【产品介绍】Simcenter Micred T3STER SI：最新一代瞬态热测试设备-电子发烧友网

一、产品综述

Simcenter T3Ster SI热瞬态测试仪，是半导体热特性热测试仪器。它通过非破坏性地测试封装好的半导体器件的电压随着时间的瞬态变化，快速地获得准确的，重复性高的结温热阻数据以及结构内部信息。Simcenter T3STER SI支持对器件进行在线测试，结壳热阻测试等。测试结果可以生成热阻热容模型供热仿真软件使用，同时也可以用于校准详细的仿真模型。

Simcenter T3STER SI的测试方法满足国际通用标准：JEDEC JESD51-1，JEDEC JESD51-14，美军标MIL 883H，MIL 750E以及国际电工委员会的ICE60747系列。

Simcenter T3STER SI的研发部门MicReD联合英飞凌共同制定了最新的结壳热阻测试标准JEDEC JESD 51-14: Transient Dual Interface Test Method。T3STER SI的测试方法完全符合标准要求，支持通过两种方法来计算结壳热阻。

Simcenter T3STER SI的研发部门MicReD制定了全球第一个使用电学法测试LED器件真实热阻的国际标准JESD51-51，以及规范LED器件光热一体化测试的JESD51-52。

Simcenter T3STER SI既能进行稳态结温、热阻测试，也能进行热瞬态测试。在采集瞬态温度响应曲线（冷却曲线）时，采样时间间隔最快可达1微秒。

Simcenter T3STER SI独创的结构函数(structure function)可以图形化地展示热流传导路径上每层结构的热阻和热容信息，非破坏性地检测封装结构的改变，因而被广泛地应用于产品封装的新材料或新工艺的对比、产品可靠性研究、产品质量评估以及接触热阻等各个领域。

Simcenter T3STER SI可以与Simcenter Flotherm Flexx和Simcenter FLOEFD等仿真软件高度配合，建立准确高效的Digital Twin，包括为仿真软件输出RC网络模型，校准仿真模型等。从而提高仿真准确度，提升仿真设计速度。

Simcenter T3SterSI具有完全重新设计的系统硬件架构和控制软件。

● 可用性的优化

● 相对简单的集成

● 灵活的配置以及相对较高的测量/生产效率

二、产品优势

三、应用概述

应用对象

● 各种三极管、二极管等半导体分立器件，包括：常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件；● 各种复杂的IC以及MCM、SIP、SoC等新型结构；● 各种复杂的散热模组的热特性测试，如热管、风扇等；

Simcenter T3STER SI可测试的器件

针对不同的器件，需要选择合适的TSP● 二极管：选择正向压降VF作为TSP，所有器件都可以当成二极管测试；● 三极管：BJT：Vbe● MOSFET（包括SiC MOSFET）：Vsd● IGBT（包括分立器件和功率模块）：Vce● GaAs FET和GaN HEMT：Vgs，栅极电流或Vce● 热测试芯片：内置了加热电阻和温敏二极管；在加热电阻上施加功率，测试二极管● 数字IC：衬底二极管，VCC和GND反向偏置，施加加热功率并测试。

产品设计和研发阶段

1）通过测试+仿真的数字孪生，从源头上保证设计模型的准确性，节约设计成本，减少返工的几率；

2）测试原型器件的热学结构信息，发现隐藏的设计缺陷，及时改进产品的设计；3）通过结构函数强大的结构对比功能，在保证产品性能的前提下，选择性价比更高的材料和工艺；4）提供基于测试结果的仿真模型供下游客户使用，增强产品的市场竞争力；● 产品制造阶段：发现隐藏的缺陷，降低后期维保的成本；● 质量评估阶段：对产品进行全方位的热学表征，及时发现产品的质量缺陷。

T3ster SI基本功能应用

四、T3ster SI领先的技术优势

先进的静态实时测试方法T3Ster SI的测试技术与传统的动态测试法(dynamic mode)不同，采用的是先进的静态测试法(static mode)，可以实时地采集待测器件的结温随着时间的变化。而动态测试法是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程，并非器件实际的瞬态温度响应。静态法的测试时间短、测试数据点密而且测试数据的信噪比更高。测试启动时间高达1us，保证测试结果准确性研究表明，在测试中如果瞬态变化最初1ms时间内的温度没有被采集到，最终的热阻值将被低估10%-15%左右。实时采样时间间隔高达1us，采样点数最多65000点，保证数据完备性