LM2103系列 具有 8V UVLO、死区时间和反相输入引脚的 107V、0.5A/0.8A 半桥栅极驱动器数据手册

LM2103 是一款紧凑型高压栅极驱动器，旨在以同步降压或半桥配置驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET。INL 反相输入允许该驱动器用于双通道或单通道 PWM 输入应用。
*附件：lm2103.pdf

SH 引脚上的固定死区时间以及 –1V DC 和 –19.5V 瞬态负电压处理提高了高噪声应用中的系统稳健性。LM2103 采用与行业标准引脚布局兼容的 8 引脚 SOIC 封装。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定 （UVLO），用于在上电和断电期间提供保护。

特性

• 在半桥配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
• GVDD 上的典型欠压锁定为 8V
• BST 上的最大电压为 107V
• SH 上的最大绝对负瞬态电压处理电压为 –19.5V
• 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
• 475 ns（典型值）固定内部死区时间
• 内置交叉传导预防
• 115ns 典型传播延迟
• 反相输入引脚 INL

参数

方框图

一、产品概述

LM3是一款紧凑型高压栅极驱动器，设计用于驱动同步降压或半桥配置中的高端和低端N沟道MOSFET。该驱动器具有V的欠压锁定（UVLO）保护、固定的内部死区时间、以及反相输入等特性。

二、主要特性

• ‌驱动能力‌：能够驱动两个N沟道MOSFET，适用于半桥配置。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：V典型UVLO保护，防止在低电压条件下损坏MOSFET。
• ‌电压范围‌：BST引脚绝对最大电压为7V，SH引脚绝对最大负瞬态电压处理能力为-.V。
• ‌电流能力‌：0.5A/.A峰值源/漏电流。
• ‌死区时间‌：ns典型固定内部死区时间，防止交叉导通。
• ‌输入类型‌：INL为反相输入，兼容TTL和CMOS输入阈值。

三、应用领域

• 无刷直流（BLDC）电机
• 永磁同步电机（PMSM）
• 伺服和步进电机驱动器
• 无绳吸尘器
• 无绳园林和电动工具
• 电动自行车和电动滑板车
• 电池测试设备
• 离线不间断电源（UPS）
• 通用MOSFET或IGBT驱动器

四、功能描述

1. UVLO保护

• 高端和低端驱动级均包含UVLO保护电路，监测GVDD和BST-SH的供电电压。
• 当供电电压低于UVLO阈值时，输出被抑制，防止MOSFET误动作。

2. 输入阶段

• INH和INL输入独立工作，但具有防止交叉导通的逻辑。
• INL为反相输入，允许驱动器在双或单PWM输入应用中使用。

3. 输出阶段

• 高端和低端输出级独立控制，具有高斯勒率、低电阻和高峰值电流能力。
• 内置的电平移位电路提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。

4. 死区时间

• 内置固定的ns死区时间，防止高端和低端MOSFET同时导通。

五、典型应用

文档提供了LM3在半桥转换器中驱动MOSFET的典型应用电路图，并详细讨论了设计要求和布局指南。

六、电源推荐

• 推荐GVDD供电电压范围为V至V，需考虑UVLO保护特性。
• 建议在GVDD和GND之间以及BST和SH之间使用低ESR陶瓷旁路电容器。

七、布局指南

• 栅极驱动器应尽可能靠近MOSFET放置，以减小栅极驱动回路的寄生电感。
• 旁路电容器应尽可能靠近IC放置，以提供低阻抗路径。
• 注意高端和低端MOSFET之间的布局，以最小化寄生电感。