LM2101 是一款紧凑型高压栅极驱动器,旨在以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。
*附件:lm2101.pdf
SH 引脚上的 –1V DC 和 –19.5V 瞬态负电压处理提高了高噪声应用中的系统稳健性。小型热增强型 8 引脚 WSON 封装允许将驱动器放置在更靠近电机相位的位置,从而改善了 PCB 布局。LM2101 还采用与行业标准引脚布局兼容的 8 引脚 SOIC 封装。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定 (UVLO),用于在上电和断电期间提供保护。
特性
- 在半桥配置中驱动两个 N 沟道 MOSFET
- GVDD 上的典型欠压锁定为 8V
- BST 上的最大电压为 107V
- SH 上的最大绝对负瞬态电压处理电压为 –19.5V
- 0.5A/0.8A 峰值拉电流/灌电流
- 115ns 典型传播延迟
参数
方框图
. 产品概述
LM是一款高电压半桥驱动器,设计用于驱动两个N沟道MOSFET,适用于同步降压或半桥配置。该驱动器具备V的欠压锁定(UVLO)保护功能,并支持高达V的BST电压和-.V的SH引脚瞬态负电压处理。
. 主要特性
- 双N沟道MOSFET驱动:适用于同步降压转换器或半桥配置。
- 高电压处理能力:BST引脚绝对最大电压为V,SH引脚瞬态负电压处理能力为-.V。
- 欠压锁定(UVLO) :低侧和高侧电源轨均具备UVLO保护,提高系统稳定性。
- 高峰值电流:低侧和高侧驱动器的峰值源/沉电流分别为.A和.A。
- 快速响应:典型传播延迟为ns。
- 紧凑封装:提供引脚SOIC和WSON封装选项,适应不同PCB布局需求。
. 应用领域
. 功能描述
. 输入阶段
- INH和INL输入引脚兼容TTL和CMOS逻辑电平,未使用的输入引脚必须接地。
- 无内置去抖动滤波器,传播延迟和延迟匹配性能优越。
. 输出阶段
- 低侧和高侧输出(GL和GH)独立控制,支持轨到轨输出。
- 高侧驱动器采用浮动设计,通过BST和SH引脚供电。
- 输出具备高峰值电流能力,支持快速开关MOSFET。
. 保护功能
- UVLO保护:监测GVDD和BST电压,确保在电压不足时关闭输出。
- SH引脚瞬态负电压保护:允许SH引脚电压瞬态低于地电位,提高系统鲁棒性。
. 典型应用
文档提供了LM在半桥转换器中驱动MOSFET的典型应用电路图,并详细讨论了设计要求和布局指南。
. 电源推荐
- GVDD供电电压推荐范围为V至V,需考虑UVLO阈值和滞回特性。
- BST引脚电压应高于SH引脚电压,推荐最大值为V。
- 建议在GVDD和GND、BST和SH之间使用低ESR陶瓷旁路电容器,以支持高峰值电流并减少噪声。
. 布局指南
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