紫光国芯亮相2025西部半导体产业创新发展论坛

近日，由陕西省半导体行业协会主办的“2025西部半导体产业创新发展论坛暨陕西省半导体行业协会成立20周年大会”在西安举办。大会由省市相关领导、院士专家、相关省市行业协会和基地代表、国内外半导体相关企业及厂商、金融投资机构、产业园区代表、各界媒体等500余位业界嘉宾参会，紫光国芯总经理、董事江喜平博士及公司相关业务负责人出席大会。

开幕式上，协会对20年来为陕西半导体行业发展做出杰出贡献的单位、产品和人物进行了颁奖。公司凭借长期深耕半导体存储器领域，持续推动存储技术创新，助力陕西半导体产业发展，荣膺20周年“突出贡献单位奖”。其自主研发的低功耗256Mb DRAM KGD产品，具有自主可控、超低功耗等优势，在全球细分通讯市场占据领先地位，荣获“突出贡献产品奖”。

获得此次奖项的紫光国芯低功耗256Mb DRAM KGD产品，是国内首款自主开发的KGD产品，拥有多项自主知识产权，为满足蜂窝通信、在线支付、卫星导航等领域的存储需求而设计。该款KGD产品具有紧凑型设计和低功耗特性，助力客户提升系统竞争力，累计出货量数亿颗。

在IC设计与半导体智能应用发展论坛上，紫光国芯业务总经理左丰国发表了题为“用三维堆叠DRAM技术赋能AI大模型算力芯片”的主旨演讲，他指出：

当大模型推动AI进入普惠时代。采用创新的存储架构，突破内存性能瓶颈，是释放AI算力潜能的关键突破口。

针对AI算力芯片普遍面临的‘内存墙’问题，紫光国芯自主研发的三维堆叠DRAM(SeDRAM)技术，秉承‘连的更密、挪的更近、叠的更高’的存算架构创新理念，凭借超大带宽、超低功耗和超大容量的突出优势，助力AI算力芯片性能的极致释放。

历经十年技术沉淀，紫光国芯SeDRAM技术历经多次迭代。如今已发展至第四代，可为算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量。目前，紫光国芯已成功助力包括行业头部厂商在内的众多企业客户完成超30款芯片产品的研发或量产，技术实力获业界高度认可。

大会开幕前夕，紫光国芯携手陕西半导体行业协会举办“紫光国芯之夜”主题晚宴，公司总经理江喜平出席活动并致祝酒辞，行业专家、合作伙伴及企业代表等逾百人齐聚一堂，分享行业心得，交流宝贵经验和见解。

作为陕西半导体产业发展的深度参与者和核心推动者，紫光国芯始终坚持创新驱动发展战略，不断推出具有市场竞争力的产品和服务解决方案。未来，公司将进一步深化与协会等行业组织的战略协同，联合产业链上下游企业，以创新驱动生态共建，打造开放协同的产业生态圈，为陕西半导体产业高质量发展贡献力量。