Simcenter FLOEFD T3STER自动校准模块：提高电子冷却研究的准确性

优势

执行封装热模型的高精度结温预测（在特定情况下，精度可超过 99.5%）

克服与传统手动校准相关的时间限制

轻松探索测量校准所需的封装规格和材料特性变化

在CFD研究中充分利用校准的最高精度瞬态热模型，更准确地评估设计热稳定性，并验证成本降低决策的正确性

摘要

Simcenter FLOEFD、CAD嵌入式CFD软件的自动校准模块可轻松快速地依据热瞬态测试数据校准热模型，有效提高仿真精度。自动热模型校准增强的热分析精度有助于满足现代电子产品开发中日益苛刻的设计要求。实践证明，依据测试纸校准仿真模型对于打磨高保真度的组件热建模精度很关键，但是手动校准调整工作可能相当耗时。作为Siemens Xcelerator产品组合的一大构成，多款Simcenter测试和仿真工具加持了独特的自动校准技术。

Simcenter Micred T3STER硬件是一款先进的热瞬态测试解决方案，适用于IC封装、功率半导体、LED和电子系统的热特性分析。该设备采用电气测试方法提供公认的高精度、可重复的结温瞬态测量功能。在电子设备或IC封装的典型测试期间，可精准测量功率阶跃的加热或冷却瞬态响应。测量结果经过后处理以生成结构函数，表征从器件结点到环境的热流路径，作为热阻与热容的关系曲线。工程师如今可以通过在Simcenter FLOEFD中自动校准基于仿真的结构函数并匹配导入的测量结果后生成结构函数，以获得高精度的热特性模型，并轻松自如地将其用于瞬态分析。

先决条件

Simcenter Micred T3STER SI、T3STER或Power Tester硬件设备测量数据。

Simcenter FLOEFD

T3STER自动校准模块

Simcenter FLOEFD自动校准模块赋能用户首先从Simcenter Micred T3STER硬件热瞬态测试研究中导入基于测量的结构函数，随后将其与基于仿真的结构函数进行比较分析。接下来，工程师用户可以运用参数化研究工具的自动校准功能，深入探索封装模型内部规格和材料特性变化。此自动程序可确保仿真模型瞬态热特性与测试数据相匹配。其结果是生成高精度且已校准的3D详细模型，可将其用于瞬态分析。

热瞬态测试、结构函数生成以及未校准与已校准热模型的比较分析。高精度且已校准的瞬态分析热特性模型对于以下应用具有很高的应用价值：

• 基于功率电子任务配置文件的热稳定性分析洞察，例如给定电动汽车驾驶循环车辆逆变器内的功率半导体结温预测等
• 数字电子学，例如：对功率模式变化、热响应或节流控制影响执行建模
• 供应链支持，用于半导体OEM为电子产品客户提供高精度测试校准的详细热模型，以生成市场差异化优势价值
• 高保真度3D详细热模型亦是快速生成各种降阶、求解电热电路仿真或系统仿真模型的利好基础。（有关独立于边界条件的降阶模型的更多详细信息，请参见Simcenter FLOEFD BCI-ROM和Package Creator模块）

自动校准过程。

结构函数校准特写视图。

采用已自动校准的IC封装热模型执行精确的瞬态响应建模。