJC)等,有助于热设计和热管理。
6. 应用与实现
- 提供了典型应用电路,包括设计要求和详细设计步骤。
- 强调了布局和接地的重要性,以确保最佳性能和可靠性。
- 提供了电源推荐、布局指南和布局示例。
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